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美国Anderson晶振|AE-807-N-H-3-4085-3R3-25M000000|5032贴片晶振

频率:25MHz

尺寸:5.0 x 3.2 x 1.80mm

美国Anderson晶振|AE-807-N-H-3-4085-3R3-25M000000|5032贴片晶振,美国晶振,Anderson晶振,AE807有源晶振,贴片晶振,AE-807-N-H-3-4085-3R3-25M000000晶振,石英晶体振荡器,5032mm晶振,SMD晶体,四脚封装晶振,频率25MHz,电压3.3V,频率稳定性30ppm,工作温度-40~85°C,低老化晶振,紧凑薄晶振,高精度晶振,电脑计算机晶振,调制解调器晶振,通信设备晶振,工业设备晶振.

咨询热线:0755-27872782

TH-1 890

Ja-1美国Anderson晶振|AE-807-N-H-3-4085-3R3-25M000000|5032贴片晶振,美国晶振,Anderson晶振,AE807有源晶振,贴片晶振,AE-807-N-H-3-4085-3R3-25M000000晶振,石英晶体振荡器,5032mm晶振,SMD晶体,四脚封装晶振,频率25MHz,电压3.3V,频率稳定性30ppm,工作温度-40~85°C,低老化晶振,紧凑薄晶振,高精度晶振,电脑计算机晶振,调制解调器晶振,通信设备晶振,工业设备晶振.

美国Anderson晶振|AE-807-N-H-3-4085-3R3-25M000000|5032贴片晶振特点:

-频率范围:32.768 KHz至150.000 MHz

-缝焊封装,紧凑,薄

-在频率稳定性、老化性、精度、可靠性等方面表现出优异的技术性能。

TH-2 890

TH--TC2美国Anderson晶振|AE-807-N-H-3-4085-3R3-25M000000|5032贴片晶振规格表

案例   AE807 N H 3 4085 3R3 25M000000 
启动 N No Connect
T Tri-State
输出 T TTL/CMOS
H HCMOS
L LVCMOS
工作温度 1 ±10 ppm
2 ±20 ppm
3 ±30 ppm
5 ±50 ppm
Z ± Custom
温度稳定性 5505 Custom (-55°C to +105°C)
4085 -40° to +85°
3060 -30° to +60°
2070 -20° to +70°
电源电压 3R3 +3.3V
3R0 +3.0V
2R5 +2.5V
1R8 +1.8V
1R5 +1.5V
存储温度 -55°C to +125°C
输入电流 60mA maximum 
负载 15pf 
占空比 45% to 55% 
上升/下降时间 (10% to 90%) 10 nS (maximum)
启动时间 10 mS maximum
输出电压电平 High (Minimum) 90 %Vcc
Low (Maximum) 10
TH-3 890

TH--WHP1美国Anderson晶振|AE-807-N-H-3-4085-3R3-25M000000|5032贴片晶振尺寸图

AE807-1

AE807-2

TH-6 890

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