村田新产品MEMS谐振器应用指南
日本村田新研发出一款MEMS谐振器,尺寸仅有0.9*0.6*0.3mm。实现了现石英晶体谐振器达不到超小尺寸,并且低ESR特性的产品。MEMS谐振器的诞生可代替许多石英晶体谐振器。有很多人就想问了什么是MEMS谐振器?它跟振荡器有什么区别?MEMS谐振器有哪些特点?工作原理有哪些?使用都需要注意一些什么问题?等等一大串的问题就随之而来了。
那么我们将一一把问题给大家回复。
首先,大家肯定是会对日本村田陶瓷晶振制作所研发出的产品有些疑问,什么是MEMS呢?其实MEMS指的是微机电系统(Micro Mlectro Mechanical Systems),这种装置运用了半导体生产工艺技术,具有三维微细结构。除了面对MEMS谐振器还有一种是振荡器,MEMS振荡器跟其它普通石英晶体振荡器是一样的,将振荡用电路也谐振器融为一体的装置。可用科尔皮兹振荡电路之类的普通振荡电路驱动。
WMRAG32K76CS1C00R0谐振器是村田MEMS技术的代表作品。该产品具有体极柢的ESR特性以及极小尺寸封装,这个是目前石英晶体谐振器无法实现的突破。极小的尺寸有助于减小安装面积,通过优化IC增益,实现了低ESR的MEMS谐振器,降低了功耗。也可用于回流焊接,引线键合和传递模型。WMRAG32K76CS1C00R0谐振器具有晶体该有的特性,32.768KHZ标频以及20PPM标准稳定偏差。可在-30~+85度下正常工作。驱动电平在0.2μW以内。当您考虑置换晶体的时候,要注意晶体谐振器和MEMS谐振器的负载电容量值不同。
并且要知道MEMS谐振器与普通石英晶体谐振器的区别。
MEMS三大特性
1.节省空间化
本产品是内置了在振荡电路中所需的负载电容量的超小型芯片尺寸封装(CSP)。因此,可节省整体振荡电路的空间,为最终的小型化做贡献。
此外,也可在空出来的空间中追加大电流或者其他功能。
2.可内置
通过使用了硅材料的WLCSP,跟同样材料的半导体IC贴片兼容性更高,因此晶振可内置在IC中。
也可对应Transfer Mold和Wire Bonding。
3.低功耗
由于其低ESR的特性,可降低IC增益。
因此,可抑制振荡电路的消耗电流,实现整个设备的低功耗。
*本公司的测定结果比
村田製作所は、たった0.9×0.6×0.3mmの大きさのMEMS共振器を開発しました。超小型で水晶共振が得られず、低ESR特性の製品。 MEMS共振器の誕生は、多くの水晶振動子に取って代わることができる。 MEMS共振器とは何かを聞きたい人はたくさんいますか?それと発振器の違いは何ですか? MEMS共振器の特徴は何ですか?動作原理は何ですか?いくつかの問題に注意を払う必要がありますか?たくさんの質問が寄せられています。
それから私達は質問であなたに答えます。
まず、ムラタセラミックスが日本で開発している製品について、皆さんからの疑問があると思います。実際、MEMSは、半導体製造技術を使用し、三次元の微細構造を有するマイクロエレクトロメカニカルシステムを指す。 MEMS共振器の他にも発振器があり、MEMS発振器は他の通常の水晶発振器と同じであり、発振回路と共振器は1つの装置に集積されている。コルピッツ発振回路などの一般的な発振回路で駆動できます。
WMRAG32K76CS1C00R0共振器はムラタのMEMS技術の代表的な作品です。この製品は非常に高いESR特性と非常に小さいパッケージを備えています。これは水晶振動子では達成できない画期的な製品です。非常に小さいサイズは、実装面積を減らし、ICの利得を最適化して、消費電力を削減する低ESRのMEMS共振子を実現します。また、リフローはんだ付け、ワイヤボンディング、転写モデルにも使用できます。 WMRAG32K76CS1C00R0共振器は、水晶の特性、32.768KHZの標準周波数、および20PPMの標準安定度偏差を持っています。 -30?+ 85度で正常に動作します。駆動レベルは0.2μW以内です。水晶振動子の交換を検討するときは、水晶振動子とMEMS振動子の負荷容量値が異なることに注意してください。
そしてMEMS共振器と通常の水晶振動子の違いを知ること。
MEMSの3つの主な特徴
1.省スペース化
本製品は発振回路に必要な負荷容量を内蔵した超小型チップスケールパッケージ(CSP)を実現しています。そのため発振回路トータルを省スペース化することが可能となり、最終セットの小型化に貢献できます。
そのほか空いたスペースでバッテリーを大きくすることや、他の機能を追加することも可能です。
2.内蔵可能
シリコン材料を用いたWLCSPを採用したことで、素材が同じ半導体 IC のチップと実装時の親和性が 高く、ICへの内蔵が可能です。
トランスファーモールドやワイヤーボンド実装にも対応可能です。
3.低消費電力
低ESRの特性を生かし、ICのゲインを下げることが出来ます。
そのため、発振回路の消費電流を抑えることができ、セット全体の低消費電力化が可能です。
*会社の測定結果は以上です相关行业新闻
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