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CRYSTEK晶振,石英晶振,CO27VH15DE-02-10.000晶振,射频源用恒温晶体振荡器

频率:10MHZ

尺寸:36.1*27.2*20.0mm

36.1*27.2*20.0mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

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    CRYSTEK晶振,石英晶振,CO27VH15DE-02-10.000晶振,射频源用恒温晶体振荡器 Crystek公司 成立于1958年,是射频微波和频率控制行业的高性能技术全球领导者。Crystek公司广泛的产品包括多种终端市场,包括无线,微波无线电,电信,工业,企业,航空航天和政府部门。Crystek公司是一家通过ISO9001:2008认证的企业,总部位于佛罗里达州迈尔斯堡
CrystekCorporation®自1958年以来一直提供频率产品,包括石英晶体,XO(时钟振荡器),TCXO(温度补偿晶体振荡器),VCO(压控振荡器)和VCXO(压控晶体振荡器)。Crystek经营两个专门用于频率控制的部门。

    rystek晶体致力于开发和制造使用石英谐振器的频率产品。Crystek Microwave为微波行业开发频率控制和支持产品。其他产品包括:PLL(锁相环)合成器,RedBox VCO,RF同轴电缆组件,射频电缆连接器,批量射频同轴电缆,RF功率检测器,滤波器,衰减器,直流模块,无源倍增器,RFPRO(袖珍参考振荡器),基于SAW的时钟振荡器和VCSO以及功率调节器。CRYSTEK晶振,石英晶振,CO27VH15DE-02-10.000晶振,射频源用恒温晶体振荡器TH-1 890

    有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

    36.1*27.2*20.0mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.CRYSTEK晶振,石英晶振,CO27VH15DE-02-10.000晶振,射频源用恒温晶体振荡器TH-2 890

CRYSTEK晶振规格

单位

CO27VH15DE-02-10.000晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

10MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-45°C 90°C

裸存

工作温度

T_use

-20°C +80°C

标准温度

激励功率

DL

50μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/

频率温度特征

f_tem

±50 × 10-6/25°C 

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

50pF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±200× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

TH-3 890

CO27VH15DE-02-10_000 27.2_36.1 OCXO

TH-4 890

    电路配置:CRYSTEK晶振,石英晶振,CO27VH15DE-02-10.000晶振,射频源用恒温晶体振荡器

    •在大多数Pierce电路中,放大器只包含一个晶体管。输出可被缓冲以提供数字逻辑兼容输出(TTL或HC-CMOS)

    •Pierce放大器可设计为CMOS,TTL和ECL中的数字逻辑元件;低频CMOS,中频TTL和ECL对于高频率。

    晶体开关中的三态控制

    大多数数字系统使用由两个状态级别0和1表示的二进制数字系统。在某些特殊应用中,需要第三状态(Hi阻抗输出)。TTL,HCMOS或HCMOS晶体振荡器提供三态输出或三态启用/禁用功能。其常见应用包括自动测试,总线布线数据传输。

    这三种状态是低阻抗,高阻抗和高阻抗(Hi Z或浮动)。在高阻抗状态下的输出表现为好像与电路断开连接,除了可能的小泄漏电流。三态器件具有启用/禁用输入,通常在几乎任何封装的引脚1上。当使能为高电平或悬空时,器件振荡(输出高电平和低电平),当引脚1接地(逻辑“0”)时,器件进入高阻状态。

    总线是一组常用的电线,通常用于数据传输。三态总线有几个三态输出连接在一起。通过控制电路,除了一个总线上的总线上的所有器件都具有处于高阻抗状态的输出。剩下的设备被启用,以高低输出驱动总线。

    三态功能的其他应用是自动测试设备(ATE)。几个振荡器的输出连接在一起。使用控制电路时,除了一个振荡器之外,所有振荡器的输出均处于高阻抗状态。唯一选定的振荡器将从计数器中读出其频率。(图5)

    在三态函数生效之前总会有一些延迟。这种效应发生在两个转换(禁用和启用时)。三态从低电平输出禁止时间为tPLZ,三态至低电平输出使能时间为tPZL。(图6)

    CMOS

    上升和下降时间CMOS技术的上升和下降时间取决于其速度(CMOS,HCMOS,ACMOS,BICMOS),电源电压,负载电容和负载配置。CMOS 40000系列的典型上升和下降时间为30ns,HCMOS为6ns,而ACMOS(HCMOS,TTL兼容)为3 ns(最大值)。典型的上升和下降时间是在其波形水平的10%到90%之间测量的。(见图7)

    ACMOS输出终端技术

    由于ACMOS(HCMOS / TTL兼容)器件的快速转换时间,在测试或测量电气性能特性时必须使用正确的终端技术。终止通常用于解决电压反射问题,这主要导致时钟波形中的步骤以及过冲和下冲。这可能导致数据错误计时,以及更高的EMI和系统噪声。

    由于PC板上迹线的长度及其负载配置,终端也是必需的。终止时钟走线有三种通用方法,一种是将器件的输出阻抗与线路阻抗匹配的过程:

    方法1:串联终端(图9)在串联终端中,阻尼电阻靠近时钟信号源放置。R的值必须满足以下要求:Rs≥ZT - Ro

    方法2:上拉/下拉电阻(图10)在上拉/下拉端接时,组合的戴维南等效值等于迹线的特性阻抗。这可能是最干净的,并且不会导致反射,也不会降低EMI。RT?ZT,CRYSTEK晶振,石英晶振,CO27VH15DE-02-10.000晶振,射频源用恒温晶体振荡器TH-6 890

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