CVPD-922晶振,LVPECL输出电压控制振荡器

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CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVPD-922晶振,LVPECL输出电压控制振荡器

频率：40 MHz - 125 MHz

尺寸：14.2*9.14*5.3mm

石英晶体振荡器在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术，使用IC与晶片设计匹配技术：是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性，必须考虑振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

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CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVPD-922晶振,LVPECL输出电压控制振荡器， Crystek公司成立于1958年，是射频微波和频率控制行业的高性能技术全球领导者。Crystek公司广泛的产品包括多种终端市场，包括无线，微波无线电，电信，工业，企业，航空航天和政府部门。Crystek公司是一家通过ISO9001：2008认证的企业，总部位于佛罗里达州迈尔斯堡
CrystekCorporation®自1958年以来一直提供频率产品，包括石英晶体，XO（时钟振荡器），TCXO（温度补偿晶体振荡器），VCO（压控振荡器）和VCXO（压控晶体振荡器）。Crystek经营两个专门用于频率控制的部门。

rystek晶体致力于开发和制造使用石英谐振器的频率产品。Crystek Microwave为微波行业开发频率控制和支持产品。其他产品包括：PLL（锁相环）合成器，RedBox VCO，RF同轴电缆组件，射频电缆连接器，批量射频同轴电缆，RF功率检测器，滤波器，衰减器，直流模块，无源倍增器，RFPRO（袖珍参考振荡器），基于SAW的时钟振荡器和VCSO以及功率调节器。CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVPD-922晶振,LVPECL输出电压控制振荡器 TH-1 890

石英晶体振荡器在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术，使用IC与晶片设计匹配技术：是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性，必须考虑振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVPD-922晶振,LVPECL输出电压控制振荡器 TH-2 890

CRYSTEK晶振规格	单位	CVPD-922晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	40 MHz - 125 MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-45°C ～90°C	裸存
工作温度	T_use	0°C ～ +70°C	标准温度
激励功率	DL	50μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±50 × 10^-6/25°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	15pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

CVPD-922 9_14mm VCXO LVPECL

TH-4 890

晶体振荡器术语及应用说明，CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVPD-922晶振,LVPECL输出电压控制振荡器

标称频率：晶体振荡器的中心或标称输出频率。

封装：晶体振荡器从引脚通孔到表面贴装类型封装成各种类型。各种尺寸和功能适用于不同的应用。

频率容差：在室温下以百万分率（ppm）表示的与标称频率的偏差。（25°±5°C）
频率范围：振荡器类型或型号可提供的频段。

频率稳定度：相对于在温度窗口25°C时测得的频率（即0°C至+ 70°C）的最大允许频率偏差。典型稳定度为±0.01％（±100 ppm）。

工作温度：输出频率和其他电气，环境特性符合规格的温度范围。

老化：相对频率在一段时间内发生变化。这种频率变化率通常是指数性的。通常情况下，最多1年的老化率为±5 ppm。

存储温度：在不损坏或改变设备性能的情况下安全存放设备的温度范围（未施加电源电压）。

频率与电源变化：当电源电压在指定限制内变化时，允许的最大频率变化（典型值±10％Vcc或±5％变化）。

电源电压（Vdd max）：可以安全施加到Vcc端子相对于地的最大电压。TTL的最大电源电压为5.5V，HCMOS的最大电源电压为6V。

输入电压（VIN）：可安全施加到振荡器任何输入端的最大电压。

输出高电压（VOH）：正常负载下振荡器输出端的最小电压。

输出低电压（VOL）：适当负载下振荡器输出端的最大电压。

电源电流（Icc）：流入Vcc端子的电流相对于地。典型的电源电流在无负载情况下测量

对称或占空比：输出波形在特定电平（TTL为1.4V，HCMOS为1 / 2Vcc或ECL为1/2波形峰值电平）时的对称性。

SYM = TH / T×100（％）; 参见图1。

上升时间（Tr）：在指定电平（HCMOS，ECL为20％至80％，TTL为0.4V至2.4V）下，从低电平到高电平转换的波形上升时间。

下降时间（Tf）：在特定电平（HCMOS，ECL为80％至20％，TTL为2.4V至0.4V）下测量的从高电平到低电平转换的波形下降时间。CRYSTEK晶振,贴片晶振,CVPD-922晶振,LVPECL输出电压控制振荡器 TH-6 890

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