Fujicom晶振,贴片晶振,FDO-736晶振,FDO-726晶振
频率:80MHz-400MHz,1.0MHz-800MHz
尺寸:7.0*5.0*1.7mm
Fujicom晶振,贴片晶振,FDO-736晶振,FDO-726晶振, 富士晶振公司股份有限公司位于日本山梨县南都留郡富士河口湖町胜山1430-1
富士晶振公司主要以石英晶振,电子元件,三端稳压管,LED照明,高压电容器,薄膜电容器等产品的生产与开发,在于2013年开始处理,软件的开发,今后在有线、无线通信设备的本公司商品化目标。今后更能迅速满足市场的需求。目前针对中国市场主要以石英晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,有源晶振系列产品作为主打。
公司主要一些大事记:
1994年1月
500万日元的资本金为富士公司成立。
原工作中水晶设备企业的营业将移交到富士com。
开始销售水晶设备。
1994年3月
为了扩充石英晶振水晶设备的销售机型,
该公司将与韩国sunny electronics公司、山梨的无线电波股份公司、株山公司签订合同。
1998年4月
为了提高质量,还导入了网络分析仪和其他检查器。
1998年11月
	    美国transkelectronics。缔结进货销售合同。Fujicom晶振,贴片晶振,FDO-736晶振,FDO-726晶振 
 
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体振荡器产品精度,稳定性能良好发挥功能。
	    2016mm体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的压电石英晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:最高0.8 mm,体积:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC(频率控制)功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.Fujicom晶振,贴片晶振,FDO-736晶振,FDO-726晶振 
 
| Fujicom晶振规格 | 单位 | FDO-736晶振,FDO-726晶振频率范围 | 石英晶振基本条件 | |
| 标准频率 | f_nom | 80-400MHz,1.0-800MHz | 标准频率 | |
| 储存温度 | T_stg | -40°C to +85°C | 裸存 | |
| 工作温度 | T_use | -10°C to +70°C | 标准温度 | |
| 激励功率 | DL | 1.0μW Max. | 推荐:1μW ~ 100μW | |
| 频率公差 | f_— l | 
					±50 × 10-6 (标准), | +25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/ | |
| 频率温度特征 | f_tem | ±50 × 10-6/25°C | 超出标准的规格请联系我们. | |
| 负载电容 | CL | 15PF | 不同负载电容要求,请联系我们. | |
| 串联电阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW | |
| 频率老化 | f_age | ±3 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 | |
	 
 
	 
 
	 
 
关于多个石英和Fujicom MMD MEMS振荡器的数据说明了EMI对差分和单端振荡器的影响(图5和图6)。Fujicom MMD MEMS振荡器的性能优于竞争石英和MEMS的振荡器。这些结果强调理解性能和运行环境之间关系的重要性。Fujicom晶振,贴片晶振,FDO-736晶振,FDO-726晶振
有关振荡器EMS性能测试条件和实验结果的详细信息,请参见“MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较”[2]。
震动和振动
许多电子产品在使用过程中受到相当大的振动力。尤其适用于口袋或背包携带的便携式移动设备。电子移动GPS装置,工业设备或航空航天应用可能会经受更高水平的振动。即使是固定式产品也可能会受到附近风扇或其他设备的振动。
由于所使用的机械装配和包装,石英振荡器可能对振动显示出明显的敏感性。Fujicom MMD的MEMS FirstTM技术0生产的MEMS谐振器本质上更能抵抗振动引起的性能下降,这有两个原因。首先,硅谐振器的移动部分具有比石英晶体谐振器小得多的质量。这减少了由振动引起的加速度施加到谐振器的力。其次,硅MEMS谐振器是非常坚硬的结构,其在平面内振动,并因此抵抗由振动力引起的移动。
通过在与机械振动相同的频率下产生电子签名,振动会降低振荡器性能,引起频率尖峰或增加相位抖动或宽带噪声。机械力也可能损坏物理谐振器结构。由于振荡器响应取决于外部机械力的方向,严重程度和频率,查看几种不同类型测试的结果可以最全面地了解振荡器的弹性。
第一个测试是通过观察发生在特定频率的杂散相位噪声或杂散杂散来评估对正弦振动的响应。该相位噪声被转换为调频(FM)噪声,并归一化为1g振动加速度的载波频率。结果以十亿分之一/克(ppb / g)表示为振动频率的函数。测量设置包括控制器,功率放大器和振荡器。
正弦振动测试包括振动频率范围从15赫兹到2千赫,峰值加速度为4克,代表振动器在现场经历的振动力。振荡器在x,y和z轴上受到振动,报告的结果是三个方向上观测到的最高噪声响应。
	    图7显示了基于石英,SAW和MEMS的差分晶振的振动灵敏度结果。Fujicom MMD MEMS振荡器的性能优于其他器件10到100倍。Fujicom晶振,贴片晶振,FDO-736晶振,FDO-726晶振 
 
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