FOC-A～F晶振,DIP恒温晶体振荡器

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Fujicom晶振,石英晶振,FOC-A～F晶振,DIP恒温晶体振荡器

频率：1MHz - 70MHz

尺寸：25.4*25.4*13.0mm

压控温补晶体系列，VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术：晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。

咨询热线：0755-27872782

Fujicom晶振,石英晶振,FOC-A～F晶振,DIP恒温晶体振荡器， 2000年7月

台湾yangtec electronics corp。与富士通晶振品牌的销售合同。

2001年1月

“水晶震动”自动检测装置。

2005年8月

传输法石英水晶振荡器自动检查装置。

2008年6月

韩国将在国内销售kec和kec制的半导体。

10月

参展东京商务峰会。

开始销售led灯。

12月

开始销售高压薄膜电容器。

2011年12月

高电压薄膜电容器lcr产品引进。

2012年7月

东芝产半导体开始销售。

2013年1月

软件委托开发开始。

5月

总公司新办公室改建迁移。

10月

shoprider的电动汽车开始销售。

2014年7月

小规模事业者可持续发展补助金。

2015年5月

㈱ぱるぱる产电动卡丁车“パルパル”开始销售。

富士com有限公司于2013年创立20期，创立20周年，Fujicom晶振,石英晶振,FOC-A～F晶振,DIP恒温晶体振荡器 TH-1 890

恒温晶体振荡器系列，OCXO产品内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术：晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。

具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.目前的VC-TCXO晶振采用了离子刻蚀调频技术：比目前一般使用的真空蒸镀方式调频，主要在产品参数有以下提升：

１.微调后调整频率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；

２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升；

３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内，Fujicom晶振,石英晶振,FOC-A～F晶振,DIP恒温晶体振荡器 TH-2 890

Fujicom晶振规格	单位	FOC-A～F晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	1MHz - 70MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C to +85°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C to +50°C	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6 (标准), (±20 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±50 × 10-6/25°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	15PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±0.1 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

FOC-A-F

TH-4 890

关于第二次振动测试产生的加速度为7.5 g rms，如MIL-STD 883F所定义的随机振动，它模拟恶劣的操作环境。结果以时域中的感应相位抖动的形式报告，通过在15Hz到10kHz的偏移频率上对感应相位噪声进行积分来计算。数据（见图8）显示了广泛的回应。Fujicom MMD MEMS振荡器胜过所有其他设备，表明它对随机振动相对不受影响。Fujicom晶振,石英晶振,FOC-A～F晶振,DIP恒温晶体振荡器

Fujicom MMD MEMS振荡器对冲击影响也不敏感，这是耐机械力的第三项测试。突然冲击往往会导致振荡器频率的瞬态偏差。Fujicom MMD测量了基于石英和MEMS的振荡器对加速度为500 g的1 ms半正弦波冲击脉冲的响应。图9中的结果显示，尽管大多数器件表现出显着的频率偏差，但Fujicom MMD MEMS的频率偏差小于1 ppm。

有关振荡器冲击和振动性能比较测试条件和实验结果的详细信息，请参见“MEMS和石英振荡器的冲击和振动性能比较”[3]。

可靠性

量化组件可靠性的一种方法是预测平均故障间隔时间（MTBF）。对于半导体元件而言，这与时间失效率（FIT）的倒数相反，表示为10亿个工作小时后的统计预期故障数。MTBF越高，设备的预期寿命越长，因此设备越可靠。FIT率较低表示预期故障数量少，可靠性高。

Fujicom MMD通过对振荡器进行长时间高温高压下的压力测试来计算FIT。强调成千上万个振荡器的累积测试时间超过两百万个设备小时不会导致故障。根据这些结果，Fujicom MMD的MEMS振荡器的计算可靠率小于1 FIT，相当于10亿小时的MTBF。有关计算FIT率和MTBF方法的详细信息，请参见“Fujicom MMD振荡器的可靠性计算”[4]。

图10包括来自不同制造商的振荡器的MTBF报告，显示Fujicom MMD的基于MEMS的振荡器比石英晶体振荡器更可靠。Fujicom晶振,石英晶振,FOC-A～F晶振,DIP恒温晶体振荡器 TH-6 890