GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

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GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

频率：30MHz

尺寸：7050mm

GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振,美国GED晶振公司，通用晶振公司，石英晶振，贴片晶振，四脚晶振，有源晶振，环保晶振，6G卫星晶振，6G通讯无源晶振，环保无铅晶振，表面贴装HCMOS/TTL兼容振荡器，HCMOS/TTL输出，5.0V供电电压，陶瓷SMD封装，可用于磁带和卷轴

咨询热线：0755-27872782

TH-1 890

TH-2 890

GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

电气参数
频率范围	1.0 to 133.000MHz
频率容差	±20ppm ±25ppm ±50ppm ±100ppm
工作温度	0°C to +70°C or –40°C to 85°C
储存温度范围	-55 ~ +125°C
电源电压	+5.0VDC ±10%
输入电流	1.000MHz to 32.000MHz 20mA Max 33.000MHz to 49.000MHz 45mA Max 50.000MHz to 69.000MHz 50mA Max 70.000MHz to 133.000MHz 100mA Max
对称性	50±10% Standard, 50±5% Available
上升/下降时间	5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
上升/下降时间	5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
输出电平	VOL : 0.4V Max VOH : +2.4V Min
输出电平	VOL : 0.5V Max VOH : VDD – 0.5V Min
输出负载	CMOS, compatible, 1~10TTL Gates
引脚1选项	No connection Enable/Disable (Tristate)

GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

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GED晶振 6G卫星晶振 SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

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