ILSI晶振,贴片晶振,ILCX19晶振,超迷你石英晶振
频率:16MHz - 72MHz
尺寸:2.0*1.6*0.55mm
智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
ILSI晶振,贴片晶振,ILCX19晶振,超迷你石英晶振, ILSI America LLC很高兴宣布收购MMD Monitor /Quartztek。
合并后的实体将作为总部位于内华达州里诺和南加州偏远地区的单一组织和管理结构运营。
MMD Monitor / Quartztek品牌将继续为频率控制市场中的新老客户提供支持,而不会中断。所有权向ILSI的过渡将与我们尊贵的客户群无缝衔接。
我们非常高兴收购MMD Monitor / Quartztek以补充我们现有的频率控制产品线,并增加了70多年来业界领先者MMD Monitor / Quartztek的军事和航空频率控制市场部分,“Mike Nusbaum说, ILSI-MMD总裁/首席执行官。“MMD Monitor / Quartztek的收购还将增加额外的分销合作伙伴,以增强ILSI-MMD的市场和销售我们的频率控制产品线的能力。
关于ILSI America LLC:
成立于1987年,ILSI America LLC在频率控制产品领域已超过25年,一直处于市场领先地位。ILSI America LLC为我们的OEM客户和全球分销合作伙伴提供我们的频率控制产品的一揽子供应链管理解决方案和工程支持。ILSI晶振,贴片晶振,ILCX19晶振,超迷你石英晶振
2016mm,1612mm,1210mm贴片晶振系列,其产品晶体晶片采用了真空退火技术:高真空退火处理是消除在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,通过合理的真空退火技术可提高产品的主要参数的稳定性,提高产品的年老化特性。
智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.ILSI晶振,贴片晶振,ILCX19晶振,超迷你石英晶振
ILSI晶振规格 |
单位 |
ILCX19晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
16MHz - 72MHz |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~85°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-0°C ~ +50°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
100μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/ |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/25°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
8PF-32PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
存储事项,ILSI晶振,贴片晶振,ILCX19晶振,超迷你石英晶振
(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。
正常温度和湿度:
温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。
(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品。在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
(1)柱面式产品和DIP产品
型号 焊接条件
[ 柱面式 ]
C-类型,C-2-类型,C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s
请勿加热封装材料超过+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
请勿加热封装材料超过+150°C
(2)SMD晶振产品回流焊接条件(实例)
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。
尽可能使温度变化曲线保持平滑。ILSI晶振,贴片晶振,ILCX19晶振,超迷你石英晶振
晶振使用说明
支架:一个箱体,内装一块薄薄的石英晶体或带有真空蒸发金属电极的晶体条和用于连接的端子。
频率:每秒输出波形的周期数。频率单位是每秒周期数,或赫兹,缩写为Hz。
基本模式:晶体的主要模式。
Overtone模式:根据指定的振荡模式分配给奇数的频率。标准的第三种泛音模式,其次是第五,第七,第九等。超越第九种泛音是不切实际的。这些频率并不完全是基频的三倍,五倍,七倍或九倍。
频率容差:室温下与标称频率的允许偏差。频率容差以百分比表示,典型值为±0.005%或百万分率(ppm),±50ppm。
等效串联电阻:晶体在工作谐振电路中表现出的阻抗值。
驱动电平:电路中晶体的功耗量。驱动电平以毫瓦或微瓦表示。过高的驱动电平会导致长期的频率漂移或晶体破裂。
老化:相对频率在一段时间内发生变化。这种频率变化率通常是指数性的。通常情况下,老化在头30天内计算,并计算长期(一年或十年)。最高的老化率在手术的第一周内发生,之后缓慢下降。
频率稳定度:与指定温度范围内(即0至+ 70°C)25°C时的测量频率相比,最大允许频率偏差。
并联电容:并联电容(CO)是晶体端子之间的电容。它随封装而变化,通常它在SMD中较小(典型值为4pF),在含铅晶体中为6pF。
杂散:通常在工作模式之上的不需要的共振,以dB最大值指定。或ESR的次数。频率范围必须指定。例如,在F0±200kHz的频率窗口中,杂散响应应至少为6dB或2.5×R。
振动模式:石英晶体的振动模式随晶体切割而变化,例如AT切割和BT切割的厚度剪切,或音叉晶体的弯曲模式(+ 5oX)切割,或CT,DT切割的面切模式。最流行的切割是AT切割,它可以在宽广的温度变化范围内提供对称的频移。
工作温度范围:晶体单元在特定条件下工作的温度范围。
负载电容:负载电容(CL)是振荡器对两个晶体端子的总电容量。当晶体在并联模式下使用时,需要指定负载电容。ILSI晶振,贴片晶振,ILCX19晶振,超迷你石英晶振
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