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MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振

频率:1.25 MHz - 156.0 MHz

尺寸:7.0 x 5.0 x 2.5 mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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    MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振 MERCURY电子实业有限公司成立于40多年前,1973年成为台湾首家石英晶体频率控制 产品制造商。

    作为石英水晶振子行业的先驱,美科利通过研发许多新型尖端产品,不断满足市场需求。这些高精度产品中的许多都符合非常严格和精确的规格,并且它们也可用于微型表面贴装封装。频率范围从 低KHz到800MHz。 

    质量在美科利是首屈一指的,确保每批产品都能满足从空间技术,电信到消费电子产品等各种应用所需的标准。

    水星致力于保持高质量 标准通过不断改进他们的制造技术并保持他们的新产品开发。 

    美科利电子工业股份有限公司---台湾台北

    •成立于1973年,

    自豪地成为台湾晶体工业的先驱。

    •公司总部和批量生产设施。

    • 通过ISO 9001:2008认证。

    质量管理体系

    • ISO 14001:2004认证

    环境管理体系

    •销售区域:亚洲,中东,非洲和欧洲,MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振TH-1 890

    石英晶体振荡器在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术,使用IC与晶片设计匹配技术:是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性,必须考虑振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

    贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振TH-2 890

MERCURY晶振规格

单位

M572T晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

1.25 MHz - 156.0 MHz

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C to +85°C

裸存

工作温度

T_use

0°C to +50°C

标准温度

激励功率

DL

1.0μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/

频率温度特征

f_tem

±20 × 10-6/25°C 

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

15PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±3 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

TH-3 890

M572T 7050 TCXO

TH-4 890

    晶体振荡器术语及应用说明,MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振

    标称频率:晶体振荡器的中心或标称输出频率。

    封装:晶体振荡器从引脚通孔到表面贴装类型封装成各种类型。各种尺寸和功能适用于不同的应用。

    频率容差:在室温下以百万分率(ppm)表示的与标称频率的偏差。(25°±5°C)
频率范围:振荡器类型或型号可提供的频段。

    频率稳定度:相对于在温度窗口25°C时测得的频率(即0°C至+ 70°C)的最大允许频率偏差。典型稳定度为±0.01%(±100 ppm)。

    工作温度:输出频率和其他电气,环境特性符合规格的温度范围。

    老化:相对频率在一段时间内发生变化。这种频率变化率通常是指数性的。通常情况下,最多1年的老化率为±5 ppm。

    存储温度:在不损坏或改变设备性能的情况下安全存放设备的温度范围(未施加电源电压)。

    频率与电源变化:当电源电压在指定限制内变化时,允许的最大频率变化(典型值±10%Vcc或±5%变化)。

    电源电压(Vdd max):可以安全施加到Vcc端子相对于地的最大电压。TTL的最大电源电压为5.5V,HCMOS的最大电源电压为6V。

    输入电压(VIN):可安全施加到振荡器任何输入端的最大电压。

    输出高电压(VOH):正常负载下振荡器输出端的最小电压。

    输出低电压(VOL):适当负载下振荡器输出端的最大电压。

    电源电流(Icc):流入Vcc端子的电流相对于地。典型的电源电流在无负载情况下测量

    对称或占空比:输出波形在特定电平(TTL为1.4V,HCMOS为1 / 2Vcc或ECL为1/2波形峰值电平)时的对称性。

    SYM = TH / T×100(%); 参见图1。

    上升时间(Tr):在指定电平(HCMOS,ECL为20%至80%,TTL为0.4V至2.4V)下,从低电平到高电平转换的波形上升时间。

    下降时间(Tf):在特定电平(HCMOS,ECL为80%至20%,TTL为2.4V至0.4V)下测量的从高电平到低电平转换的波形下降时间。MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振TH-6 890

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