M1253晶振,3225蓝牙晶振

当前位置：首页 » 石英晶振 » MTRONPTI晶振 » MTRONPTI晶振,贴片晶振,M1253晶振,3225蓝牙晶振

prevnext

MTRONPTI晶振,贴片晶振,M1253晶振,3225蓝牙晶振

频率：12-54MHZ

尺寸：2.5 x 3.2 x 0.8 mm

低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

咨询热线：0755-27872782

相关产品说明下载PDF资料

MTRONPTI晶振,贴片晶振,M1253晶振,3225蓝牙晶振， MtronPTI于1965年成立于雷达，为高可靠性/高性能应用设计和制造定制RF和微波解决方案。2004年成立，由M-tron Industries，Inc.收购Piezo Technology，Inc. MtronPTI是LGL Group，Inc.的全资子公司。

2014年 - 开关滤波器，V和E波段波导滤波器，仪器OCXO

更宽的频率范围，更低的漂移，更低的g灵敏度以及添加两条新产品线：固态功率放大器至20 GHz以及毫米波滤波器至90 GHz

2013 - M618x 3.2 x 5.0mm Stratum 3 TCXO晶振

2012 - AS9100 Rev C认证

2012年 - 100MHz低噪声OCXO

适用于仪器仪表，点对点或点对多点微波以及雷达应用的XO5085系列100MHz低相位噪声OCXO。

2012年 - 数字RF线 - 数字调谐滤波器

用于数字无线电，软件无线电，认知无线电的数字调谐滤波器...具有更高的可靠性，更大的覆盖范围和更高的数据容量。

2010年 - 上海销售和服务办公室

本地市场和全球制造基地的销售客户服务中心。

2009年 - GPS纪律振荡器

M9107是一款非常小巧的设备，专为满足军事环境要求，定时系统需求（包括保持时间）而设计，非常适合手提包，车载和机载应用。

2009年 - M2052系列井下钻井XO - 至200°C

2007 - 腔体滤波器

空腔滤波器有1 GHz 300瓦至26极双工器至7 GHz空间以及介质负载滤波器。

2007 - M610 Stratum 3 TCXO

2007 - 用于军事和航空电子设备的QPL MIL-PRF-55310振荡器

作为军用和航空电子市场扩展的一部分引入的MIL-PRF-55310振荡器的QPL（合格产品列表）：通信，雷达和仪器应用。

2006年 - QiK芯片振荡器和VCXO的1.4GHz

为通信和商业应用推出高性能振荡器和VCXO产品。专有技术为行业领先的快速原型和生产响应时间。

2003年 - 在荷兰埃因霍温的欧洲销售办事处

2002年 - 收购冠军 - 业界领先的VCXO技术，MTRONPTI晶振,贴片晶振,M1253晶振,3225蓝牙晶振 TH-1 890

超小型石英晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内，由于晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动，面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强，从而造成如若晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致晶片不能正常工作，从而导致产品在客户端不能正常使用，研发及生产超小型石英晶体元器件完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题，公司在此方面通过理论与实践相结合，模拟出一整套此晶片设计的计算机程序，该程序晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果。超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分。

低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.MTRONPTI晶振,贴片晶振,M1253晶振,3225蓝牙晶振 TH-2 890

MTRONPTI晶振规格	单位	M1253晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12-54MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C to +125°C	裸存
工作温度	T_use	-20°C to +70°C	标准温度
激励功率	DL	100.0μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±50 × 10^-6/25°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	18PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

M1253 3225 4P

TH-4 890

存储事项，MTRONPTI晶振,贴片晶振,M1253晶振,3225蓝牙晶振

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。

正常温度和湿度：

温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

安装时注意事项

耐焊性

加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。

（1）柱面式产品和DIP产品

型号焊接条件

[ 柱面式 ]

C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s

请勿加热封装材料超过+150°C

[ 柱面式 ] CA-301

[ DIP ]

SG-51 / 531, SG-8002DB DC,

RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD产品回流焊接条件（实例）

用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。