MMCC-2晶振,32.768KHZ晶体

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MTRONPTI晶振,石英晶振,MMCC-2晶振,32.768KHZ晶体

频率：32.768KHZ

尺寸：6.1*2.1mm

泰河电子公司主要生产的32.768K音叉型石英晶体谐振器产品具有以下几种规格，∅3*8，∅2*6，我公司所有材料均是来自日本进口，封装测试设备采用日本精工仪器设备，并且从日本聘请高级技术工程师，我司所生产的32.768K晶体具有一致性良好，频率稳定度高，耐抗震强，每批次出厂均采用24小时老化测试，产品精度分为以下几种±20ppm，±10ppm，±5ppm

咨询热线：0755-27872782

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MTRONPTI晶振,石英晶振,MMCC-2晶振,32.768KHZ晶体， 1995年 - 印度 - 亚洲制造业务

1995年 - 用于OC-48和OC-192 SONET网络的小型封装VCXO晶振

1993年 - ISO-9001认证 - 首家美国晶体和振荡器制造商

今天的MtronPTI在所有地点均通过ISO9001：2008认证，并且今天继续管理严格的质量控制体系。MtronPTI还拥有AS9100 Rev C认证流程，并继续改善质量，加快流程，并在业务的各个方面管理需求流技术，以便在规定的正确时间交付正确的产品。

1993年 - 香港办事处开幕

1990年 - 表面安装防水LC滤波器

MtronPTI集总元件（LC）滤波器允许真正的表面安装防洗组件。焊料密封或激光焊接的周边可防止在电路板前期和后期清洗期间或之后的性能变化，从而实现高电路板级初始产量和可靠的性能。

1990年 - 首个VCXO

1987年 - Champion Technologies - 管理层收购

摩托罗拉外部变频控制设备业务

1985年 - 业界第一：超过1 GHz的化学铣晶体谐振器

1980年 - 战术微型晶体振荡器

1973年 - 首个单片晶体滤光片在太空中

1967年 - 用于军用和航空电子的QPL MIL-PRF-55310晶体

1965年 - 用于无线电和雷达的单片石英晶体滤波器和晶体谐振器。

MtronPTI拥有超过150,000平方英尺的三个制造和设计设施：Yankton，SD; 奥兰多，FL; 和印度诺伊达。

MtronPTI的香港子公司M-tron Industries Limited担任采购代理，区域仓库，质量控制和销售代表。

MtronPTI拥有十个支持站点，三十家代表性公司，全球化的足迹以及通过网络直接连接到工程设计的桌面，位于实验室附近，靠近工厂。MTRONPTI晶振,石英晶振,MMCC-2晶振,32.768KHZ晶体 TH-1 890

我公司所生产的音叉石英晶振具有电阻小，高低温稳定性能变化不大，在恶劣环境中均能保持正常工作，精度性能优越等特点，主要采用了高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。

泰河电子公司主要生产的32.768K音叉型石英晶体谐振器产品具有以下几种规格，∅3*8，∅2*6，我公司所有材料均是来自日本进口，封装测试设备采用日本精工仪器设备，并且从日本聘请高级技术工程师，我司所生产的32.768K晶体具有一致性良好，频率稳定度高，耐抗震强，每批次出厂均采用24小时老化测试，产品精度分为以下几种±20ppm，±10ppm，±5ppm，也可以根据客户需求特殊分为+偏差，或者-偏差，产品使用温度高温可达到+70°低温可达到-40°产品被广泛应用到比较高端的汽车电子产品，民用产品有家用电器，智能笔记本，MP3，MP4多功能播放器，智能手表等产品。MTRONPTI晶振,石英晶振,MMCC-2晶振,32.768KHZ晶体 TH-2 890

MTRONPTI晶振规格	单位	MMCC-2晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C to +85°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C to +70°C	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/25°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年