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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEH晶振,进口低抖动晶体振荡器频率：80 MHz - 170 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEH晶振,进口低抖动晶体振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 80 MHz - 170 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCD晶振,SG-210SCD 62.5000ML3晶振频率：50 MHz - 80 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCD晶振,SG-210SCD 62.5000ML3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 50 MHz - 80 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 7.0 mA Max. (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDD晶振,SG-210SDD 50.0000MB5晶振频率：50 MHz - 80 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDD晶振,SG-210SDD 50.0000MB5晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 50 MHz - 80 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 7.0 mA Max. (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振频率：50 MHz - 80 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 50 MHz - 80 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 7.0 mA Max. (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器频率：2 MHz - 60 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 车载用
频率范围: 2 MHz - 60 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: +105 °C - +125 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDBA晶振,车载普通有源晶振频率：2 MHz - 60 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDBA晶振,车载普通有源晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 车载用
频率范围: 2 MHz - 60 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: +105 °C - +125 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEBA晶振,CMOS汽车电子振荡器频率：2 MHz - 60 MHz尺寸：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEBA晶振,CMOS汽车电子振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 车载用
频率范围: 2 MHz - 60 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围: +105 °C - +125 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CCN晶振,SG7050CCN 8.000000M-HJGA3晶振频率：2.5 MHz - 50 MHz尺寸：7.0 × 5.0 × 1.3 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CCN晶振,SG7050CCN 8.000000M-HJGA3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.5 MHz - 50 MHz
电源电压: 4.5 V - 5.5 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.3 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CCN晶振,SG5032CCN 18.432000M-HJGA3晶振频率：2.5 MHz - 50 MHz尺寸：5.0 × 3.2 × 1.1 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CCN晶振,SG5032CCN 18.432000M-HJGA3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.5 MHz - 50 MHz
电源电压: 4.5 V - 5.5 V Typ.
外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CBN晶振,SG7050CBN 156.250000M-TJGA3晶振频率：80 MHz - 170 MHz尺寸：7.0 × 5.0 × 1.3 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CBN晶振,SG7050CBN 156.250000M-TJGA3晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 80 MHz - 170 MHz
电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.3 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CBN晶振,SPXO有源晶振,SG5032CBN 125.000000M-TJGA3频率：80 MHz - 170 MHz尺寸：5.0 × 3.2 × 1.1 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CBN晶振,SPXO有源晶振
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 80 MHz - 170 MHz
电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.
外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CAN晶振,低频7050晶体振荡器,SG7050CAN 30.000000M-TJGA3频率：1.0 MHz - 75 MHz尺寸：7.0 × 5.0 × 1.3 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CAN晶振,低频7050晶体振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 75 MHz
电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.3 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CAN晶振,基频模式振荡器,SG5032CAN 12.000000M-TJGA3频率：1.0 MHz - 75 MHz尺寸：5.0 × 3.2 × 1.1 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CAN晶振,普通有源晶体振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 75 MHz
电源电压: 1.8 V - 3.6V Typ.
外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm
功能：待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +105 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振,普通有源晶体振荡器频率：1.2 MHz - 75 MHz尺寸：2.0 × 1.6 × 0.7 mm
爱普生晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振,普通有源晶体振荡器
晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1.2 MHz - 75 MHz
电源电压: 1.8 V - 3.3 V Typ.
外部尺寸规格: 2.0 × 1.6 × 0.7 mm
功能：??待机( ST )
工作温度范围：-40 °C - +125 °C
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MTI-MILLIREN晶振,贴片晶振,403晶振,大体积低频有源晶振频率：1.25 MHz - 40 MHz尺寸：11.4*9.6*5.0mm,11.4*9.6*2.5mm
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术，晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内，确保TCXO晶体产品精度，稳定性能良好发挥功能。
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MTI-MILLIREN晶振,贴片晶振,404晶振,低电源电压7050晶体振荡器频率：10 MHz - 27 MHz尺寸：7.0*5.0*1.9mm
7050mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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MTI-MILLIREN晶振,贴片晶振,405晶振,5.0*3.2mm美国进口TCXO晶振频率：10 MHz - 40 MHz尺寸：5.0*3.2*1.2mm
有源石英晶振，无论是温补晶体也好，压控晶振也罢，产品均采用了，离子刻蚀调频技术，比目前一般使用的真空蒸镀方式调频，主要在产品参数有以下提升：１.微调后调整频率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升；３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内
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MTI-MILLIREN晶振,贴片晶振,406晶振,低功耗进口温补晶体振荡器频率：10 MHz - 52 MHz尺寸：3.2*2.5*1.0mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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MTI-MILLIREN晶振,贴片晶振,407晶振,小体积2520有源晶振频率：10 MHz - 52 MHz尺寸：2.5*2.0*0.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振频率：13.5MHz-312.5MＨz尺寸：7.0*5.0*1.7mm
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-526晶振,FPO-536晶振频率：25.00MHz-250.00MHz尺寸：5.0*3.2*1.2mm
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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