IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振,可编程晶体振荡器

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IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振,可编程晶体振荡器

频率：15.476-866.67MHz,975-1300MHz

尺寸：7.0*5.0*1.55mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅

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Integrated Device Technology, Inc.（以下简称IDT晶振集团）,成立于1980年公司发展在各地均设有分公司,全球人员大概在2000左右,总部位于加州圣何塞市主要开发优化客户应用的系统级解决方案.

IDT晶振集团在RF、高性能定时、存储接口、实时互联、光互联、无线电源及智能传感器方面的市场导向型产品,是该公司一系列广泛的通信、计算、消费、汽车和工业领域混合信号完整解决方案的一部分.IDT的设计、生产、销售场所和经销合作伙伴遍及全世界,主要生产晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器,（PXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温度补偿晶振,压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体等元器件.IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振,可编程晶体振荡器
TH-1 890

IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振,可编程晶体振荡器，石英晶体振荡器在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术，使用IC与晶片设计匹配技术：是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性，必须考虑振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振,可编程晶体振荡器

贴片有源晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一；IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振,可编程晶体振荡器

TH-2 890

型号		8N4Q001晶振 (XO晶振)
输出频率范围		15.476-866.67MHz,975-1300MHz
电源电压范围		2.5 to 3.3V
电源电压（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待机时电流		-
输出电压		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定度	常温偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	温度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	电源电压特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	负载变化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	长期变化	±1.0×10^-6 max./year
频率控制	控制灵敏度	±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	频率控制极性	正极性