Golledge晶振,压电石英晶体,CM8V晶振
频率:32.768KHz
尺寸:2.0*1.2*0.6mm
自从我们在1990年成立以来,golledge电子取得了前所未有的成功。经过多年的不断增长,我们现在是英国最主要的石英晶体谐振器产品供应商。这种增长是通过保持我们的专注于我们的客户的要求,并通过努力始终满足和超越他们实现的。使我们与其他供应商分开的是我们人民的经验和能力。我们的业务团队是业界最有经验和最了解的之一,使我们能够提供我们的客户友好,专业的建议和一个非常有效的服务。
我们的产品广泛应用于电子工业,包括电信、卫星、微处理器、航空航天、汽车、仪器和医疗应用。golledge是英国发展最快的频率产品供应商。我们在竞争激烈的市场上继续成功是对我们的产品质量和出色的服务的敬意。我们的理念是以贴片晶振产品和服务的质量和一致性为基础的。我们致力于为业界提供最高的服务质量。我们的持续增长和极高的客户保留水平是这一承诺的证据。2012千赫兹晶体,耐高温32.768K晶振,CM8V晶振
Golledge晶振,压电石英晶体,CM8V晶振.32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.
高利奇贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。
|
golledge晶振 |
单位 |
CM8V晶振 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
32.768KHz |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-40°C ~+125°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
0.5μW Max. |
推荐:0.5μW ~ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-40°C ~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
4pF ~12.5pF |
不同负载要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +125°C, DL = 0.5μW |
|
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。2012千赫兹晶体,耐高温32.768K晶振,CM8V晶振
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致音叉晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。Golledge晶振,压电石英晶体,CM8V晶振
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致时钟晶体振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
Golledge高利奇晶振集团保持就健康安全环境问题与临近摄取进行对话.通过在环境控制方面实施优秀的管理实践,以保护环境和全球运作相关的自然资源.向员工灌输环境价值观,在所有的晶振,2012贴片晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器产品和生产过程中应用最佳环境实用技术,为全球可持续发展做出贡献.
所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规.为促进合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系.
Golledge晶振遵守所有适用的有关环境、健康和安全的法律和法规,以及公司自己的有关环境、工业卫生和安全的方针和承诺.Golledge晶振,压电石英晶体,CM8V晶振
Golledge石英晶振环保环境与发展对策:实行可持续发展战略.采取有效措施,防治工业污染.提高能源利用效率,改善能源结构.运用经济手段保护时钟晶体谐振器生产环境.大力推进科技进步,加强环境科学研究,积极发展环境保护产业.
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