DSB222MAA晶振,温补手机晶振

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KDS晶振,贴片晶振,DSB222MAA晶振,温补手机晶振

频率：13-52MHz

尺寸：2.5*2.0*0.7mm

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

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我们对KDS晶振公司的管理政策、管理原则和管理措施有正确的认识，并本着KDS晶振公司和全社会的利益，不关心个人的利益和成本。

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我们会不时与有关人士进行讨论，如有需要，以方便谈判的调整，并将建立良好的关系，试图解决任何问题的诚意。KDS晶振,贴片晶振,DSB222MAA晶振,温补手机晶振 TH-1 890

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..KDS晶振,贴片晶振,DSB222MAA晶振,温补手机晶振 TH-2 890

KDS晶振规格	单位	DSB222MAA晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	13-52MHz	标准频率
储存温度	T_stg	−40-＋125℃	裸存
工作温度	T_use	−30-＋85℃	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20×10−6(at 25℃）	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±100×10−6/−40～+125℃ (Ref. to 25℃ )	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF, 10pF, 12pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年