DSB321SCL晶振,低消耗晶振,1XTW12288FAB

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KDS晶振,贴片晶振,DSB321SCL晶振,低消耗晶振,1XTW12288FAB

频率：9.6-52MHZ

尺寸：3.2*2.5*0.9mm

小体积有源石英晶体振荡器，"1XTW12288FAB"在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

咨询热线：0755-27872782

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KDS晶振,贴片晶振,DSB321SCL晶振,低消耗晶振。"1XTW12288FAB",1987名古屋办事处开业。开始生产温补晶振（TCXO）和压控晶体振荡器（VCXO）。

1988建立大真空（新加坡）有限公司加强在东盟地区销售。

1989更改公司名称大真空第三十周年。建立了PT。KDS晶振印度尼西亚启动海外生产石英晶体谐振器。

1990-1991大阪证券交易所第一节上市。建立大真空晶振（德国）公司加强在欧洲的销售。

1993建立了天津公司开始海外生产音叉晶振，石英晶体谐振器，石英晶体振荡器,陶瓷晶振,32.768K晶振,时钟晶振,压电石英晶振。

1996获得ISO9001（国际标准化组织质量管理标准）。

1998（获得QS9000质量标准/汽车质量保证管理体系。）

2000获得ISO14001（环境管理体系由国际标准化组织），获得ISO / TS 16949（技术规范由国际标准化组织）。

2003加大天津加工厂面积，扩大石英晶振生产规模，加强石英晶振在中国的销售。成立上海锐致国际贸易有限公司，以和谐电子公司为我公司的综合子公司。加强石英晶振，压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶振（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等器件业务。

2010建立大真空（泰国）有限公司。

2012扩大在加古川市中央实验室的地板尺寸。

2013东京证券交易所第一节上市。KDS晶振,贴片晶振,DSB321SCL晶振,低消耗晶振,"1XTW12288FAB" TH-1 890

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术

1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；

2.使组件在真空下电阻减小；

3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..KDS晶振,贴片晶振,DSB321SCL晶振,低消耗晶振,"1XTW12288FAB" TH-2 890

KDS晶振规格	单位	DSB321SCL晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	9.6-52MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	−40-＋125℃	裸存
工作温度	T_use	−30-＋85℃	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20×10−6(at 25℃）	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±100×10−6/−40～+125℃ (Ref. to 25℃ )	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF, 10pF, 12pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年