ECS-SDR1-3150晶振,ECS-SDR1-4180晶振,ECS-SDR1-4339晶振

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ECS晶振,声表面滤波器,ECS-SDR1-3150晶振,ECS-SDR1-4180晶振,ECS-SDR1-4339晶振

频率：315MHz,418MHz,433.92MHz

尺寸：5.0*5.0*1.0mm

高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态

咨询热线：0755-27872782

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ECS晶振,声表面滤波器,ECS-SDR1-3150晶振,ECS-SDR1-4180晶振,ECS-SDR1-4339晶振， ECS Inc集团拥有顶尖人才和技术,以及创新的产品开发理念,使其能够解决复杂的客户问题.石英晶振,贴片晶振,有源晶振,压电水晶的批量生产在日本、中国、台湾和韩国的世界级认证的制造设施.内部检测和测试确保所有产品达到或超过ECS公司的质量保证标准.这些制造地点拥有最严格的质量管理认证,开始于ISO 9001 / 2008、同位素的ISO14001和AECQ产品的国际组织.

工作理念：

ECS Inc.晶振集团成为市场领导者提供创新、先进的压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体频率控制组件解决方案到电信、工业、公用事业、导航、汽车、电子、航空航天和医疗与一流的制造行业的基于石英晶体/过滤器,时钟振荡器、陶瓷谐振器/过滤器和其他基于压电的产品.ECS inc .以迅速扩大的市场部门的多元化产品基础,热情关注客户和市场趋势,调动企业的力量,为世界各地的客户提供一贯的卓越服务.

ECS Inc国际晶振集团符合世界各地对于石英晶体,贴片晶振,有源晶振,晶体振荡器等产品要求的所有标准.质量符合国际标准体现了在商业实践和产品方面的卓越品质.ECS Inc晶振不仅要让客户满意并且要超越客户所期望的.激励鼓励全体员工通过激发创造力、主动性和责任感来促进大家做更有意义的事.通过持续改进集成业务流程,以实现系统的有效性、效率和灵活性.ECS晶振,声表面滤波器,ECS-SDR1-3150晶振,ECS-SDR1-4180晶振,ECS-SDR1-4339晶振

TH-1 890

高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使贴片晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态

小型贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片的抛光工艺技术，是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良。,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.ECS晶振,声表面滤波器,ECS-SDR1-3150晶振,ECS-SDR1-4180晶振,ECS-SDR1-4339晶振 TH-2 890

ECSInc晶振规格	单位	ECS-SDR1-3150晶振,ECS-SDR1-4180晶振,ECS-SDR1-4339晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	315MHz,418MHz,433.92MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +80°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C ～ +60°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年