GAO-3201晶振,CMOS输出千赫晶振

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Golledge晶振,贴片晶振,GAO-3201晶振,CMOS输出千赫晶振

频率：32.768kHz

尺寸：2.5*2.0*0.8mm

我公司具体解决的办法是使用高速倒边方式，通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理。

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Golledge晶振,贴片晶振,GAO-3201晶振,CMOS输出千赫晶振，高利奇晶振的理念始终是以产品质量和服务的一致性为基础的.多年来,我们一直努力保持我们的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器在频率控制市场的最前沿.我们非常重视与我们的生产伙伴建立的关系,每一个都精心挑选,以满足他们对客户服务和产品质量标准的承诺.

我们能够支持客户最复杂和最苛刻的需求.让我们有别于其他石英晶振晶体供应商是我们的员工的经验和能力.我们的业务团队是行业中经验最丰富、知识最丰富的团队之一,能够为客户提供友好、专业的建议和高效的服务. TH-1 890

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

我公司具体解决的办法是使用高速倒边方式，通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理。Golledge晶振,贴片晶振,GAO-3201晶振,CMOS输出千赫晶振 TH-2 890

golledge晶振	单位	GAO-3201晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768kHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55 to +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40 to +85°C	标准温度
激励功率	DL	0.5μW Max.	推荐:0.5μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20 × 10-6 (标准), (±20× 10-6 , ±100 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-40°C ~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	4pF ~12.5pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 0.5μW
频率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年