GOXO-149晶振,LVCMOS输出晶振

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Golledge晶振,贴片晶振,GOXO-149晶振,LVCMOS输出晶振

频率：10.0-80.0MHz

尺寸：14.1*9.1*6.85mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

咨询热线：0755-27872782

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Golledge晶振,贴片晶振,GOXO-149晶振,LVCMOS输出晶振，高利奇晶振的理念始终是以产品质量和服务的一致性为基础的.多年来,我们一直努力保持我们的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器在频率控制市场的最前沿.我们非常重视与我们的生产伙伴建立的关系,每一个都精心挑选,以满足他们对客户服务和产品质量标准的承诺.

我们能够支持客户最复杂和最苛刻的需求.让我们有别于其他石英晶振晶体供应商是我们的员工的经验和能力.我们的业务团队是行业中经验最丰富、知识最丰富的团队之一,能够为客户提供友好、专业的建议和高效的服务.Golledge晶振,贴片晶振,GOXO-149晶振,LVCMOS输出晶振 TH-1 890

有源石英晶振，无论是温补晶体也好，压控晶振也罢，产品均采用了，离子刻蚀调频技术，比目前一般使用的真空蒸镀方式调频，主要在产品参数有以下提升：

１.微调后调整频率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；

２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升；

３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.Golledge晶振,贴片晶振,GOXO-149晶振,LVCMOS输出晶振 TH-2 890

golledge晶振	单位	GOXO-149晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	10.0-80.0MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55 to +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40 to +85°C	标准温度
激励功率	DL	0.5μW Max.	推荐:0.5μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20 × 10-6 (标准), (±20× 10-6 , ±100 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-40°C ~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	4pF ~12.5pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 0.5μW
频率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年