GVXO-52晶振,7550压控晶振

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Golledge晶振,贴片晶振,GVXO-52晶振,7550压控晶振

频率：12.0-800MHz

尺寸：7.5*5.2*1.6mm

那么贴片晶振产品的点击又是怎么回事呢？产品的电极对于晶体来讲，主要是，改变频率，往外引出电极，改变阻抗，去掉杂波，贴片晶体的晶片有镀金镀银等区别，各项镀层也会对产品的频率发生一定的改变，因此电极的设计会使晶振的精度产生更高的要求。

咨询热线：0755-27872782

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Golledge晶振,贴片晶振,GVXO-52晶振,7550压控晶振，高利奇晶振的理念始终是以产品质量和服务的一致性为基础的.多年来,我们一直努力保持我们的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器在频率控制市场的最前沿.我们非常重视与我们的生产伙伴建立的关系,每一个都精心挑选,以满足他们对客户服务和产品质量标准的承诺.

我们能够支持客户最复杂和最苛刻的需求.让我们有别于其他石英晶振晶体供应商是我们的员工的经验和能力.我们的业务团队是行业中经验最丰富、知识最丰富的团队之一,能够为客户提供友好、专业的建议和高效的服务. TH-1 890

贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器（偏差大）和普通的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.Golledge晶振,贴片晶振,GVXO-52晶振,7550压控晶振 TH-2 890

golledge晶振	单位	GVXO-52晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12.0-800MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40 to +90°C	裸存
工作温度	T_use	-20 to +60°C	标准温度
激励功率	DL	0.5μW Max.	推荐:0.5μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20 × 10-6 (标准), (±20× 10-6 , ±100 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-40°C ~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	4pF ~12.5pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 0.5μW
频率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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gvxo52 7550 VCXO

存储事项，Golledge晶振,贴片晶振,GVXO-52晶振,7550压控晶振

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。

正常温度和湿度：

温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

安装时注意事项

耐焊性

加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD晶体产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。

?（1）柱面式产品和DIP产品

型号焊接条件

[ 柱面式 ]

C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s

请勿加热封装材料超过+150°C

[ 柱面式 ]

CA-301

[ DIP ]

SG-51 / 531, SG-8002DB DC,

RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD晶振产品回流焊接条件（实例）