MC2016K晶振,MC2016K25.0000C16ESH晶振

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京瓷晶振,贴片晶振,MC2016K晶振,MC2016K25.0000C16ESH晶振

频率：1.5-80MHz

尺寸：2.0*1.6*0.8mm

高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态

咨询热线：0755-27872782

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京瓷晶振,贴片晶振,MC2016K晶振,MC2016K25.0000C16ESH晶振。为打造能让客户满意的质量，京瓷晶振集团制定了“京瓷晶振质量方针”。所有业务均根据该京瓷晶振品质方针来开展，力争成为全球信赖的企业。另外，从计划阶段着手，致力于为客户提供满意的产品。

京瓷晶振质量方针：

1.优先考虑地球环境与产品安全。

2.坚持客户第一原则，提供富有魅力的产品与服务。

3.从最初开始，正确地工作，成为全球质量领军企业。 TH-1 890

高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使京瓷石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态

小型石英贴片晶振主要采用了，先进的晶片的抛光工艺技术，是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良。,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.京瓷晶振,贴片晶振,MC2016K晶振,MC2016K25.0000C16ESH晶振 TH-2 890

Kyocera晶振规格	单位	MC2016K晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	1.5-80MHz	标准频率
储存温度	T_stg	−40-＋85℃	裸存
工作温度	T_use	−10-＋70℃	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20×10−6(at 25℃）	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±100×10−6/−40～+125℃ (Ref. to 25℃ )	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF, 10pF, 12pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

clock_mc_2.0_1.6_2.5_2.0_3.2_2.5_5.0_3.2_7_5

TH-4 890

石英晶振存储事项，京瓷晶振,贴片晶振,MC2016K晶振,MC2016K25.0000C16ESH晶振

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。

正常温度和湿度：

温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

安装时注意事项

耐焊性

加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。

?（1）音叉晶振柱面式产品和DIP产品

型号焊接条件

[ 柱面式 ]

C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s

请勿加热封装材料超过+150°C

[ 柱面式 ]

CA-301

[ DIP ]

SG-51 / 531, SG-8002DB DC,

RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD晶振产品回流焊接条件（实例）