SG-8101CB晶振,EPSON可编程晶振,高频CMOS输出振荡器

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8101CB晶振,EPSON可编程晶振

频率：0.67 MHz - 170 MHz

尺寸：5.0*3.2*1.1mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8101CB晶振,EPSON可编程晶振

晶体振荡器 (可编程) 输出:CMOS

频率范围: 0.67 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.62 V - 3.63V

外部尺寸规格: 5.0*3.2*1.1mm

功能：使能( OE ) 或待机( ST )

工作温度范围: -40 °C - +85 °C

咨询热线：0755-27872782

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爱普生晶振公司已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 32.768K石英晶振,温补晶振等出售给我们的客户.爱普生晶振,贴片晶振,SG-8101CB晶振,EPSON可编程晶振

爱普生CMOS晶振公司加强人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,利用信息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的愿景.视野下就像我提到的,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的时代,事物和信息,这样我相信我们可以成为不可或缺的公司为我们的客户和社会. TH-1 890

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8101CB晶振,EPSON可编程晶振,小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术，晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内，确保TCXO晶体产品精度，稳定性能良好发挥功能。压控温补晶振系列，VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术：晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。

VCXO压控晶振输出波形和参数：VCXO压控晶振输出波形即参数与普通石英晶体振荡器OSC输出波形和参数基本一样。VCXO压控晶振线性度，VCXO压控晶振线性度有两种表示方法：分别为：百分比 %、单位电压频率变化量PPM / Volt。通常客户要求的指标为%，VCXO压控晶振三态Tri-state（enable/disabled）：VCXO压控晶振也具有三态功能Tri-state（enable/disabled），在DIP VCXO压控晶振中由于只有4 个引脚，所以没有Tri-state功能，在PCB VCXO、SMD VCXO 中具有Tri-state功能，此功能为2# 引脚。（曾经也有客户提出5 #为三态控制脚）。常规有源晶振基座均可满足。
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爱普生晶振	单位	SG-8101CB晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	0.67 MHz - 170 MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40 °C - +125 °C	裸存
工作温度	T_use	-40 °C - +85 °C	标准温度
激励功率	DL	0.5μW(1.0μW Max.)	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	B: ±15 ×10-6 C: ±20 × 10-6 J: ±50 ×10-6	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±15 ×10-6/-40 °C -+85 °C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	15 pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	70ΚΩ Max.
频率老化	f_age	±3 X 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

SG-8101CA CB CE CG CMOS

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存储事项，爱普生晶振,贴片晶振,SG-8101CB晶振,EPSON可编程晶振

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。

正常温度和湿度：

温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

安装时注意事项

耐焊性

加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。

（1）柱面式产品和DIP产品

型号焊接条件

[ 柱面式 ] C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s

请勿加热封装材料超过+150°C

[ 柱面式 ] CA-301 [ DIP ] SG-51 / 531, SG-8002DB DC,RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD产品回流焊接条件（实例）

用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。

尽可能使温度变化曲线保持平滑。爱普生晶振,贴片晶振,SG-8101CB晶振,EPSON可编程晶振 TH-5 890