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石英晶振适用于通信设备,计数器,电子表等
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ABRACON晶振,贴片晶振,ABFM晶振,光纤通道晶振

ABRACON晶振,贴片晶振,ABFM晶振,光纤通道晶振频率:30-280MHZ尺寸:7.0 x 5.0 x 1.8mm

小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。

Sitime晶振,贴片晶振,SiT9103晶振,千兆以太网晶振

Sitime晶振,贴片晶振,SiT9103晶振,千兆以太网晶振频率:1-800 MHz尺寸:7.0*5.0*0.9mm

有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

Sitime晶振,贴片晶振,SiT2001B晶振,高温应用晶振

Sitime晶振,贴片晶振,SiT2001B晶振,高温应用晶振频率:1-110 MHz尺寸:2.9*2.8*1.25mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,VLB7晶振,LVDS VCXO晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,VLB7晶振,LVDS VCXO晶振频率:10.9 - 670 MHz尺寸:13.97*9.65*4.5mm

有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

PLETRONICS晶振,贴片晶振,VHD6晶振,压电控制型差分晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,VHD6晶振,压电控制型差分晶振频率:10 - 108 MHZ尺寸:5.0*3.2*1.35mm

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,VHA6晶振,CMOS输出压控晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,VHA6晶振,CMOS输出压控晶振频率:1.7 - 108 MHz尺寸:7.0*5.0*1.87mm

SMD晶体3225mm尺寸,2520mm,2016mm等尺寸,在生产工艺上采用了高精密点胶技术:晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,TCD3晶振,电信传输晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,TCD3晶振,电信传输晶振频率:8.192-40MHZ尺寸:5.0*3.2*1.5mm

5032尺寸贴片晶振系列,在生产时就得对每项生产工艺严格把关,对每项参数做到标准检测,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。
PLETRONICS晶振,贴片晶振,TCA4晶振,全球定位系统晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,TCA4晶振,全球定位系统晶振频率:10-40MHZ尺寸:7.0*5.0*2.65mm

我公司具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,SM55G晶振,5032普通有源晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,SM55G晶振,5032普通有源晶振频率:0.8 - 165 MHz尺寸:5.0*3.2*1.15mm

小尺寸的贴片石英晶振,目前生产上采用了高技术的封装模式,光刻石英晶片技术,并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,SM33T晶振,差分晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,SM33T晶振,差分晶振频率:0.75 - 50 MHZ尺寸:2.5*2.0*1.0mm

无论是3225mm尺寸或者是2520mm尺寸的贴片石英晶振,内部的石英晶片,研磨镀层等技术,均需要采用机器设备运行,那么尺寸如此之小的晶体内部的晶片又是怎样处理的呢?首先,通过滚筒倒边,主要是为了去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,S3880晶振,3215有源晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,S3880晶振,3215有源晶振频率:32.768KHZ尺寸:3.2*1.5*1.0mm

插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,由于贴片形音叉晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE96晶振,FR4底座晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE96晶振,FR4底座晶振频率:10.9-1,175 MHZ尺寸:9.04*8.23*3.21mm

高精度的石英晶体谐振器,是需要在生产前期的各道工序就得采用严格的标准,比如电阻的测量技术:引进一批先进的检测仪器,准确度达到±1ppm(国标标准)。在测量应用上制定一套标准的测量方法保证测量的准确性、仪器的精度、测试的一致性。如下方面都会对测量结果带来影响:1、测试针本身连接的可靠性;2、测试针同测试管的连接性;3、测试板同测试针的接触问题;4、测试座同电缆的连接;5、小负载的规格测量的规定;6、测试板π头上空测其C0(保留3位以上小数)7、测量环境、操作方法等管制。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE91晶振,兼容性PECL振荡器

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE91晶振,兼容性PECL振荡器频率:10.9-1,175 MHZ尺寸:9.65*13.97*2.49mm

我公司的SMD贴片晶振在生产晶片时,就采用了晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径晶片设计可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计( a、球面的余弦磨量; b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算)

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE77G晶振,7050耐高温晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE77G晶振,7050耐高温晶振频率:35-220MHz尺寸:7.0*5.0*1.7mm

贴片石英晶振7050mm尺寸系列,晶体内部采用了真空封装技术,是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE55D晶振,PECL输出晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE55D晶振,PECL输出晶振频率:40-325MHZ尺寸:5.0*3.2*1.35mm

6035mm5032mm4025mm贴片晶振系列,其产品晶体晶片采用了真空退火技术:高真空退火处理是消除在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,通过合理的真空退火技术可提高产品的主要参数的稳定性,提高产品的年老化特性。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE44F晶振,PECL时钟晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,PE44F晶振,PECL时钟晶振频率:13.5-110MHz尺寸:3.2*2.5*1.0mm

型表面贴片晶振,标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

PLETRONICS晶振,贴片晶振,NCF4晶振,基站晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,NCF4晶振,基站晶振频率:10-40MHZ尺寸:2.0 x 2.5 x 1.0 mm

那么贴片晶振产品的点击又是怎么回事呢?产品的电极对于晶体来讲,主要是,改变频率,往外引出电极,改变阻抗,去掉杂波,贴片晶体的晶片有镀金镀银等区别,各项镀层也会对产品的频率发生一定的改变,因此电极的设计会使晶振的精度产生更高的要求。

PLETRONICS晶振,贴片晶振,NCE4晶振,地震勘探用晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,NCE4晶振,地震勘探用晶振频率:10-40MHZ尺寸:2.5 x 3.2 x 1.0 mm

随着科技数码产品的小型化发展,晶体元件的尺寸也从最初的插件庞大体积演变成目前的多种规格SMD小尺寸趋势,目前晶体内部的石英晶片已经达到了+-0.002mm以内了,由于很多晶振厂家在生产小尺寸时所产生的问题

PLETRONICS晶振,贴片晶振,LV98晶振,SMD8090mm晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,LV98晶振,SMD8090mm晶振频率:10.9-670MHZ尺寸:9.04*8.23*3.21mm

低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

PLETRONICS晶振,贴片晶振,LV77D晶振,7050LVDS输出晶振

PLETRONICS晶振,贴片晶振,LV77D晶振,7050LVDS输出晶振频率:80-325MHZ尺寸:7.0*5.0*1.7mm

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态

京瓷晶振,贴片晶振,KC2520B晶振,KC2520B32K7680CM2E00晶振

京瓷晶振,贴片晶振,KC2520B晶振,KC2520B32K7680CM2E00晶振频率:32.768KHZ尺寸:2.5*2.0*0.7mm

温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30?85,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

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