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爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SCF晶振,SG-310SCF 25.0000MB3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SCF晶振,SG-310SCF 25.0000MB3晶振频率:2.000 MHz - 48.000 MHz尺寸:3.2 × 2.5 × 1.05 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SCF晶振,SG-310SCF 25.0000MB3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.000 MHz - 48.000 MHz

电源电压: 3.3 V Typ.    (2.7 V - 3.6 V)

电流消耗: 1.5 mA Typ.    (SEF1.8 V 无负载条件 48 MHz)

外部尺寸规格: 3.2 × 2.5 × 1.05 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C  - +85 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SDF晶振,SG-310SDF 48.0000MB3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SDF晶振,SG-310SDF 48.0000MB3晶振频率:2.000 MHz - 48.000 MHz尺寸:3.2 × 2.5 × 1.05 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SDF晶振,SG-310SDF 48.0000MB3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.000 MHz - 48.000 MHz

电源电压: 2.5 V Typ.    (2.2 V - 3.0 V)

电流消耗: 1.5 mA Typ.    (SEF1.8 V 无负载条件 48 MHz)

外部尺寸规格: 3.2 × 2.5 × 1.05 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C  - +85 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SEF晶振,SG-310SEF 27.0000MB3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SEF晶振,SG-310SEF 27.0000MB3晶振频率:2.000 MHz - 48.000 MHz尺寸:3.2 × 2.5 × 1.05 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SEF晶振,SG-310SEF 27.0000MB3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.000 MHz - 48.000 MHz

电源电压: 1.8 V V Typ.    (1.6 V - 2.2 V)

电流消耗: 1.5 mA Typ.    (SEF1.8 V 无负载条件 48 MHz)

外部尺寸规格: 3.2 × 2.5 × 1.05 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C  - +85 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SCE晶振,SG-211SCE 26.0000MT3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SCE晶振,SG-211SCE 26.0000MT3晶振频率:2.375 MHz - 60 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.7 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SCE晶振,SG-211SCE 26.0000MT3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.375 MHz - 60 MHz

电源电压: 2.5 V Typ.    (2.7 V - 3.63 V)

电流消耗: 1.2 mA Typ.    (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.7 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +90 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SDE晶振,SG-211SDE 54.0000MT3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SDE晶振,SG-211SDE 54.0000MT3晶振频率:2.375 MHz - 60 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.7 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SDE晶振,SG-211SDE 54.0000MT3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.375 MHz - 60 MHz

电源电压: 2.5 V Typ.    (2.2 V - 2.7 V)

电流消耗: 1.2 mA Typ.    (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.7 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +90 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 38.4000MT3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 38.4000MT3晶振频率:2.375 MHz - 60 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.7 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 38.4000MT3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.375 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ.    (1.6 V - 2.2 V)

电流消耗: 1.2 mA Typ.    (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.7 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +90 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210STF晶振,SG-210STF 24.0000ML0晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210STF晶振,SG-210STF 24.0000ML0晶振频率:1 MHz - 75 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG- 210STF晶振,SG-210STF 24.0000ML0晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 75 MHz

电源电压: 1.6 V - 3.6 V

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +105 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCB晶振,SG-210SCB 25.0000ML3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCB晶振,SG-210SCB 25.0000ML3晶振频率:2 MHz -60 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCB晶振,SG-210SCB 25.0000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDB晶振,SG-210SDB 48.0000ML3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDB晶振,SG-210SDB 48.0000ML3晶振频率:2 MHz -60 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDB晶振,SG-210SDB 48.0000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振,SG-210SEB 26.0000MF3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振,SG-210SEB 26.0000MF3晶振频率:2 MHz -60 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振,SG-210SEB 26.0000MF3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SGB晶振,SG-210SGB 19.2000ML3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SGB晶振,SG-210SGB 19.2000ML3晶振频率:2 MHz -32 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SGB晶振,SG-210SGB 19.2000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -32 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCH晶振,SG-210SCH 100.0000ML0晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCH晶振,SG-210SCH 100.0000ML0晶振频率:80 MHz - 170 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCH晶振,SG-210SCH 100.0000ML0晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 80 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDH晶振,EPSON普通有源晶振,SG-210SDH 100.0000ML0

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDH晶振,EPSON普通有源晶振,SG-210SDH 100.0000ML0频率:80 MHz - 170 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDH晶振,EPSON普通有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 80 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEH晶振,进口低抖动晶体振荡器

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEH晶振,进口低抖动晶体振荡器频率:80 MHz - 170 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEH晶振,进口低抖动晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 80 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCD晶振,SG-210SCD 62.5000ML3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCD晶振,SG-210SCD 62.5000ML3晶振频率:50 MHz - 80 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCD晶振,SG-210SCD 62.5000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 50 MHz - 80 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  7.0 mA Max.    (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDD晶振,SG-210SDD 50.0000MB5晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDD晶振,SG-210SDD 50.0000MB5晶振频率:50 MHz - 80 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDD晶振,SG-210SDD 50.0000MB5晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 50 MHz - 80 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  7.0 mA Max.    (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振频率:50 MHz - 80 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 50 MHz - 80 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  7.0 mA Max.    (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器频率:2 MHz - 60 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C



爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDBA晶振,车载普通有源晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDBA晶振,车载普通有源晶振频率:2 MHz - 60 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDBA晶振,车载普通有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C



爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEBA晶振,CMOS汽车电子振荡器

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEBA晶振,CMOS汽车电子振荡器频率:2 MHz - 60 MHz尺寸:2.5 × 2.0 × 0.8 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEBA晶振,CMOS汽车电子振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C



爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CCN晶振,SG7050CCN 8.000000M-HJGA3晶振

爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CCN晶振,SG7050CCN 8.000000M-HJGA3晶振频率:2.5 MHz - 50 MHz尺寸:7.0 × 5.0 × 1.3 mm

爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CCN晶振,SG7050CCN 8.000000M-HJGA3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS

频率范围: 2.5 MHz - 50 MHz

电源电压: 4.5 V - 5.5 V Typ.

外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.3 mm

功能:待机( ST )

工作温度范围:-40 °C - +105 °C



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