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501HCAM032768BAF,32.768kHz,5032mm,Si501,Silicon通用处理器晶振

频率:32.768KHz

尺寸:5.0x3.2mm

501HCAM032768BAF,32.768kHz,5032mm,Si501,Silicon通用处理器晶振美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si501系列晶振,编码为:501HCAM032768BAF,频率:32.768KHz,电压:1.7V-3.6V,频率稳定性:±20ppm,工作温度范围:-20℃至+70℃,小体积晶振尺寸:5.0x3.2mm封装,四脚贴片晶振,有源晶振,石英晶体振荡器。具有超小型,轻薄型,高精度,高性能,高品质等特点。应用程序:通用处理器,工业控制器,嵌入式控制器,机控制,流量控制,办公室/家庭自动化,IP摄像头/监控,显示和控制面板,户外电子设备,多功能打印机等。
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TH-1 890

501HCAM032768BAF,32.768kHz,5032mm,Si501,Silicon通用处理器晶振美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si501系列晶振,编码为:501HCAM032768BAF,频率:32.768KHz,电压:1.7V-3.6V,频率稳定性:±20ppm,工作温度范围:-20℃至+70℃,小体积晶振尺寸:5.0x3.2mm封装,四脚贴片晶振,有源晶振,石英晶体振荡器。具有超小型,轻薄型,高精度,高性能,高品质等特点。应用程序:通用处理器,工业控制器,嵌入式控制器,机控制,流量控制,办公室/家庭自动化,IP摄像头/监控,显示和控制面板,户外电子设备,多功能打印机等。
Si501 CMEMS振荡器系列为传统的石英晶体振荡器提供了单片的,基于mems的IC替代品。硅实验室的CMEMS技术将标准CMOS+MEMS结合在一个单片IC集成电路中,提供集成、高质量和高可靠性的振荡器。每个设备都经过工厂测试和配置,以保证其在电压、工艺、温度、冲击、振动和老化等方面的性能。

TH-2 890

501HCAM032768BAF,32.768kHz,5032mm,Si501,Silicon通用处理器晶振,参数表

品牌 Silicon晶振
型号 Si501
物料编码 501HCAM032768BAF
频率 32.768KHz
频率稳定性 ±20ppm
输出 CMOS MEMS
电源电压 1.7V-3.6V
工作温度  -20℃至+70℃
尺寸 5.0x3.2mm

TH-3 890

501HCAM032768BAF,32.768kHz,5032mm,Si501,Silicon通用处理器晶振,尺寸图

Si501,Si502,Si503尺寸5032

Si501,Si502,Si503

Si501 (2)

原厂代码 品牌 型号 频率 电压 频率稳定度
501AAA27M0000DAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000DAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JCA100M000CAG Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000BAG Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768BAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501BCAM032768DAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JAA24M0000DAF CMOS晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000CAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501AAA27M0000CAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000BAF Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA40M0000CAF Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501AAA24M0000BAF Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000CAF Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000BAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000BAF Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA25M0000BAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000BAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501AAA50M0000CAF Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000DAG Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000DAG Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501HCA27M0000DAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000BAF Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501HCA12M0000DAF Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA24M0000DAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501AAA24M0000BAG Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501BCA16M0000BAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000CAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501HCA26M0000BAF Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
TH-6 890

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