SXT5G2晶振,记忆卡晶振

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Suntsu晶振,贴片晶振,SXT5G2晶振,记忆卡晶振

频率：8-54MHZ

尺寸：5.0*3.2*1.4mm

6035mm，5032mm，4025mm贴片晶振系列，其产品晶体晶片采用了真空退火技术：高真空退火处理是消除在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，通过合理的真空退火技术可提高产品的主要参数的稳定性，提高产品的年老化特性。

咨询热线：0755-27872782

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Suntsu晶振,贴片晶振,SXT5G2晶振,记忆卡晶振，总部位于美国加利福尼亚州奥兰治县，与韩国，中国和台湾的合资伙伴合作成立。Suntsu频率控制公司成立于2002年，由频率控制行业的专业人士设计，并考虑到三个关键原则：

1.建立涵盖全频谱晶体频率控制设备的产品阵容，从而为客户提供满足频率控制需求的单一来源。

2.通过设计和制造特定于客户应用的定制组件，鼓励创造力并支持行业创新。

3.通过按时交付提供高质量的产品来培养长期的客户关系。 TH-1 890

智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.Suntsu晶振,贴片晶振,SXT5G2晶振,记忆卡晶振 TH-2 890

Suntsu晶振规格	单位	SXT5G2晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8-54MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40 to +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C to +85°C	标准温度
激励功率	DL	300μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±30 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±10 × 10^-6/25°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8-30PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

SXT5G2 5032 2P

TH-4 890

存储事项，Suntsu晶振,贴片晶振,SXT5G2晶振,记忆卡晶振

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。

正常温度和湿度：

温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

安装时注意事项

耐焊性

加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。

（1）柱面式产品和DIP产品

型号焊接条件

[ 柱面式 ]

C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s

请勿加热封装材料超过+150°C

[ 柱面式 ]

CA-301

[ DIP ]

SG-51 / 531, SG-8002DB DC,

RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD产品回流焊接条件（实例）