MtronPTI基本水晶滤镜样式

窄带滤波器

分立谐振器和单片双谐振器都在石英晶片的相对面上具有电极对。这些电极，除了激发晶片的自然机械共振之外，不可避免地产生静态电容（C0）。窄带滤波器是可以设计网络的滤波器，因此（C0）是网络的一部分，在大多数情况下由额外的外部电容补充。随着带宽的增加，可允许的补充电容量减少并最终变为负。对于窄带滤波器，允许的补充电容必须大于或等于零。最大无电感带宽是补充电容等于零的带宽，也是可以实现窄带设计的最大带宽。谐振器等效电路的电容比C0/C1决定了这个最大带宽。对于使用基模AT截止谐振器的滤波器，在理想条件下，该最大带宽约为中心频率的0.32%。在带宽超过这一限制的情况下，必须改变网络设计，以纳入与晶体谐振器并联的电感器。

希华晶体科技成立于1988年，专精于石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售。从人工晶棒长成到最终产品，透过最佳团队组合及先进之生产技术，建立完整产品线，包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER，以及石英晶体、晶体振荡器、晶体滤波器、温度补偿型及电压控制型产品等希华晶振，以健全的供应链系统，为客户提供全方位的服务。产品应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等，扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能。持续致力于技术研究开发及品质落实扎根，营运据点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世界各地，使希华得以提供服务予世界电子大厂。

Raltron Electronics Corporation于1983年在佛罗里达州迈阿密成立，现已发展成为世界上最受认可和经验丰富的频率管理产品制造商之一。从简单的表晶到高稳定性的恒温晶振，Raltron提供业内最全面的频率管理设备系列。

日本爱普生晶振型号VG3225EFN，是一款LV-PECL输出差分晶振，采用3225mm封装六脚贴片晶振，具有电压控制功能，小体积轻薄型，高精度，低抖动，低功耗，低损耗，低耗能，低电源电压，起振快等特点，此款6脚压电控制晶振频率选用范围从25M至250MHZ，被广泛用于无线基站，移动通信，高端智能设备，5G通讯设备，GPS，汽车电子等.

VG3225EFN压电控制晶振X1G005361000100用于无线基站应用

爱普生是日本有名的频率元件制造商，专业生产销售石英晶振，贴片晶振，石英晶体谐振器，晶体振荡器，晶体滤波器等。发展至今已是国际有名的晶体元件制造商，致力于为客户提供高性能，高可靠，高品质晶振产品。

爱普生晶振FA-238V是一款小体积尺寸3.2x2.5mm四脚贴片晶振，无源晶振，石英晶体谐振器，频率范围:12.000MHz至15.999MHz，工作温度范围:-40℃至+85℃（+105℃），3225mm体积非常小的SMDcrystal器件，是民用小型无线数码产品的最佳选择，具有超小型，轻薄型，耐热及耐环境特性。小体积的晶振被广泛应用到，手机蓝牙，移动电话，无线通讯集，无线-局域网，是民用无线数码产品最好的选择，符合RoHS/无铅.

无源晶振Q22FA23V0025500是民用无线数码产品最好的选择

爱普生X1G005471001100压控晶振具有LV-PECL差分输出,5032mm晶振

等效电路常数：图1.2显示了陶瓷谐振器的符号。端子间的阻抗和相位特性如图1.5所示。该图说明陶瓷谐振器在提供最小阻抗的频率fr（谐振频率）和提供最大阻抗的频率fa（反谐振频率）之间的频率范围内变为电感性的。它在其他频率范围内变为电容。这意味着双端子谐振器的机械振荡可以用等效电路代替，该等效电路由串联和并联谐振电路的组合构成，其中包括电感器L，电容器C和电阻器R.在谐振频率附近，等效电路可以表示如图1.4所示。

fr和f a频率由压电陶瓷材料及其物理参数决定。等效电路常数可以从以下公式确定：

考虑到fr≤f≤fa的有限频率范围，阻抗给出为Z = R e + jwL e（Le≤= 0），如图1.5所示。 陶瓷谐振器应当作为具有损耗R e（Ω）的电感器L e（H）操作。

图1.1显示了陶瓷谐振器和石英晶体谐振器之间等效电路常数的比较。 注意，电容和Q m存在很大差异，这导致实际操作时振荡条件的差异。 附录中的表格显示了每种陶瓷谐振器的等效电路常数的标准值。

除了期望的振荡模式之外，存在用于其他振荡模式的高次谐波。 存在这些其他振荡模式是因为陶瓷谐振器使用机械共振。 图1.6显示了这些特征。

基本振荡电路

通常，振荡电路可分为以下三种类型：

1.积极的反馈

2.负电阻元件

3.在陶瓷谐振器，石英晶体谐振器和LC振荡器的情况下，传输时间或相位的延迟，正反馈是首选电路。

在使用LC的正反馈振荡电路中，通常使用Colpitts和Hartley的调谐型反耦合振荡电路。 见图1.7。

在图1中。 在图7中，使用晶体管，它是最基本的放大器。

振荡频率与Colpitts电路中由L，C L1和C L2组成的电路的谐振频率大致相同，或者由Hartley电路中的L 1，L 2和C组成。 这些频率可以用下面的公式表示。

在陶瓷谐振器振荡器中，利用陶瓷谐振器代替电感器，利用谐振器在谐振和反谐振频率之间变为电感的事实。 最常用的电路是Colpitts电路。

这些振荡电路的工作原理如图2.1所示。 满足以下条件时发生振荡。

环路增益：G =α•β≥1

相位量：φT=φ1+φ2= 360°•n（n = 1,2，...）

在Colpitts电路中，使用φ1= 180°的反转，并且在反馈电路中用L和C反转φ2= 180°。 用陶瓷谐振器的操作可以认为是相同的。

应用

典型的振荡电路：陶瓷谐振器最常见的振荡器电路是Colpitts电路。电路的设计随应用和要使用的IC等而变化。尽管电路的基本配置与晶体控制振荡器的基本配置相同，但机械Q的差异是由电路常数的差异引起的。一些典型的例子如下。

设计考虑因素：使用逆变器门将数字IC配置为振荡电路变得越来越普遍。下页的图3.1显示了带CMOS反相器的基本振荡电路的配置。

INV.1用作振荡电路的反相放大器。 INV.2用作波形整形器，也用作输出的缓冲器。

反馈电阻R f在逆变器周围提供负反馈，以便在通电时振荡开始。

如果R f的值太大而输入逆变器的绝缘电阻很低，则由于环路增益的损失，振荡将停止。而且，如果R f太大，则可以将来自其他电路的噪声引入振荡电路。显然，如果R f太小，则环路增益会降低。 1MΩ的R f通常与陶瓷谐振器一起使用。

阻尼电阻Rd具有以下功能，但有时省略。它使逆变器和反馈电路之间的耦合松动;从而减小逆变器输出侧的负载。此外，反馈电路的相位稳定。它还提供了一种降低高频增益的方法，从而防止了寄生振荡的可能性。

负载电容：负载电容C L1和C L2提供180°的相位滞后。应根据应用，使用的IC和频率正确选择这些值。如果C L1和C L2的值低于必要值，则高频环路增益会增加，从而增加了寄生振荡的可能性。这特别有可能在厚度振动模式所在的4-5MHz附近。

该电路中的振荡频率（f OSC）大致由下式表示。

其中，f r：陶瓷谐振器的谐振频率。

C1：陶瓷谐振器的等效串联电容。

C0：陶瓷谐振器的等效并联电容。

C L = C L1•C L2 / C L1 + C L2

这清楚地表明振荡频率受负载电容的影响。当需要对振荡频率的严格公差时，应注意定义其值。

CMOS反相器：CMOS反相器可用作反相放大器; 4069 CMOS组的单级型最有用。由于增益过大，环形振荡或CR振荡是使用三级缓冲型逆变器（如4049组）时的典型问题。 ECS采用RCA CD4O69UBE作为CMOS标准电路，如图3.2所示。

HCMOS逆变器电路：最近，高速CMOS（HCMOS）越来越多地用于允许微处理器的高速和低功耗的电路。

HCMOS逆变器有两种类型：非缓冲74HCU系列和带缓冲器的74HC系列。 74HCU系统是陶瓷谐振器的最佳选择。见图3.3

TTL逆变器电路：由于阻抗匹配，负载电容C L1和C L2的值应大于CMOS的值。此外，反馈电阻R f应小至几KΩ。注意，需要偏置电阻R d来正确确定DC工作点。

频率相关：振荡器电路如图所示

以下页面是ECS标准测试电路。这些电路中使用的逆变器被广泛接受为工业标准，因为它们的特性代表了同一系列（CMOS / HCMOS / TTL）中微处理器中的特性。当然，应用将使用不同的IC，并且可以预期，振荡器电路特性将因IC而异。

通常，这种变化可以忽略不计，并且可以简单地通过将处理器分类为CMOS，HCMOS或TTL来选择陶瓷谐振器部件号。

鉴于标准ECS陶瓷谐振器在下页中对测试电路进行100％频率分类，因此将标准电路的振荡频率与客户指定电路的振荡频率相关联相对容易。

例如，如果使用的微处理器是摩托罗拉6805，频率为4MHz，那么正确的ECS部件号将是ZTA4.OMG（频率分类到CD4O69UBE CMOS测试电路）。电路参数应选择如下：

通过实际设置该电路以及下面图3.1所示的标准测试电路，可以确定使用带有6805处理器的ZTA4.OMG时可以预期的平均偏移。 实际数据如下所示：

根据这些数据，可以预测标准ZTA4.00MG谐振器的频率偏离原始的4.00MHz±0.5％初始容差约+ 0.06％。 这当然是一个可以忽略不计的转变，不会以任何方式影响电路性能。

 各种IC / LSI电路：

通过充分利用前面提到的特征，陶瓷谐振器与各种IC组合在一起被广泛应用。以下是一些实际应用示例。

微处理器的应用：陶瓷谐振器是各种微处理器的最佳稳定振荡元件：4位，8位和16位。由于微处理器参考时钟所需的一般频率容差为±2％ -  3％，因此标准单元满足此要求。向您的ECS或LSI制造商询问电路常数，因为它们随频率和使用的LSI电路而变化。图A显示了具有4位微处理器的应用程序，图B显示了具有8位微处理器的应用程序。

遥控器IC：遥控器越来越成为一种常见功能。振荡频率通常为400-500 KHz，455KHz是最受欢迎的。该455KHz被载波信号发生器分频，从而产生大约38KHz的载波。

VCO（压控振荡器）电路：VCO电路用于电视和音频设备，因为信号需要与广播电台发送的导频信号同步处理。最初使用振荡电路，例如LC和RC;然而，现在使用陶瓷谐振器，因为它们不需要调整并且具有优于旧型电路的稳定性。用于VCO应用的谐振器需要具有宽的可变频率

其他：除上述用途外，陶瓷谐振器广泛用于IC用于语音合成和时钟生成。对于一般的定时控制应用，振荡频率通常由用户根据IC制造商推荐的工作频率范围选择。用给定的IC选择这个频率将决定什么电路值和哪个陶瓷谐振器是合适的。选择陶瓷谐振器部件号时，请联系您当地的ECS销售代表。

如前所述，陶瓷谐振器有许多应用。一些更具特定应用的振荡器电路要求为该应用和IC开发独特的陶瓷谐振器。

振荡上升时间

振荡上升时间是指在激活IC的电源时振荡从瞬态区域发展到稳定区域的时间。使用陶瓷谐振器时，它定义为在稳定条件下达到振荡电平的90％的时间如图6.1所示。

上升时间主要是振荡电路设计的函数。通常，较小的负载电容，较高频率的陶瓷谐振器和较小尺寸的陶瓷谐振器将导致较快的上升时间。随着谐振器的电容减小，负载电容的影响变得更明显。图6.2显示了对负载电容（C L）和电源电压的上升时间的实际测量。值得注意的是，陶瓷谐振器的上升时间比石英晶体快一到二十倍。 （这一点在图6.3中用图解说明）

启动电压：启动电压是指振荡电路可以工作的最小电源电压。所有电路元件都会影响启动电压。它主要取决于IC的特性。图6.4示出了相对于负载电容的起始电压特性的实际测量的示例。

陶瓷共振器振荡特性

下面描述基本电路中振荡的一般特性。有关特定类型的IC和LSI的振荡特性，请与泰河电子联系。

在-20°C至+ 80°C的范围内，温度变化的稳定性为±0.3至0.5％，尽管根据陶瓷材料的不同而略有不同。负载电容（C L1，C L2）对振荡频率的影响相对较高，可以根据f OSC的公式计算.ffC。由于电容，变化约±0.1％

工作电压范围内的偏差为±0.1％。 f OSC。也随IC的特性而变化。

电源电压变化特性：有关给定振荡频率的实际稳定性测量示例，请参见下面的图1。

振荡水平：以下是振荡水平对温度，电源电压和负载电容（C L1，C L2）的实际测量示例。振荡水平要求在很宽的温度范围内保持稳定，并且温度特性应尽可能平坦。除非IC具有内部恒定电压电源，否则这种变化与电源电压呈线性关系。

石英晶体振荡器是用于生产振动的电路，由于振荡器的频率决定元件所包含的一个石英晶体振荡器，石英晶体振荡器可说服它们的频率精度和频率稳定性。实际上，这些电路经常被用作无线电，处理器和微控制的时钟。此外，大家可以在石英表中找到它们。因此石英和石英晶体振荡器被认为是数据传输和电信中频率控制的最重要组成部分，这也并不奇怪，因为它们的主要优点包括高谐振质量，大量振荡器选择和高频率性。

于对用于测量设备，卫星导航设备或者电信设备而言，由于价格敏感，振荡器的要注主要取决于频率，稳定性，外壳类型，输出信号和温度范围。例如，仪表，卫星导航设备或电信设备等专业应用对内置振荡器有更高的要求。包括具有良好的稳定性。低相位噪声和长寿命。为了实现这一点，所使用的石英还必须具有改进的老化性能，以实现相应的整体性能。为了最小化初始老化效应，所有振荡器都需要经历所谓的预老化过程，因此，只有在运行了几天后才能达到最终的稳定性。

KVG QUARTZ CRYSTAL TECHNOLOGY GMBH公司成立于1946年.在第二次世界大战结束后不久,物理学家库尔特·克林林创建了KVG公司. 不久后KVG公司就迁往内卡比绍夫斯海姆, 也就是现在KVG总公司所在地. 在1996年，KVG成为美国Dover有限公司在欧洲的晶体与晶体振荡器产品的合作伙伴。 1997年，晶体陶瓷在OCXOs和精准晶体的生产中被实际使用, 从而闻名世界. 

从2002年起,KVG再次成为独立公司. 新的公司领导者曼弗雷德·克利姆和格尔德克劳斯科夫先生都是在这行业具有多年的经验. 

以下是KVG晶振公司的发展历史。

KVG公司的发展史展现了晶体产品生产技术持续更新发展的过程：

· 1963 KVG使用合成晶体材料.

· 1964 研发和生产晶体滤波器.

· 1968 生产温度补偿晶振TCXOs.

· 1970 晶体生产中的直接溅镀.

· 1971 整块晶体滤波器的生产.

· 1972 生产凸面性晶体晶片.

· 1974 引进射线测量技术用于切割面角度的测定.

· 1979 以电脑为后台的晶体温度测定.

· 1981 以计算机为支持的TCXO的生产.

· 1983 KVG研发基于晶体的传感器和研发OCXOs.

· 1987 基于计算机控制的质量管理体系.

· 1988 SMD组件的自动装备机.

· 1993 622.08MHz的VCXOs.

· 1994 建立产品线，以HFF为晶体基座，最大振动频率达到200MHz.

· 1994 用SC-晶体生产OCXOs.

· 1995 使用镭射技术进行晶振的频率协调.

· 1997 生产 SMD OCXOs系列的 OCXO-6000.

· 1998 生产ASIC-TCXOs.

· 1999 用HFF晶体生产VCXOs.

· 2000 建立新生产，用于生产精准晶体的产品系列.

· 2002 KVG重塑独立实体.

· 2003 在晶体振荡器中使用电子谐频.

· 2005 设计出低相噪OCXO.

· 2007 设计出航天级的晶体.

· 2008 设计出航天级的晶体振荡器.

· 2009 建成新的生产设备.

· 2010 KVG重组了晶体和振荡器生产工厂.

· 2010 设计出抗冲击振动 OCXOs.

· 2011 空间晶体得到欧洲航天局的资格认证.

· 2013 以晶体振荡器XO和VCXO成为欧洲航天局的资格供应商.

· 2014 采用机械阻尼OCXO模块.

· 2015 设计出超低相躁RF-OCXO和抗冲击振动OCXO.

在恒温晶振的领域内的新设计，如提高抗冲击振动技术，新的RF TCXO和OCXO,使得在晶体和晶体振荡器的领域再次设定了标准.

凭借1965年雷达用精密晶体滤波器的基础，Mtronpti设计和制造了用于高可靠性和恶劣环境应用中的数据定时和射频频谱控制的射频和微波解决方案。Mtronpti成立于2004年，由M-tron Industries，Inc.收购Piezo Technology，Inc.，是LGL Group，Inc.的全资子公司。

在航空航天和国防市场，Mtronpti的数字调谐滤波器支持在存在电磁干扰的情况下进行安全通信。低漂移、高精度振荡器为地面、车辆、空中和卫星通信以及电子对抗提供可靠的频率锁定。抗振动和冲击的水晶钟使雷达图像更加清晰，并有助于监控商用飞机发动机的性能。

对于互联网通信，mtronpti晶振公司具有非常低的噪声和包同步时钟有助于增加带宽，防止蜂窝基站、micro和femto蜂窝以及Wi-Fi接入点的数据丢失。毫米波滤波器确保公司和电信的点对点链接保持无误。

在实验室工作台或消费电子产品生产测试台上，mtronpti超低噪声频率基准振荡器确保了准确的测量。当公共安全至关重要时，mtronpti宽温度范围/防水腔过滤器确保可靠的无线电通信。

卫星链路、相控阵雷达和抗IED干扰机使用mtronpti射频功率放大器将信号增强到天线。

Mtronpti晶振公司位于佛罗里达州奥兰多，在美国和印度制造业，在垂直方向上与基础材料科学、设计和制造方面的丰富经验相结合。凭借AS9100 C版和ISO 9001:2008全球认证、销售和支持，作为公认的服务领导者，MTronpti通过分销合作伙伴支持思科、雷神、爱立信、哈里斯、罗克韦尔柯林斯、联合技术航空和近2000家小型客户等主要原始设备制造商的创新和可靠性

LGL集团公司的工程和设计起源可以追溯到上个世纪初。 1917年，LGL的前身林奇玻璃机械公司成立，并在二十年代末成为玻璃成型机械的成功制造商。该公司后来更名为林奇公司，并于1928年根据印第安纳州法律注册成立。 1946年，林奇被列入“纽约路边交易所”，这是纽约证券交易所MKT的前身。该公司在精密工程，制造和服务领域拥有和经营各种业务的历史悠久。

LGL集团公司（以下简称“公司”）于2007年根据特拉华州法律重新注册，并作为控股公司，其子公司从事定制设计，高度工程化的电子元件制造。该公司的办公室位于佛罗里达州奥兰多市沙德路2525号，邮编32804。公司的普通股在纽约证券交易所股票代码：MKT上以股票代码“LGL”进行交易。

公司通过其主要子公司M-tron Industries，Inc.运营，包括M-tron Industries，Ltd.（“MTRON”）的运营，以及MTRON的子公司Piezo Technology，Inc.和Piezo Technology India Private Ltd.（合称“PTI”）。2004年10月，MTRON和PTI合并为一家公司，拥有业内最广泛的产品组合之一。MTRONPIT和PTI的联合业务被称为“MTRONPIT”。MTRONPIT在奥兰多、佛罗里达、扬克顿、南达科他州和印度诺伊达都有业务。此外，MtronPTI在香港和中国的上海设有销售办事处。

Mtron Industries，Inc.（“MTRON”）始建于1965年，原名为Mechtronics，Industries，Inc.。此后不久，该公司正式更名为M-tron Industries，Inc.。早期，MTRON的主要业务是为CB无线电市场制造晶振。当20世纪70年代末技术发生变化时，MTRON也发生了变化。营销方式的改变和产品的持续发展为公司提供了新的生活。MTRON被称为高质量、高可靠性晶体、振荡器的供应商，在某种程度上，VCXO（压电控制晶振）和TCXO（温度补偿晶振）产品将用于诸如电信基础设施（用于制造电话系统）以及后来的互联网功能等应用。1976年，M-tron Industries，Inc.被收购。2002年，MTRON收购了伊利诺伊州富兰克林公园的Champion Technologies，Inc.的资产。在20世纪80年代中期，Champion是摩托罗拉的子公司。这次收购通过扩大产品供应和客户群，帮助MTRON从2001年和2002年的电信市场崩溃中更快地复苏。

1965年，几乎在MTRON成立的同时，成立了另一家公司，名为Piezo Technology，Inc.。PTI的成立是为了设计和建造用于所有类型设备的晶体滤波器，其中某些类型的噪声需要从电路中过滤出来。多年来，PTI在业务和产品方面都有所发展，包括LC（集总元件）滤波器、TCXO和OCXO（恒温晶体振荡器）产品。PTI的主要市场是军事、航空电子和仪器仪表。1995年，PTI在印度开设了生产基地，2004年M-tron Industries，Inc.收购了Piezo Technology，Inc.。

LGL的业务发展战略主要集中在通过MTRONPTI晶振通过有机增长、扩展到新的地理市场细分市场以及通过其他战略机会扩展现有业务。MtronPTI目前在全球范围内占有一席之地，为大多数需要精确定时和过滤产品的主要市场提供服务。公司的目标细分市场包括高端电信、军事、仪器、空间和航空电子设备（简称“MISA”）。

关于ABRACON晶振公司你了解多少呢?ABRACON晶振公司成立于1992年，总部位于德克萨斯州，是全球领先的无源晶振与机电定时，同步，电源连接和射频解决方案制造商。ABRACON晶振公司提供多种石英晶体和晶体振荡器，MEMS振荡器，实时时钟（RTC),蓝牙模块，陶瓷谐振器，SAW滤波器和谐振器，电源和RF电感器，变压器，电路保护元件和RF天线以及无线充电线圈等产品。ABRACON晶振公司规模庞大，致力于像全球供应优质的电子元器件产品。并且,ABRACON晶振公司已经通过了ISO9001-2008认证，在德克萨斯州拥有设计和应用工程资源，并在德克萨斯州，加利福尼亚州，中国，台湾，新加坡，苏格兰，以色列，匈牙利，英国和德国等地设有销售办事处。并通过网络向全球分销提供货。

ABRACON CRYSTAL公司为多个市场提供组件，包括物联网，工业控制，汽车，运输，通信，照明，消费以及其它设备，这些市场都需要不断的创新产品，并且，ABRACON晶振公司在电源连接，射频和定时技术方面都会推出新产品，并提供更先进的技术服务。

最近ABRACON晶振公司发布了业界领先的LOT系列石英晶振，主要用于节能MCU和RF芯片组，功率优化的119fs超低抖动AX7系列时钟晶体振荡器，产品应用比较广泛，或优化芯片性能，具有高效率的性能。为物联网协议和ARJM11 RJ45设计的贴片以及外部天线，集成磁性支持10 / 100Base-T，1000Base-T，2.5GBase-T和5GBase-T。ABRACON晶振公司在过去的12个月内发布了超过20’000个新零件号。ABRACON晶振公司拥有强大的销售服务以及技术支持团队.

台湾NSK晶振公司不仅生产石英晶振,石英晶体谐振器,晶体振荡器,温补晶振,压控晶体,还生产陶瓷谐振器(Ceramic Resonator),陶瓷滤波器(Ceramic Filter),ZTA陶瓷晶振,ZTT陶瓷晶振,3.58M,6M,4M,8M,16M,24M,27M频率均有现货供应.ZTA晶振可从低频1M到50MHZ,主要应用于电视遥控器,风扇遥控器,USB,鼠标等产品.

NSK Ceramic Resonator

	NRA ZTA/ MG, MT, MX	DIP	1.8 MHz to 50.0 MHz	10.0*5.0*10.0

	NRE ZTTCV MT, MX	SMD	8.0 to 50 MHz	3.7*3.1*1.2

	NRE ZTTCS MT, MX	SMD	7.0 to 50 MHz	4.7*4.1*1.6

	NRE ZTTCC MG	SMD	2 to 6.99 MHz	7.4*3.4*1.8

	NRD ZTACV MT, MX	SMD	8.0 to 50 MHz	3.7*3.1*1.2

	NRD ZTACS MT, MX	SMD	7.0 to 50 MHz	4.7*4.1*1.6

	NRD ZTACC MG	SMD	2.0 to 6.99 MHz	7.4*3.4*1.8

	NRT ZTT/ MG, MT, MX	DIP	1.8 MHz to 50 MHz	10.0*5.0*10.0

NSK Ceramic Filter

陶瓷滤波器LT4.5MB,LT5.5MB,LT6.5MB可以免提提供样品测试,陶瓷滤波器主要应用于TV/VCR产品等.L10.7M陶瓷滤波器均可在线供应.

	NRF LT4.5MB	DIP	4.43MHz to 6.5MHz	5*3.2

	NRF LTCA/CV	SMD	10.7MHz	6.9*2.9*1.5

	NRF JT4.5MD	DIP	4.5MHz to 6.5MHz	9.0*5.0*10.0

	NRF JT4.5MC	DIP	4.5MHz to 6.5MHz	9.0*5.0*10.0

NRF JT10.7M

SMD

10.7MHz

9.0*5.0*7.0

Taiwan NSK Crystal Co., Ltd. not only produces quartz crystal oscillator, quartz crystal resonator, crystal oscillator, temperature-compensated crystal oscillator, voltage-controlled crystal, but also ceramic resonator (Ceramic Resonator), ceramic filter (Ceramic Filter), ZTA ceramic crystal, ZTT ceramic. Crystal oscillator, 3.58M, 6M, 4M, 8M, 16M, 24M, 27M frequency are available from stock. ZTA crystal oscillator can be used from low frequency 1M to 50MHZ, mainly used in TV remote control, fan remote control, USB, mouse and other products.

美国瑞斯克晶振公司自1958年成立以来一直提供频率元器件产品,包括石英晶体谐振器,以及石英晶体振荡器,时钟振荡器等产品.瑞斯克晶振公司有两个运营专门负责频率控制元器件的部门.多年来CRYSTEK CORPORATION致力于石英晶体谐振器的开发以及频率元器件的制造与生产.

CRYSTEK CLOCK OSCILLATORS瑞斯克时钟晶体振荡器型号表.

产品图	型号	频率 （MHz）	封装	电压 （VDC）	产量	稳定性 ppm（°C）	相位噪声 （dBc / Hz）	规格
	cuso33	1.544  ~ 160.000	3.2 x 5.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CUSO32	1.544  ~ 160.000	3.2 x 5.0 mm  SMD	5.00	HCMOS	±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	C18	1.544  ~ 110.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	1.80	LVCMOS	±20至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	C25	1.544  ~ 70.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	2.50	LVCMOS	±20至±100 （-10到70） ±25至±100 （-40到85）
	C32	1.544  ~ 100.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	5.00	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	C33	1.544  ~ 156.250	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCLD-023	77.760  ~ 161.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	2.50	LVDS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCLD-024	162.000  ~ 250.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	2.50	LVDS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCPD-023	77.760  ~ 161.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	2.50	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCPD-024	162.000  ~ 250.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	2.50	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCLD-033	77.760  ~ 161.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	LVDS	±25至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCLD-034	162.000  ~ 250.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	LVDS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCPD-033	77.760  ~ 161.1328	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCPD-034	162.000  ~ 250.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCS575S 超低相位噪声	315.000  ~ 1000.000	5.0 x 7.5 mm  SMD	3.30	SINEWAVE	±150 （-20到70）	-113 TYP @ 1 千赫 -137 TYP @ 10 千赫 -151 TYP @ 100 千赫 -160 TYP @ 1 兆赫 -160 TYP @ 10 兆赫
新	CCHD-575 超低相位噪声	12.000  ~ 125.000	5.0 x 7.5 mm  SMD	3.30	HCMOS	±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-20到70） ±25至±50 （-40到85）	-168 TYP @ 地板 -165 MAX @ 地板
新	CCPD-575 超低相位噪声	50.000  ~ 156.250	5.0 x 7.5 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20 （-40到85） ±25 （-40到85） ±50 （-40到85）	-162 TYP @ 地板
	CCPD-920	50.000  ~ 150.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-40到85）	-65 TYP @ 10 赫兹 -98 TYP @ 100 赫兹 -125 TYP @ 1 千赫 -140 TYP @ 10 千赫 -145 TYP @ 100 千赫 -145 TYP @ 100 兆赫
	CCPD-940	151.000  ~ 212.500	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-40到85）	-80 MAX @ 100 赫兹 -108 MAX @ 1 千赫 -132 MAX @ 10 千赫 -140 MAX @ 100 千赫
新	CCSS-945 超低相位噪声	10.000  ~ 125.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	5.00	SINEWAVE	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）	在100 MHz： -85 TYP @ 10 赫兹 -120 TYP @ 100 赫兹 -145 TYP @ 1 千赫 -162 TYP @ 10 千赫 -170 TYP @ 100 千赫 -170 TYP @ 1 兆赫
	CCHD-950 超低相位噪声	45.000  ~ 130.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-20到70） ±25至±50 （-40到85）	-165 TYP @ 地板 -160 MAX @ 地板
新	CCHD-957 超低相位噪声	10.000  ~ 50.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±20至±50 （0到70） ±25至±50 （-20到70） ±25至±50 （-40到85）	-100 TYP @ 10 赫兹 -95 MAX @ 10 赫兹 -169 TYP @ 地板 -165 MAX @ 地板
	CCO-983	50.000  ~ 500.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30  5.00	SINEWAVE	±25 （0到70） ±50 （-40到85）	在311.040 MHz： -50 TYP @ 10 赫兹 -80 TYP @ 100 赫兹 -110 TYP @ 1 千赫 -135 TYP @ 10 千赫 -145 TYP @ 100 千赫
	CCO-083	10.000  ~ 200.000	14针浸入式 通孔	3.30  5.00	SINEWAVE	±25 （0到70） ±50 （-40到85）	-80 TYP @ 100 赫兹 -112 TYP @ 1 千赫 -140 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫
	CCO-985	50.000  ~ 500.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30  5.00	SINEWAVE	±25 （0到70） ±50 （-40到85）	在311.040 MHz： -50 TYP @ 10 赫兹 -80 TYP @ 100 赫兹 -110 TYP @ 1 千赫 -135 TYP @ 10 千赫 -145 TYP @ 100 千赫
	CCO-085	10.000  ~ 200.000	14针浸入式 通孔	3.30  5.00	SINEWAVE	±25 （0到70） ±50 （-40到85）	-80 TYP @ 100 赫兹 -112 TYP @ 1 千赫 -140 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫
	CCSO-914X-245.760 超低相位噪声	245.760	9.0 x 14.0 mm  SMD	5.00	SINEWAVE	±200 （-40到85）	在245.760 MHz： -120 TYP @ 1 千赫 -150 TYP @ 10 千赫 -160 TYP @ 100 千赫 -165 TYP @ 1 兆赫 -170 TYP @ 10 兆赫
	CCSO-914X3-1000 超低相位噪声	1000.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	SINEWAVE	±200 （-40到85）	在1 GHz： -112 TYP @ 1 千赫 -142 TYP @ 10 千赫 -155 TYP @ 100 千赫 -167 TYP @ 1 兆赫 -168 TYP @ 10 兆赫
	CCSO-914X-1000 超低相位噪声	1000.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	5.00	SINEWAVE	±200 （-40到85）	在1 GHz： -110 TYP @ 1 千赫 -138 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫 -160 TYP @ 1 兆赫 -170 TYP @ 10 兆赫
	CCSO-914X 超低相位噪声	245.760  ~ 1000.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30  5.00	SINEWAVE	（0到70） （-40到85）	在1 GHz： -110 TYP @ 1 千赫 -138 TYP @ 10 千赫 -150 TYP @ 100 千赫 -160 TYP @ 1 兆赫 -170 TYP @ 10 兆赫
	CCO-014 生命尽头	1.544  ~ 156.250	14针浸入式 通孔	5.00	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCO-014 S生命尽头	1.544  ~ 156.250	8针浸入式 通孔	5.00	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCO-030 生命尽头	1.544  ~ 156.250	14针浸入式 通孔	3.30	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCO-030S 生命尽头	1.544  ~ 156.250	8针浸入式 通孔	3.30	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±20至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CPLL-018 生命尽头被 C33取代	1.544  ~ 200.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CS33生命尽头	1.544  ~ 156.250	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±20至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CSO-016T 生命尽头 被C32取代	1.544  ~ 100.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	5.00	HCMOS	±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CSO-018T 生命尽头 被C33取代	1.544  ~ 125.000	5.0 x 7.0 mm  SMD	3.30	HCMOS	±25至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）
	CCPD-922 超低相位噪声	40.000  ~ 125.000	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	（-40到85） （-45至90）	在100 MHz： -85 TYP @ 10 赫兹 -115 TYP @ 100 赫兹 -145 TYP @ 1 千赫 -155 TYP @ 10 千赫 -160 TYP @ 100 千赫 -162 TYP @ 1 兆赫 -162 TYP @ 10 兆赫
	CCPD-912 生命尽头	77.760  ~ 161.1328	9.0 x 14.0 mm  SMD	3.30	LVPECL	±20至±100 （0到70） ±25至±100 （-20到70） ±25至±100 （-40到85）

CRYSTEKMICROWAVE为微波行业开发频率控制件产品和技术支持产品.包括PLL(锁相环)合成器,RedBoxVCO,RF同轴电缆组件,RF电缆连接器,BulkRF同轴电缆,RF功率检测器,滤波器,衰减器,DC模块,无源倍增器,RFPRO(袖珍参考振荡器),基于SAW的时钟振荡器和VCSO.

在过去的几年中,娱乐,游戏和便携式市场的电子设备加速的增长推动了石英晶体和晶体振荡器的需求不断增加,甚至达到了前所未有的生产水平以及生产技术.早在十几年前,爱普生晶振的销量以及生产技术还跟不上市场的需求.比如2012晶振会无法正常出货,体积较小,生产达不到技术要求.但是随着这几年的市场需求量的增长,爱普生晶振也在不断的提升生产技术,不断的改进不足,从而使得更小尺寸1612封装晶振可以正常批量出货.

一直以来石英晶体振荡器的高Q值和稳定的温度特性,使得其在消费,商业,工业以及军事产品中起到重要的作用.自2000年至2001年”互联网”市场崩溃以来,对石英晶体以及振荡器的需求每年稳定增长4%至10%.

在早些时候,典型的GSM手机有四组不同的压电频率控制和发电组件：RF SAW滤波器（使用压电钽酸锂或铌酸锂的900 MHz至2 GHz）用于在天线和收发器芯片组之间进行传输和接收滤波;如果使用超外差降频转换,则使用SAW滤波器（主要使用石英为50至400 MHz）; TCXO（13/26 MHz,使用石英晶体）作为收发器合成器中的时钟参考,用于信道化;和音叉（使用石英晶体的32.768 kHz）用于基带部分的待机时钟.

后来,直接转换技术的成功开发在许多GSM手机中废弃了IF SAW滤波器.几年前,带有片上数字补偿晶体振荡器（DCXO）电路的GSM收发器芯片组消除了对TCXO晶振的需求.但是,仍然需要片外石英晶体.

现在的手持设备似乎没有变小,实际上它们已经变得非常小了,但是手机虽小,功能却大的多.以适应消费者多频段,多模,DSC,DVC,MP3,GPS,互联网接入,蓝牙,DTV等所需的更多功能.跟之前想法相反,随着时间的推移,需要越来越少的片外石英晶体,晶体振荡器和SAW元件,现在手机中存在着更多的石英晶体,音叉晶振,晶体振荡器,高精度温补晶振等.虽然这些组件的独特制造和封装要求使它们几乎不可能集成到成熟的硅IC平台上.

在有线和无线市场的蓬勃发展,从而使得石英晶体以及其高频SAW声表面滤波器得到广泛应用.

传统的石英晶振尺寸型号以4.1*1.5,3.2*1.5以及2.0*1.2mm提供.现在也是将这种石英音叉的厚度达到0.4毫米或者更低,从而适用于薄型产品的使用.小于5032封装石英晶振通常需要在真空中密封从而维持阻抗完整性.低兆赫兹小尺寸石英晶振的坏料也需要倾斜于石英晶体边缘,其变薄.从而有效的获得能量.在未来的几年内将出现更小尺寸的石英晶体(1.6*1.0以及1.0*0.8mm)晶振的使用.全球石英晶体供应商正在为这些小尺寸晶振工作.

很多人都不知道相当多的石英产品(石英晶体,石英音叉晶体,石英陀螺传感器等)正在制造一些MEMS(微机电系统)处理.如光刻,金属化,蚀刻,牺牲层沉积去除,金蚀刻保护等.实际上,复杂的加工步骤非平面金属化方案.由于石英晶体的硬度而耐蚀刻,高度各向异性的石英晶体的不同蚀刻速率等,使得小型化的石英晶体产品的加工更加技术上与许多基于硅的MEMS工艺相比具有挑战性.Epson Toyocom几年前创造了“QMEMS”这一术语,以认识到将石英和MEMS技术与下一代石英晶体器件联系起来的重要性.