晶振有效电容定义及和振荡频率的重要联系

晶振负载电容取值直接关系到调频的准确度。如果负载电容不够准确，那么买来的晶体准确度就会差，关于负载电容的计算方法即从晶体两端看进去电容的总和。

计算公式：晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd，Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容）一般为3至5pf。

项目	符号	精工SSP-T7-F晶振规格说明	条件
公称周波数	f_nom	32.768kHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
储存温度范围	T_stg	-55°C to +125°C	裸存
工作温度范围	T_use	-40°C to +85°C
激励功率	DL	0.1μW (1.0μW Max.)	如果你有最大激励功率为1.0μW 的需求,请联系我们.
周波数容许偏差（标准）	f_tol	±20 × 10^-6, ±50 × 10^-6	+25°C,DL=0.1μW 如需更严格的公差,联系我们
顶点温度	Ti	+25°C ±5°C
频率温度系数	B	(-0.035±0.01) × 10^-6/ °C² Max.
负载电容	CL	7pF, 9pF, 12.5pF	可指定
串联电阻（ESR）	R₁	65kΩ Max.
分路电容	C₀	0.8pF Typ.
频率老化	f_age	±3 ×10^-6 / year Max.	+25°C, 第一年

负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。也可以看作电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。它是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联谐振晶振的低负载电容晶振；另一个为并联谐振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。

晶振都会有他相对应的规格参数，负载电容、额定频率范围、频率公差（标准）、工作温度、储存温度、激励功率等。本文兆现电子将对负载电容这一参数做出明确的解释。我们平时跟客户沟通的时候经常会问他们所需求晶振的负载电容是多少，然而可能连我们自己都不是很明白负载电容究竟是什么？那么这个负载电容对于石英晶振究竟具有什么样的含义呢？