TG-5006CJ晶振编码X1G004131001000具有超小型2016mm温补晶体振荡器

日本进口爱普生晶振SG3225EEN，小体积晶振尺寸3.2x2.5mm有源晶振，是一款小体积六脚贴片晶振，频率范围可提供25M~200MHZ任一频点，2.5V,3.3V具有低电源电压,满足产品低消耗电流的特点，LV-PECL晶振，具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求,高技术石英晶体振荡器,具有相位低,损耗低的特点,该产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理双级信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的,差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性。

SG3225EEN晶振编码X1G005221000200差分晶振具有低消耗电流的特点

我们的多输出和高度灵活的基于石英和MEMS的PureSilicon? 振荡器采用各种行业标准封装，可满足您的低功耗或低抖动应用的要求。使用我们的Clockworks ? 配置器和采样工具可以轻松地将您的振荡器定制为频率、温度、ppm和封装尺寸的任意组合，以满足您的应用要求。
Microchip的VT-701A系列温度补偿晶体振荡器 (TCXO) 是一款石英稳定、削波正弦波或CMOS输出、模拟温度补偿晶振，采用小体积尺寸7.0x5.0mm 密封陶瓷封装，采用2.5V或3.3V电源供电。
产品特点：
削波正弦波或CMOS输出
5MHz至52MHz输出频率
+/-50ppb温度稳定性
可选频率调谐
电源电压 2.5V,3.3V
最小输出频率 5MHz
最大输出频率 52MHz
输出逻辑 CMOS，削波正弦波

VT-701A系列VT-701A-HFE-507B-10M0000000可满足您的低功耗或低抖动应用的要求,温补晶体振荡器

京瓷晶振公司作为电子部件中各同行中争相效仿的对象,在制作石英晶振,贴片晶振,32.768K等频率元件.为社会和人类的进步做出贡献.石英晶体,贴片晶振,温补晶振对于手机,数码相机和其他数字设备关键部件的性能有重要影响,近期业务总部研发出了一种新产品,以达到快速交货,并且对应于全局可靠性标准AEC-Q100/200晶体时钟振荡器的车载部件)SPXO),用于时钟的晶体振荡器是输出用于控制电子电路等的时钟信号的重要部分,使得电子设备可以正常操作.

京瓷晶振Z系列用于电子设备和通讯设备的晶体振荡器,KT2016K26000BCW18ZAS

在当今的高性能系统中，需要一个出色的时钟源。随着专用集成电路（ASIC）的速度和性能达到更高的限制，分配该时钟源以驱动多个设备的需求变得更加困难。由于相关的快速边沿速率，系统中部署的较高频率导致长PCB迹线表现得像传输线。保持平衡系统需要适当的端接技术来实现应用中的跟踪路由。本应用笔记将重点介绍推荐的终止技术;关于输出负载的评论，并提供一些设计师要考虑的布局指南。

传输线理论简介

通常，大多数时钟源具有低阻抗输出。当这些器件用于驱动具有大阻抗的负载时，存在阻抗不匹配。根据应用条件，此阻抗不匹配会导致负载产生电压反射，从而产生时钟波形中的步进，振铃以及过冲和下冲。这可能通过降低负载处的时钟信号，错误的数据时钟和产生更高的系统噪声而导致系统性能不佳。

为了减少电压反射，需要正确终止信号迹线。适当终止的设计考虑因素可以用两个语句来概括：

1.使负载阻抗与线路阻抗相匹配

2.使源阻抗与线路阻抗匹配

对于大多数设计，第一种说法是首选方法，因为它消除了返回时钟源的反射。这样可以减少噪音，电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）。

下图显示了阻抗不匹配对时钟源的影响

常用终止技术

如上所述，为了减少电压反射，必须正确地终止迹线。 传输线的四种基本端接技术是串联，并联，戴维宁和AC。

系列终止

串联终端消除了时钟源的反射，有助于保持信号质量。 这最适合驱动少量负载的TTL器件，因为时钟输出阻抗小于传输线特性阻抗。 图1显示了一系列终端。 电阻尽可能靠近时钟源放置。 R的典型设计值为10Ω至75Ω。

R的值可以大于阻抗差，以便产生稍微过阻尼的状态并且仍然消除来自时钟源的反射。

系列终端的主要优点是：

1.简单，只需要一个电阻器

2.功耗低

3.在驱动高容性负载时提供电流限制;这还可以通过减少接地反弹来改善抖动性能

系列终止的主要缺点是：

1.增加负载信号的上升和下降时间;这在一些高速应用中可能是不可接受的

2.无法驱动多个负载

平行和戴维宁终结

接下来的三种终端技术可提供更清晰的时钟信号，并消除负载端的反射。这些终端应尽可能靠近负载放置。

图2描绘了并行终端。并联终端消耗的功率最大，不建议用于低功率应用。它也可能改变占空比，因为下降沿将比上升沿更快。它比串联终端具有一个优点，即上升和下降时间的延迟大约是一半。

如图3所示，戴维宁终端将比并联终端消耗更少的功率，并且通常用于PECL应用，50Ω线路匹配至关重要。 R的总值等于传输线的特征阻抗。 如果需要过阻尼状态，则R的总值可略小于特征阻抗。 戴维宁终端的主要缺点是每条线路需要两个电阻器，并且在终端附近需要两个电源电压。 建议不要将此端接用于TTL或CMOS电路。

AC终止

AC端接，如图4所示，在并联支路中增加了一个串联电容。 由于RC时间常数，电容会增加时钟源的负载和延迟，但在稳态条件下将消耗很少或没有功率。 通常不建议使用此终端，因为它会通过增加传播延迟时间来降低时钟信号的性能。 为了保持有效终止，C L的值不应小于50pF。 较大的C L值将允许时钟边沿的快速转换，但随着电容器值的增加，较高的电流电平将通过，从而导致功耗的增加。 选择大于走线阻抗的R L值，以考虑负载输入阻抗的泄漏。

输出负载简介

应注意不要使时钟源过载。 如果使用单个时钟源来驱动多个负载，则如果总负载超过时钟源的驱动能力，则会发生波形劣化。

过载的一些常见症状是波形削波，对称不平衡，信号幅度减小以及上升和下降时间值的变化。 通常随着时钟频率的增加，源驱动更高负载的能力将降低。 请务必参考时钟源规范以获得最大负载能力。

下图显示了重载对时钟源的影响。

通用时钟输出类型

CTS时钟振荡器设计已经开发出来，具有各种封装选项，输入电压和输出类型。

HCMOS和HCMOS / TTL兼容

今天的CTS设计提供“双兼容”振荡器，它们是能够驱动TTL应用的HCMOS输出类型。 由于转换时间较短，这些设备固有地具有更大的过冲和欠冲。 这可能不适合具有严格EMI要求的旧TTL设计。

CTS生产两种流行的HCMOS / TTL兼容时钟振荡器CB3 / CB3LV和型号636。

下图显示了典型的HCMOS测试负载配置和波形参数。

LVPECL和LVDS

与HCMOS逻辑技术相比，CTS LVPECL和LVDS逻辑输出设计具有许多优势。

LVPECL和LVDS技术从正电源获得其工作功率，从而实现与负载点处的HCMOS逻辑接口的必要兼容性。 这些逻辑输出还具有：

1.降低系统抖动; 由于较小的特征过渡区域

2.上升和下降时间更快

3.提供差分输出; 减少排放至关重要

4.能够直接驱动50Ω传输线

5.降低高频时的电源消耗

CTS Model 635提供两种输出类型的选项。

下图显示了典型的LVPECL和LVDS测试负载配置和波形参数

布局指南

在印刷电路板布局过程中采用良好的设计实践将最小化先前讨论的信号劣化。 PCB设计的一些常见指南是：

1.将时钟源物理定位在尽可能靠近负载的位置

2.限制时钟信号的走线长度

3.不要将时钟信号靠近电路板边缘

4.尽量避免在时钟信号路由中使用过孔。 过孔会改变走线阻抗，从而引起反射。

5.不要在电源和接地层上布设信号走线

6.避免在轨迹中出现直角弯曲，如果可能，请保持直线行程。 如果需要弯曲，请使用两个45°角或使用圆形弯曲（最佳）.

7. V CC与时钟源地之间的去耦电容对于降低可能传输到时钟信号的噪声至关重要。 这些电容必须尽可能靠近V CC引脚。

8.为避免串扰，请在多个时钟源和高速开关总线之间保持适当的间隔。

9.差分跟踪路由应尽可能接近，以获得高耦合系数。 路由的长度应相等，以避免阻抗不匹配，从而导致不同的传播延迟时间。

10.使用单个时钟源驱动多个负载时，请考虑拆分路由。 使各个布线长度尽可能相等。

结论

本应用笔记介绍了使用驱动各种负载的时钟源的应用的正确终端技术。 它还概述了用于生成可靠应用程序设计的布局考虑因素 所有这些技术都力求最大限度地减少降低时钟信号的条件，从而导致系统性能不佳。

本文关于石英晶振参数测量方法

1.振荡器频率的测量

功率(驱动电平)的计算公式：DL(功率)=(Ix)2×Re; 其中Ix：有效电流值(rms)，Re：有效电阻，Re = R1 x（1 + C0 / CL）2，R1：串联电阻

3.负电阻的测量负电阻用于确定振荡电路的振荡裕度并预测振荡的稳定性。 如下图所示，将可变电阻（VR）与晶体串联，然后逐渐增加电阻。 晶体将以某个值停止振荡。

负阻（-R）的计算公式：| -R | = VR + Re，Re = R1 x（1 + C0 / CL）2，R1：串联电阻

晶振振荡频率的较大差异(正侧或负侧的大振荡频率)意味着电路负载电容(由振荡电路电容器电容和基板杂散电容引起的电路电容)和晶体振荡器负载这意味着容量存在很大差异(晶体单元规格中描述的负载容量).

如何改善晶振振荡频率的差异,有两种方法可以改善振荡频率的差异(方法接近±0ppm),并且考虑到振荡电路的其他特性(负电阻,部落电平)来选择改进方法.

1、使电路负载容量更接近晶体振荡器负载容量的方法NDK晶振公司的基本方法是通过仅改变电路负载容量而不改变当前晶体振荡器负载容量来改善振荡频率的差异.

石英晶体振荡器广泛用作各种电子系统中的频率和时间标准。虽然石英晶体振荡器非常适合于任务，但在要求苛刻的应用中的最佳性能，如同任何精密器件一样，需要深入了解器件特质。

衰老是振荡器的长期频率漂移。虽然精心设计和制造可以最大限度地减少运输时的老化，但振荡器的使用寿命会持续老化，并受到断电存储的环境和持续时间的影响。本文重点介绍了造成老化的物理过程，并解释了为何在进行断电存储后，在振荡器频率调整之前强烈建议重新稳定时间。

老龄化有两个基本原因。首先，石英晶体谐振器的频率受电极质量的强烈影响。电极或石英毛坯表面的污染增加了谐振器质量，从而降低了谐振频率。水蒸气是这种污染的罪魁祸首，尽管氧气和碳氢化合物也会引起问题。用于将谐振器安装在其外壳中的导电粘合剂的除气也是一个因素。结晶石英和金属电极都是亚微观尺度的多孔，有大量的小空腔，含有污染物。污染始终存在于某种程度，但生产过程如臭氧清洗，高温真空烘烤，以及使用硬真空可以将污染影响降至几乎可以忽略的程度。

如果污染物保留在原位，污染就不会成为问题。不幸的是，新晶体上的污染，特别是安装在高温下操作的恒温晶体振荡器中的晶体，在蒸发，吸附，冷凝和机械加速的影响下移动。结果，新的振荡器迅速老化，直到污染物运动稳定。

机械应力是振荡器老化的第二个原因。晶体是原子的有序晶格，其形状与原子间距一起决定了晶体的物理性质，如介电常数和弹性。许多这些特性影响共振频率。机械应力使原子晶格变形，稍微改变原子间距，从而稍微改变晶体的物理性质。如果受到应力的晶格恰好是石英晶体谐振器，则结果是谐振频率略有变化。因此，AT切割谐振器暴露于机械应力移位频率。双旋转晶体（例如IT切割或SC切割）部分地受到应力补偿，并且受到应力的影响较小。因此，双重旋转切割的再稳定时间较短，但这些谐振器制造起来要困难得多，并且比普通的AT切割谐振器更昂贵。

石英晶体谐振器中的应力有很多来源;来自安装夹的弹簧作用的安装应力，导电粘合剂在设定时的收缩，来自制造期间的切割和研磨操作的残余应力以及差异的热膨胀和收缩。最后一个因素在烘箱振荡器中特别有意义，因为每次施加功率时晶体从室温加热到约80℃，并且因为晶体石英中的热膨胀系数在每个轴上是不同的。

由于石英传导热量很差，热梯度很陡并且消散得很慢。当谐振器的边缘与安装夹接触时，过热的AT切割谐振器在预热期间会受到强烈的应力引起的频率瞬变。比中心。这个瞬态在图中可见，因为在开启后4到5分钟出现了尖锐的频率下冲。刚刚开启后新振荡器中的残余应力达到最大值，在操作的前几天缓慢放松，直到达到平衡条件。

对于新的振荡器，来自污染物再分配和应力松弛的频率变化高达每天十亿分之几。 VECTRON晶振的标准做法是燃烧或老化新的振荡器，同时持续监测频率，直到日常老化速率稳定。所需的时间取决于振荡器频率和晶体切割以及指定的老化速率。典型的老化持续时间从不到一周到几周不等。

当一个新的“老化”振荡器关闭时会发生什么？当冷却时，静电振荡器重新获得机械应力，应力的大小是炉温和环境温度之差的函数。尽管在较低温度下应力松弛率大大降低，但这种应力最终会消失。

当振荡器关闭时，污染物开始再次向新的平衡状态移动。如前所述，在较低温度下重新分配的速度要小得多。如果断电时间很短，并且存储温度适中，则振荡器将恢复到接近于在短暂预热期后在装运时测量的老化速率。实际频率接近 - 但不相同 - 由于滞后并且因为在断电期间老化持续，但不一定是相同的速率。

延长的断电间隔，或（根据对受试者的一些参考）在断电间隔期间暴露于极端温度允许更大程度的应力松弛和污染物重新分布。在这种情况下，在原始生产老化期间获得的一些老化稳定性丢失。因此，当重新施加功率时，需要更长的再稳定时间来达到先前的老化速率。重建期间有所不同。 24小时后对三次泛音AT切割恒温振荡器的再稳定化表示非应力补偿晶体的非常好的性能。甚至少量晶体污染的存在将显着延长再稳定期。

这在实践中意味着什么？首先，如果可能的话，应该持续为恒温振荡器供电。如果电源中断是不可避免的，请注意振荡器将比正常预热需要一些时间才能恢复到先前的老化速率，并且由于老化和滞后，不太可能返回到完全相同的频率。 AT切割谐振器的迟滞不太可能比10-8中的几个部分好得多。重新稳定期间的频率调整不是一个好主意。凭借其设计精密恒温振荡器的丰富经验，Vectron晶振能够协助确定适当的再稳定期，特别是在断电期超过几天且需要更长的再稳定期的情况下。

石英晶体振荡器是用于生产振动的电路，由于振荡器的频率决定元件所包含的一个石英晶体振荡器，石英晶体振荡器可说服它们的频率精度和频率稳定性。实际上，这些电路经常被用作无线电，处理器和微控制的时钟。此外，大家可以在石英表中找到它们。因此石英和石英晶体振荡器被认为是数据传输和电信中频率控制的最重要组成部分，这也并不奇怪，因为它们的主要优点包括高谐振质量，大量振荡器选择和高频率性。

于对用于测量设备，卫星导航设备或者电信设备而言，由于价格敏感，振荡器的要注主要取决于频率，稳定性，外壳类型，输出信号和温度范围。例如，仪表，卫星导航设备或电信设备等专业应用对内置振荡器有更高的要求。包括具有良好的稳定性。低相位噪声和长寿命。为了实现这一点，所使用的石英还必须具有改进的老化性能，以实现相应的整体性能。为了最小化初始老化效应，所有振荡器都需要经历所谓的预老化过程，因此，只有在运行了几天后才能达到最终的稳定性。

KVG QUARTZ CRYSTAL TECHNOLOGY GMBH公司成立于1946年.在第二次世界大战结束后不久,物理学家库尔特·克林林创建了KVG公司. 不久后KVG公司就迁往内卡比绍夫斯海姆, 也就是现在KVG总公司所在地. 在1996年，KVG成为美国Dover有限公司在欧洲的晶体与晶体振荡器产品的合作伙伴。 1997年，晶体陶瓷在OCXOs和精准晶体的生产中被实际使用, 从而闻名世界. 

从2002年起,KVG再次成为独立公司. 新的公司领导者曼弗雷德·克利姆和格尔德克劳斯科夫先生都是在这行业具有多年的经验. 

以下是KVG晶振公司的发展历史。

KVG公司的发展史展现了晶体产品生产技术持续更新发展的过程：

· 1963 KVG使用合成晶体材料.

· 1964 研发和生产晶体滤波器.

· 1968 生产温度补偿晶振TCXOs.

· 1970 晶体生产中的直接溅镀.

· 1971 整块晶体滤波器的生产.

· 1972 生产凸面性晶体晶片.

· 1974 引进射线测量技术用于切割面角度的测定.

· 1979 以电脑为后台的晶体温度测定.

· 1981 以计算机为支持的TCXO的生产.

· 1983 KVG研发基于晶体的传感器和研发OCXOs.

· 1987 基于计算机控制的质量管理体系.

· 1988 SMD组件的自动装备机.

· 1993 622.08MHz的VCXOs.

· 1994 建立产品线，以HFF为晶体基座，最大振动频率达到200MHz.

· 1994 用SC-晶体生产OCXOs.

· 1995 使用镭射技术进行晶振的频率协调.

· 1997 生产 SMD OCXOs系列的 OCXO-6000.

· 1998 生产ASIC-TCXOs.

· 1999 用HFF晶体生产VCXOs.

· 2000 建立新生产，用于生产精准晶体的产品系列.

· 2002 KVG重塑独立实体.

· 2003 在晶体振荡器中使用电子谐频.

· 2005 设计出低相噪OCXO.

· 2007 设计出航天级的晶体.

· 2008 设计出航天级的晶体振荡器.

· 2009 建成新的生产设备.

· 2010 KVG重组了晶体和振荡器生产工厂.

· 2010 设计出抗冲击振动 OCXOs.

· 2011 空间晶体得到欧洲航天局的资格认证.

· 2013 以晶体振荡器XO和VCXO成为欧洲航天局的资格供应商.

· 2014 采用机械阻尼OCXO模块.

· 2015 设计出超低相躁RF-OCXO和抗冲击振动OCXO.

在恒温晶振的领域内的新设计，如提高抗冲击振动技术，新的RF TCXO和OCXO,使得在晶体和晶体振荡器的领域再次设定了标准.

凭借1965年雷达用精密晶体滤波器的基础，Mtronpti设计和制造了用于高可靠性和恶劣环境应用中的数据定时和射频频谱控制的射频和微波解决方案。Mtronpti成立于2004年，由M-tron Industries，Inc.收购Piezo Technology，Inc.，是LGL Group，Inc.的全资子公司。

在航空航天和国防市场，Mtronpti的数字调谐滤波器支持在存在电磁干扰的情况下进行安全通信。低漂移、高精度振荡器为地面、车辆、空中和卫星通信以及电子对抗提供可靠的频率锁定。抗振动和冲击的水晶钟使雷达图像更加清晰，并有助于监控商用飞机发动机的性能。

对于互联网通信，mtronpti晶振公司具有非常低的噪声和包同步时钟有助于增加带宽，防止蜂窝基站、micro和femto蜂窝以及Wi-Fi接入点的数据丢失。毫米波滤波器确保公司和电信的点对点链接保持无误。

在实验室工作台或消费电子产品生产测试台上，mtronpti超低噪声频率基准振荡器确保了准确的测量。当公共安全至关重要时，mtronpti宽温度范围/防水腔过滤器确保可靠的无线电通信。

卫星链路、相控阵雷达和抗IED干扰机使用mtronpti射频功率放大器将信号增强到天线。

Mtronpti晶振公司位于佛罗里达州奥兰多，在美国和印度制造业，在垂直方向上与基础材料科学、设计和制造方面的丰富经验相结合。凭借AS9100 C版和ISO 9001:2008全球认证、销售和支持，作为公认的服务领导者，MTronpti通过分销合作伙伴支持思科、雷神、爱立信、哈里斯、罗克韦尔柯林斯、联合技术航空和近2000家小型客户等主要原始设备制造商的创新和可靠性

LGL集团公司的工程和设计起源可以追溯到上个世纪初。 1917年，LGL的前身林奇玻璃机械公司成立，并在二十年代末成为玻璃成型机械的成功制造商。该公司后来更名为林奇公司，并于1928年根据印第安纳州法律注册成立。 1946年，林奇被列入“纽约路边交易所”，这是纽约证券交易所MKT的前身。该公司在精密工程，制造和服务领域拥有和经营各种业务的历史悠久。

LGL集团公司（以下简称“公司”）于2007年根据特拉华州法律重新注册，并作为控股公司，其子公司从事定制设计，高度工程化的电子元件制造。该公司的办公室位于佛罗里达州奥兰多市沙德路2525号，邮编32804。公司的普通股在纽约证券交易所股票代码：MKT上以股票代码“LGL”进行交易。

公司通过其主要子公司M-tron Industries，Inc.运营，包括M-tron Industries，Ltd.（“MTRON”）的运营，以及MTRON的子公司Piezo Technology，Inc.和Piezo Technology India Private Ltd.（合称“PTI”）。2004年10月，MTRON和PTI合并为一家公司，拥有业内最广泛的产品组合之一。MTRONPIT和PTI的联合业务被称为“MTRONPIT”。MTRONPIT在奥兰多、佛罗里达、扬克顿、南达科他州和印度诺伊达都有业务。此外，MtronPTI在香港和中国的上海设有销售办事处。

Mtron Industries，Inc.（“MTRON”）始建于1965年，原名为Mechtronics，Industries，Inc.。此后不久，该公司正式更名为M-tron Industries，Inc.。早期，MTRON的主要业务是为CB无线电市场制造晶振。当20世纪70年代末技术发生变化时，MTRON也发生了变化。营销方式的改变和产品的持续发展为公司提供了新的生活。MTRON被称为高质量、高可靠性晶体、振荡器的供应商，在某种程度上，VCXO（压电控制晶振）和TCXO（温度补偿晶振）产品将用于诸如电信基础设施（用于制造电话系统）以及后来的互联网功能等应用。1976年，M-tron Industries，Inc.被收购。2002年，MTRON收购了伊利诺伊州富兰克林公园的Champion Technologies，Inc.的资产。在20世纪80年代中期，Champion是摩托罗拉的子公司。这次收购通过扩大产品供应和客户群，帮助MTRON从2001年和2002年的电信市场崩溃中更快地复苏。

1965年，几乎在MTRON成立的同时，成立了另一家公司，名为Piezo Technology，Inc.。PTI的成立是为了设计和建造用于所有类型设备的晶体滤波器，其中某些类型的噪声需要从电路中过滤出来。多年来，PTI在业务和产品方面都有所发展，包括LC（集总元件）滤波器、TCXO和OCXO（恒温晶体振荡器）产品。PTI的主要市场是军事、航空电子和仪器仪表。1995年，PTI在印度开设了生产基地，2004年M-tron Industries，Inc.收购了Piezo Technology，Inc.。

LGL的业务发展战略主要集中在通过MTRONPTI晶振通过有机增长、扩展到新的地理市场细分市场以及通过其他战略机会扩展现有业务。MtronPTI目前在全球范围内占有一席之地，为大多数需要精确定时和过滤产品的主要市场提供服务。公司的目标细分市场包括高端电信、军事、仪器、空间和航空电子设备（简称“MISA”）。

关于ABRACON晶振公司你了解多少呢?ABRACON晶振公司成立于1992年，总部位于德克萨斯州，是全球领先的无源晶振与机电定时，同步，电源连接和射频解决方案制造商。ABRACON晶振公司提供多种石英晶体和晶体振荡器，MEMS振荡器，实时时钟（RTC),蓝牙模块，陶瓷谐振器，SAW滤波器和谐振器，电源和RF电感器，变压器，电路保护元件和RF天线以及无线充电线圈等产品。ABRACON晶振公司规模庞大，致力于像全球供应优质的电子元器件产品。并且,ABRACON晶振公司已经通过了ISO9001-2008认证，在德克萨斯州拥有设计和应用工程资源，并在德克萨斯州，加利福尼亚州，中国，台湾，新加坡，苏格兰，以色列，匈牙利，英国和德国等地设有销售办事处。并通过网络向全球分销提供货。

ABRACON CRYSTAL公司为多个市场提供组件，包括物联网，工业控制，汽车，运输，通信，照明，消费以及其它设备，这些市场都需要不断的创新产品，并且，ABRACON晶振公司在电源连接，射频和定时技术方面都会推出新产品，并提供更先进的技术服务。

最近ABRACON晶振公司发布了业界领先的LOT系列石英晶振，主要用于节能MCU和RF芯片组，功率优化的119fs超低抖动AX7系列时钟晶体振荡器，产品应用比较广泛，或优化芯片性能，具有高效率的性能。为物联网协议和ARJM11 RJ45设计的贴片以及外部天线，集成磁性支持10 / 100Base-T，1000Base-T，2.5GBase-T和5GBase-T。ABRACON晶振公司在过去的12个月内发布了超过20’000个新零件号。ABRACON晶振公司拥有强大的销售服务以及技术支持团队.

从早期的无线电到雷达，以及现在的数字计算，每个电路都需要一个时钟或心跳来指导其功能。时序控制从低功率到高精度的各种应用中的处理速率，数据连接和RF传输频带。时间已成为一个多元化的工程领域。考虑到可以设计时钟电路的多种方式以及每年引入该行业的许多进步，工程师应该定期重新考虑其时序考虑因素。以下是基本计时设备列表以及使用它们的最佳时间。

1.LC谐振器

LC谐振器是最简单和常用的定时电路，由放大器，电感器和电容器组成。主要优点包括低成本和易于集成，特别是在高频率下。然而，它不是非常准确，并且随温度变化很大。这种可变性提供了一个额外的属性：宽拉范围。因此，在开发小型或高度集成的压控振荡器（VCO）时，LC是首选的谐振器。这些振荡器在PCB或片上设计用于跟踪或锁定其他频率。由于温度可以使频率+/- 10,000 ppm或更高，因此LC不够精确，无法单独运行。

2.陶瓷谐振器

陶瓷谐振器的主要优点是成本。如果您正在寻找最低成本和稳定的解决方案，那么这项技术可以帮助您实现这一目标。不要指望在整个温度范围内稳定性小于+/- 1000ppm。该谐振器成本低，但不能用于精确或甚至部分精确的定时。玩具，低端设备和低端MCU应用程序等通用应用程序可以摆脱这种不精确的程度。如果您需要更高的精度，其他谐振器将帮助您。

3.石英晶体

石英晶体因其自补偿温度稳定性，出色的初始精度和适中的成本而成为时间之王。作为谐振器，它具有高Q值，可实现极低的在线噪声。批量生产已经对这些设备的精度和成本进行了微调，因此价格适中的晶体现在可以实现+/- 20ppm至+/- 50ppm的总体精度。它具有出色的稳定性，是当今许多连接协议的理想时间基础，从Wi-Fi，Zigbee和蓝牙到汽车LIN / CAN，以太网，UART和工业应用。定时MCU和使用石英晶体的处理器提供的精度可以满足常见的连接协议。但是，有些协议需要更高的性能。晶体的精度可以提高。

4.石英晶体振荡器（XO）

石英晶体振荡器集成了振荡器芯片和石英晶体。它提供了石英的准确性和低噪声优势，但降低了电路板走线引起的可变性。在某些情况下，振荡器芯片还将基本石英频率乘以应用所需的频率。在非常低噪声的系统中使用XO而不是裸石英晶体是必要的，例如高速通信，光学互连，光学模块，测试和测量以及先进的RF应用。XO以高频率提供低噪声，这对于使用普通晶体来说是难以实现的。高性能系统中使用的顶级频率如100MHz，156.25MHz或312.5MHz需要使用XO提供的差分LVPECL，LVDS，HCSL或CML信号进行调理。

5.温度补偿晶振（TCXO）

虽然XO提供缓冲和频率转换，但它们跟踪石英晶体毛坯的精度。若干通信和电信应用，例如点对点RF，GNSS / GPS，移动电话，LPWAN网关和其他精密RF连接系统，需要在整个温度范围内具有+/- 0.5ppm至+/- 2.5ppm的频率稳定性。Stratum III需要+/- 0.28ppm的稳定性。裸露的石英不够稳定，不易达到低于10ppm的稳定性。TCXO经历了一个制造流程，可以测量和校准其频率偏差。明显的缺点是成本。请记住，没有什么比终端系统中不可操作的数据链路更昂贵。

6.烤箱控制的晶体振荡器（OCXO）

OCXO可以达到几乎不可想象的精度水平+/- 0.1ppm至0.1ppb或更高的温度。TCXO技术不仅使用温度校准。OCXO通过添加二阶控制 - 石英毛坯的温度来实现稳定性。在启动时，OCXO将石英毛坯加热到比环境温度高约10度，并将温度控制在该水平，从而最大限度地减少温度扰动。在许多情况下，OCXO还具有机械防护冲击和振动功能，使终端系统能够实现最大时钟精度以满足要求。与军用和雷达相关的许多应用以及用于移动电话的基站收发信台（BTS）需要这种精确度。快速移动车辆中的先进高精度GPS也需要高精度。

7.微电子机械系统（MEMS）

MEMS技术与石英并行发展。MEMS基于硅而非石英晶体，具有小型化和抗冲击和振动的优点。由于与MEMS谐振器相关的复杂性，MEMS的主要缺点是成本。虽然它可以用于晶体，XO和TCXO涵盖的各种应用中，但是当需要高耐久性时，MEMS是最佳的。此外，在尺寸为1.6 x 1.2mm的超小尺寸下，MEMS与晶体竞争非常激烈。可穿戴设备，无线充电板，工业控制，机器人，无人机和AR / VR等应用可以充分利用MEMS的耐用性和尺寸。

由于视频和其他内容的传送导致移动流量的增加，移动通信网络中基站的业务容量变得越来越紧张。作为解决方案，已经提出通过增加小小区的数量来减少宏小区的负担，并且预期将来对小小区的需求将继续增加。

   另一方面，为了将每个网络节点和基站的时间误差减少到5G，需要越来越高精度和高稳定性的时钟。

应用于每个电信公司核心部分的顶部时钟（PRTC / T-GM）通过铯和铷等原子钟实现了极高的精度。安装在网络上的每个设备都与这个顶部时钟同步，但是如果由于某种原因无法实现同步，则需要以其自身的准确度继续通信定义了Holdover的准确性，它确保了在时间之前基于同步数据的准确性，以及以其自身精度操作的自由运行的准确性。

高精度的TCXO(温补晶振)是可以作出温度补偿功能的振荡器，可实现与OCXO(恒温晶体振荡器)一样的高精度值.这类的高精度TCXO振荡器主要用于网络基础设施.为了在4G以及5G中实现高同步设置,村田陶瓷谐振器公司正在开发频率稳定度为STRATUM 3级或者更高级别的产品.除了存在或者不存在Vc功能外,输出波型还可以选择两种类型的：削波正弦和CMOS.

虽然说5G时代的到来是需要更精确的定时装置,但OCXO晶振高精度装置往往在成本上面会有着很大的差异,尺寸功耗大等问题都会影响到客户的使用与设计.因此,muRata晶振公司经过多方面的研究与探讨,从TCXO振荡器着手,通过提高TCXO的准确性从而创造一个不需要OCXO振荡器的世界.

村田陶瓷振荡器公司所研发的高精度TCXO振荡器具有与OCXO振荡器相同的温度特性,在-40~+85度的温度范围内具有+-200ppb的高精度。以确保G.8262对以太网设备时钟所需要的精度.以确保可以正常自由的运行.

现村田陶瓷振荡子晶振公司正在开发具有扩展温度范围的产品,以应对恶劣的环境.

日本村田新研发出一款MEMS谐振器，尺寸仅有0.9*0.6*0.3mm。实现了现石英晶体谐振器达不到超小尺寸，并且低ESR特性的产品。MEMS谐振器的诞生可代替许多石英晶体谐振器。有很多人就想问了什么是MEMS谐振器？它跟振荡器有什么区别？MEMS谐振器有哪些特点？工作原理有哪些？使用都需要注意一些什么问题？等等一大串的问题就随之而来了。

那么我们将一一把问题给大家回复。

首先，大家肯定是会对日本村田陶瓷晶振制作所研发出的产品有些疑问，什么是MEMS呢？其实MEMS指的是微机电系统（Micro Mlectro Mechanical Systems),这种装置运用了半导体生产工艺技术，具有三维微细结构。除了面对MEMS谐振器还有一种是振荡器，MEMS振荡器跟其它普通石英晶体振荡器是一样的，将振荡用电路也谐振器融为一体的装置。可用科尔皮兹振荡电路之类的普通振荡电路驱动。

WMRAG32K76CS1C00R0谐振器是村田MEMS技术的代表作品。该产品具有体极柢的ESR特性以及极小尺寸封装，这个是目前石英晶体谐振器无法实现的突破。极小的尺寸有助于减小安装面积，通过优化IC增益，实现了低ESR的MEMS谐振器，降低了功耗。也可用于回流焊接，引线键合和传递模型。WMRAG32K76CS1C00R0谐振器具有晶体该有的特性，32.768KHZ标频以及20PPM标准稳定偏差。可在-30~+85度下正常工作。驱动电平在0.2μW以内。当您考虑置换晶体的时候，要注意晶体谐振器和MEMS谐振器的负载电容量值不同。

并且要知道MEMS谐振器与普通石英晶体谐振器的区别。

关于HOSONIC鸿星晶振公司可能挺多人也知道，HOSONIC CRYSTAL鸿星晶振股份有限公司成立于1979年在台湾设立登记成立公司，登记的资本为新台币200万元。公司成立之后便于台湾投入石英晶体研发制造.1994年新增资本3400万元，开始大力研发生产石英晶体振荡器，石英晶振，贴片晶振，压控振荡器的研发生产。

About HOSONIC CRYSTAL Company may know that HOSONIC CRYSTAL was established in 1979 to establish a registered company in Taiwan with a registered capital of NT$2 million. After the establishment of the company, it is convenient for Taiwan to invest in the research and development of quartz crystal. In 1994, the company added 34 million yuan of capital, and began to vigorously research and develop the production and production of quartz crystal oscillator, quartz crystal oscillator, patch crystal oscillator and voltage controlled oscillator.

台湾NSK晶振公司不仅生产石英晶振,石英晶体谐振器,晶体振荡器,温补晶振,压控晶体,还生产陶瓷谐振器(Ceramic Resonator),陶瓷滤波器(Ceramic Filter),ZTA陶瓷晶振,ZTT陶瓷晶振,3.58M,6M,4M,8M,16M,24M,27M频率均有现货供应.ZTA晶振可从低频1M到50MHZ,主要应用于电视遥控器,风扇遥控器,USB,鼠标等产品.

NSK Ceramic Resonator

	NRA ZTA/ MG, MT, MX	DIP	1.8 MHz to 50.0 MHz	10.0*5.0*10.0

	NRE ZTTCV MT, MX	SMD	8.0 to 50 MHz	3.7*3.1*1.2

	NRE ZTTCS MT, MX	SMD	7.0 to 50 MHz	4.7*4.1*1.6

	NRE ZTTCC MG	SMD	2 to 6.99 MHz	7.4*3.4*1.8

	NRD ZTACV MT, MX	SMD	8.0 to 50 MHz	3.7*3.1*1.2

	NRD ZTACS MT, MX	SMD	7.0 to 50 MHz	4.7*4.1*1.6

	NRD ZTACC MG	SMD	2.0 to 6.99 MHz	7.4*3.4*1.8

	NRT ZTT/ MG, MT, MX	DIP	1.8 MHz to 50 MHz	10.0*5.0*10.0

NSK Ceramic Filter

陶瓷滤波器LT4.5MB,LT5.5MB,LT6.5MB可以免提提供样品测试,陶瓷滤波器主要应用于TV/VCR产品等.L10.7M陶瓷滤波器均可在线供应.

	NRF LT4.5MB	DIP	4.43MHz to 6.5MHz	5*3.2

	NRF LTCA/CV	SMD	10.7MHz	6.9*2.9*1.5

	NRF JT4.5MD	DIP	4.5MHz to 6.5MHz	9.0*5.0*10.0

	NRF JT4.5MC	DIP	4.5MHz to 6.5MHz	9.0*5.0*10.0

NRF JT10.7M

SMD

10.7MHz

9.0*5.0*7.0

Taiwan NSK Crystal Co., Ltd. not only produces quartz crystal oscillator, quartz crystal resonator, crystal oscillator, temperature-compensated crystal oscillator, voltage-controlled crystal, but also ceramic resonator (Ceramic Resonator), ceramic filter (Ceramic Filter), ZTA ceramic crystal, ZTT ceramic. Crystal oscillator, 3.58M, 6M, 4M, 8M, 16M, 24M, 27M frequency are available from stock. ZTA crystal oscillator can be used from low frequency 1M to 50MHZ, mainly used in TV remote control, fan remote control, USB, mouse and other products.

TXC晶振有分好多種類型,溫補晶體振蕩器,壓控振蕩器,恒溫晶體振蕩器OCXO振蕩器.以下泰河電子為大家整理提供已分好類別的TXC溫補振蕩器及VCXO振蕩器選型表,以供大家選型參考使用.雖然TXC晶振的型號眾多,但是並不會難記.

TXC压控振荡器VCXO系列 - CMOS
	Model	Frequency	Stability (-40~85ºC)	Voltage	Output	Oscillation	Dimensions
	6U	1 ~ 59MHz	±50ppm	3.3V, 5V	CMOS	Fundamental	7 x 5 x 1.3mm
	BR	60 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	CMOS	Fundamental	7 x 5 x 1.3mm
	CR	50 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	CMOS	Fundamental	5 x 3.2 x 1.2mm

TXC压控振荡器VCXO系列 - 差分晶振 一般来说单相输出称之为晶体振荡器,并以正弦波或者CMOS波型(矩型波)输出为主要代表. 剪切的正弦波输出具有类似圆角矩形的波形,并常用于RF电路,因为它抑制了不必要的谐波.TCXO(温度补偿晶体振荡器)被称为削波正弦波输出的产物.由于CMOS波输出是对应于数字信号处理的逻辑电子的信号输出,所以有利于数字信号的传送,并用于时钟,如CPU等.
	Model	Frequency	Stability (-40~85ºC)	Voltage	Output	Oscillation	Dimensions
	BJ	60 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	LVPECL	Fundamental	7 x 5 x 1.3mm
	BK	60 ~ 700MHz	±50ppm	3.3V	LVPECL	PLL	7 x 5 x 1.3mm
	BN	60 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	LVDS	Fundamental	7 x 5 x 1.3mm
	BP	60 ~ 700MHz	±50ppm	3.3V	LVDS	PLL	7 x 5 x 1.3mm
	CJ	60 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	LVPECL	Fundamental	5 x 3.2 x 1.2mm
	CN	50 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	LVDS	Fundamental	5 x 3.2 x 1.2mm

TXC温补振荡器TCXO系列 - Basic 什么是温补晶振。来自温度传感器的输出信号用于通过补偿网络产生校正电压。 校正电压施加到VCXO中的变容二极管。 电容变化可以补偿晶体的频率与温度特性.
	Model	Frequency	Stability (-30~85ºC)	Operating Temp	Voltage	Output	Dimensions
	7Q	13 ~ 52MHz	±2ppm	-40~+85ºC	2.4V-3.3V	Clipped Sinewave	3.2 x 2.5 x 1mm
	7L	13 ~ 52MHz	±2ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	2.5 x 2 x 0.8mm
	7Z	26 ~ 52MHz	±2ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	2.0 x 1.6 x 0.8mm
	8P	26 ~ 52MHz	±2ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	1.6 x 1.2 x 0.6mm

TXC温补振荡器TCXO系列 - GPS专用
	Model	Frequency	Stability (-30~85ºC)	Operating Temp	Voltage	Output	Dimensions
	7Q	13 ~ 52MHz	±0.5ppm	-40~+85ºC	2.4V-3.3V	Clipped Sinewave	3.2 x 2.5 x 1mm
	7L	13 ~ 52MHz	±0.5ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	2.5 x 2 x 0.8mm
	7Z	26 ~ 52MHz	±0.5ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	2.0 x 1.6 x 0.8mm
	8P	26 ~ 52MHz	±0.5ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	1.6 x 1.2 x 0.6mm

TXC温补振荡器TCXO系列 - 高精度振荡器
	Model	Frequency	Stability (-40~85ºC)	Voltage	Output	Dimensions
	7N	10 ~ 52MHz	±0.28ppm	2.7V-5.5V	Clipped Sinewave /CMOS	7 x 5 x 2mm
	7P	10 ~ 52MHz	±0.28ppm	2.7V-5.5V	Clipped Sinewave /CMOS	5 x 3.2 x 1.2mm

TXC恒温晶体振荡器OCXO系列 - CMOS
	Model	Frequency	Stability	Voltage	Output	Dimensions
	OC	10 ~ 25MHz	±5ppb (0~70ºC)	5, 12V	CMOS	36 x 27mm
	OB	10 ~ 25MHz	±10ppb (0~75ºC)	3.3, 5V	CMOS	25 x 25mm
	OA	10 ~ 40MHz	±200ppb (-30~70ºC)	3.3, 5V	CMOS	20 x 20mm