频率生成是当今在商业,工业和军事技术中的基本功能,所有的振荡器信号都包含着一定程度的噪声.尽管是很简单的振荡器,比如电阻电容(RC)或电感电容(LC)谐振器构成的振荡器构成简单振荡器的电路是足够的.很是很多应用要求石英晶体振荡器提供额外的稳定性和较低的噪声.

理想的振荡器可以在单一频率下生产完美的重复信号,然而电子元器件和频率确定谐振电路中的噪声过程可导致瞬时频率围绕其中心值变化或抖动.这导致在任何给定时间精确频率的不确定性,并且由振荡器产生的频谱分布在窄频带上,其中大部分能量集中在中心频率附近.

有很多种方法可以测量或者表达这种振荡器噪声现象,但对于精密振荡器来说,最常见的方法是相位噪声.相位噪声在频域中被测量,绘制为信号幅度与频率,这是在频谱分析仪上显示的表示.对于相对有噪声的信号,如果测量带宽设置得当,则可以在频谱分析仪上直接观察到相位噪声.但对于大多数晶体振荡器产生的清洁信号,分析仪的宽带本振的噪声高于等测源的噪声,因此无法直接观察被测单元的噪声.因此必须采用一些提高测量系统灵敏度的方法.

相位噪声测量方框图

实现这种灵敏度提高的最常用方法是将一个石英晶体振荡器与另一个振荡器进行比较。这就是大多数商用相位噪声测量系统的操作方式。将非常低的噪声参考振荡器被调整为与被测试单元完全相同的频率。当这两个信号被馈送到相位检测器，它们的相对相位被调整并锁定在90度偏移时，混频器中的载波频率被取消。在对高频分量进行滤波之后，只有残余噪声调制已经被混合到基带频率。然后对该噪声信号进行放大以提高灵敏度。由于高频信号已经通过混合和滤波处理被去除，因此剩余噪声信号可以用非常低的带宽分析器来检测。 

为了使相位噪声测量更加标准化,结果通常表示为在中心载波频率到载波信号功率的给定偏移距离处以1MHZ带宽测量的边带噪声功率与载波信号功率的比率,然后生产如下图所示的图表.

这些图显示了在10 MHz和100 MHz的精密低噪声晶体振荡器的性能。这两个单元在大于10kHz偏移的载波上实现比170 dBc/Hz更好的噪声基底。展现了商业产品的最先进性能。

在接近载波的较低偏移频率下，相位噪声由晶体谐振器的质量决定。100MHz晶体具有比10 MHz晶体低得多的“Q”，因此在低偏移处噪声更高。

精密石英晶体振荡器已被证明可以提供最好的相位噪声性能从任何商用设备。由于石英固有的频率稳定性，即使是简单的晶体时钟振荡器也能够给出非常好的相位噪声性能。

图片 零件号 符合RoHS  封装 逻辑（输出） 供电电压 频率 TX-O 合规 2.5 X 2.0陶瓷 4焊盘SMD 截断正弦波 2.5V，2.8V，3.0V，3.3V 16.000MHz~26.000MHz TX-U 合规 2.0 X 1.6陶瓷 4垫SMD 截断正弦波 1.8V，2.5V  2.8V，3.0V，3.3V 13.000MHz~52.000MHz TX-N 合规 2.5 X 2.0陶瓷 4焊盘SMD 截断正弦波 1.8V，2.5V，2.8V 13.000MHz~52.000MHz TX-L 合规 3.2 X 2.5陶瓷 4垫SMD  CMOS  削波正弦波 1.8V，2.5V  2.8V，3.0V，3.3V 4.000MHz~54.000MHz TX-M 合规 3.2 X 2.5陶瓷 4焊盘SMD   （模拟补偿） 截断正弦波 1.8V，2.5V  2.8V，3.0V，3.3V 16.000MHz~26.000MHz TX-Q 合规 3.2 X 2.5陶瓷 4垫SMD  CMOS 1.8V，2.5V  2.8V，3.0V，3.3V 4.000MHz~54.000MHz TFC5 合规 5.0 X 3.2陶瓷 4垫SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 10.000MHz~40.000MHz TX-J 合规 5.0 X 3.2陶瓷 4垫SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 10.000MHz~40.000MHz TE-J 合规 5.0 X 3.2 Epoxy  4 Pad SMD CMOS  削波正弦波 1.8V，2.5V，3.3V 13.000MHz~52.000MHz TX-T 合规 5.0 X 3.2陶瓷 4垫SMD CMOS  削波正弦波 1.8V，2.5V，2.8V  3.0V，3.3V，5.0V 4.000MHz~54.000MHz TFC 合规 7.0 X 5.0陶瓷 SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 5.000MHz~40.000MHz TE-S 合规 7.0 X 5.0 Epoxy  4 Pad SMD CMOS  削波正弦波 1.8V，2.5V，3.3V 10.000MHz~40.000MHz TXCS 合规 7.0 X 5.0陶瓷 SMD LVCMOS 截断正弦波 3.3V 10.000MHz~16.376MHz TX-K 合规 7.0 X 5.0陶瓷 4垫SMD CMOS  削波正弦波 2.5V，3.3V 5.000MHz~52.000MHz TX-P 合规 7.0 X 5.0陶瓷 4垫SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 5.000MHz~40.000MHz TX-S 合规 7.0 X 5.0陶瓷 SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 5.000MHz~50.000MHz TX-SB 合规 7.0 X 5.0陶瓷 SMD 截断正弦波 3.3V，5.0V 10.000MHz~27.000MHz TX-R 合规 7.0 X 5.0陶瓷 4垫SMD CMOS 3.3V，5.0V 1.250MHz~156.250MHz TX-V 合规 7.0 X 5.0陶瓷 SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 5.000MHz~40.000MHz TX-A 合规 14针DIP通孔 4.5mm高度 CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-AL 合规 14针DIP通孔 4.5mm高度 LVDS  LVPECL 3.3V，5.0V 750kHz~800.000MHz TX-B 合规 14针DIP通孔 8.5mm高度 CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-BL 合规 14针DIP通孔 8.5mm高度 LVDS  LVPECL 3.3V，5.0V 750kHz~800.000MHz TX-C 合规 20.0 X 20.0  DIP通孔 CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-d 合规 14.3 X 8.7 FR4 PCB  4焊盘SMD CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-D6 合规 14.3 X 8.7 FR4 PCB  6焊盘SMD CMOS / TTL  LVDS / LVPECL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-E 合规 18.3 X 11.7 PCB SMD CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-EL 合规 18.3 X 11.7 PCB SMD LVDS  LVPECL 3.3V，5.0V 750kHz~800.000MHz TX-F4 合规 11.4 X 9.8 PCB  4焊盘SMD CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-F6 合规 11.4 X 9.8 PCB  6焊盘SMD CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz VTXLN 合规 11.4 X 9.6 PCB  4焊盘SMD  -150dBC / Hz @ 1kHz HCMOS 3.3V，5.0V 10.000MHz~20.000MHz TX-G 合规 11.4 X 11.6 PCB  鸥翼式SMD CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1.250MHz~50.000MHz TX-H 合规 14针DIP  密封 通孔 CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TFL 合规 14针DIP  密封 通孔 LVDS  LVPECL 3.3V，5.0V 750kHz~800.000MHz THH 合规 8针DIP  密封 通孔 CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz THL 合规 8针DIP  密封 通孔 LVDS  LVPECL 3.3V，5.0V 750kHz~800.000MHz

The company is Transko crystal in California, USA. Since its establishment in 1992, the company has been committed to the development and production of high-precision TCXO temperature-compensated crystal oscillators. Since 1993, it has opened a manufacturing plant in Laguna Hills, California, USA, and introduced high-end production equipment. After four years, it began to officially produce TCXO. Temperature-compensated crystal oscillators and VCXO voltage-controlled crystal oscillators. In this year, Transko Tranco Crystal has achieved a very large growth breakthrough.

ILSI石英晶振产品具有压电特性,采用表面贴片式器件（SMD）通孔，金属罐和陶瓷封装配置。石英晶体及电压石英晶振是目前使用最常见的压电谐振器类型。石英晶振水晶产品可根据客户需要提供定制的标准频率，具有严格的稳定性和低有效串联电阻（ESR）等定制参数，并可根据客户提供要求定制.

产品图	规格型号	封装	尺寸	高度	频率	规格书
	IXA24	SMD	3.2 x 1.5	0.9	32.768kHz
	IXA14	SMD	2.5 x 2.0	0.65	12MHz - 54MHz
	IXA20	SMD	5.0 x 3.2	0.85	7.6MHz - 54MHz
	IXA18	SMD	5.0 x 3.2	1.1	7.6MHz - 54MHz
	IXA16	SMD	3.2 x 2.5	0.8	8MHz - 66MHz
	IXA12	SMD	2.0 x 1.6	0.55	16MHz - 54MHz
	IXA10	SMD	1.6 x 1.2	0.4	24MHz - 50MHz
	HC49U	LEADED	4.7 x 11.1	13.45	1.3MHz - 160MHz
	IL3W	SMD	1.0 x 1.6	0.5	32.768kHz
	HC49USM4	SMD	4.8 x 12.5	4.5或5.2	3.2MHz - 100MHz
	IL3R	SMD	1.4 x 7.0	1.4	32.768kHz的
	ILCX21	SMD	1.0 x 1.2	0.33	36MHz - 80MHz
	IL3T	SMD	1.2 x 2.0	0.6	32.768kHz
	ILCX20	SMD	1.2 x 1.6	0.4	26MHz - 60MHz
	39	LEADED	3.2 x 10.5	10.5	3MHz - 100MHz
	38/26/15	LEADED	3/2/1 x 8/6/5	请参阅部件号指南	30kHz - 192kHz
	UM1 / UM4 / UM5	LEADED	3.2 x 8.0	请参阅部件号指南	7MHz - 160MHz
	HC49US	LEADED	4.7 x 11.1	请参阅部件号指南	3.2MHz - 100MHz
	ILCX19	SMD	2.0 x 1.6	0.55	16MHz - 72MHz
	ILCX18	SMD	2.0 x 2.5	0.55	12MHz - 80MHz
	ILCX13	SMD	2.5 x 3.2	0.9	10MHz - 150MHz
	ILCX10	SMD	5.0 x 7.0	1.3	6MHz - 100MHz
	ILCX09	SMD	3.5 x 6.0	1.1	8MHz - 100MHz
	ILCX08	SMD	3.5 x 6.0	1.1	8MHz - 100MHz
	ILCX07	SMD	5.0 x 3.2	1.0	8MHz - 150MHz
	ILCX04	SMD	5.0 x 7.0	1.3	6MHz - 150MHz
	ILCX03	SMD	3.2 x 5.0	1.3	10MHz - 100MHz
	IL3Y	SMD	1.5 x 4.1	0.9	32.768kHz
	IL3X	SMD	1.5 x 3.2	0.9	32.768kHz
	IL3M	SMD	3.8 x 8.0	2.5	32.768kHz
	HC49USM	SMD	4.7 x 13.0	请参阅部件号指南	3.2MHz - 100MHz

ILSIcrystal products have piezoelectric properties and are available in surface mount devices (SMD) vias, metal cans and ceramic packages. Quartz crystals and voltage quartz crystals are the most common types of piezoelectric resonators currently in use. Quartz crystal crystal products can be customized according to customer's needs, with strict stability and low effective series resistance (ESR) and other custom parameters, and can be customized according to customer requirements.

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具有传统结构的小型化晶体芯片（左图）减小了电极的面积（以红色表示）。
用H形槽结构制造芯片提供了更大的电极面积并提高了电解效率。这种设计使小型化晶体的CI值与普通晶体的CI值一样低（右图）。

Miniaturizing crystal chips with a conventional structure (left image) reduces the area of the electrodes (indicated in red). 
Fabricating the chips with an H-groove structure provides a larger electrode area and raises electrolytic efficiency. This design enables miniaturized crystal with CI values as low as those on ordinary-sized crystals (right image).

然而，使用QMEMS技术制造的晶体的CI值保持不变，与常规晶体的水平相当，即使晶体尺寸减小。

The CI value of a crystal fabricated using QMEMS technology, however, remains constant, at a level equivalent to that of conventional crystals, even as crystal size decreases.

HFF晶体单元/ HFF晶体振荡器（高频基波）

迄今为止，声电子学是功能电子学领域的一个积极发展领域。在声电子器件中，声表面滤波器（SAW）上的器件被广泛使用。优点，如高可靠性，低重量和紧凑的尺寸，精神不振，以执行各种信号处理操作确保这些设备的广泛应用和大量需求的能力，规定的规格以高精确度的实施，首先，在今天的市场商业通信。

SAW滤波器器件中的信息载体是弹性振荡的能量集中在固体的薄的近表面层中的波。压电单晶被用作传播介质。为了将电信号转换为声学和后向，并且还反射和改变声波的传播路径，使用施加到压电基板的表面的金属结构。声波的激发和接收是在表面活性剂的输入和输出转换器的帮助下进行的，其中电极的数量可以不同（从一个到几千）。

带有一个交指换能器（WSP）的SAW器件的外观如图1所示。1.表面活性剂的反射结构（OC）更经常是金属短路或开路电极的晶格或在衬底中蚀刻的沟槽系统。声波从输入到输出转换器的可用性，从表面不规则性反射并与电场和声场相互作用的能力提供了构建各种信号处理设备的可能性。

图。1.表面活性剂装置

SAW滤波器器件的特性取决于衬底材料的特性及其拓扑结构，即 SAW传感器和反射器的类型，数量，相对位置和几何尺寸。

器件的拓扑结构不仅取决于所执行的信号处理操作，还取决于所需的技术特性。现代SAW器件的拓扑结构的不同变体的数量估计有数百个。

用于表面活性剂的装置已经在各种无线电电子系统中得到应用，特别是在通信和广播系统中的雷达中。大多数情况下，这种设备执行线性信号处理的程序，即 通过预定的线性关系创建与输入信号有关的输出响应。在系统理论中，这样的设备被称为线性滤波器。例如延迟线，带通滤波器，用于复杂信号的相关处理的滤波器。表面声波滤波器（SAW）（图2）是一种固态功能器件，并且是由压电材料1制成的基板，其表面上应用了光催化系统的导电元件系统。

其中一个这样的系统 - 辐射转换器SAW 2 - 连接到输入信号的源，另一个 - 表面活性剂3的接收转换器 - 连接到负载。下高频电压源的发射换能器的交变电场，该电场是相邻电极之间的间隙中的作用由于基板材料的压电效应导致在其表面层的机械振荡。这些振荡沿表面声波形式的垂直于电极的方向在基底的薄的近表面层中传播。

图。2.表面声波滤波器的示意图

由于逆压电效应，在接收换能器的相邻电极之间，表面活性剂的机械振动导致出现作为输出信号的电压。

为了消除从基板的端部不期望SAW反射，以及到其它类型的声波能由发射换能器的表面活性剂被激发的衰减，所有外侧面和其端部由一种特殊的声音吸收涂层4覆盖。

为了降低滤波器的插入损耗通常是使用特殊的匹配电路，其被包括在源极和发射换能器和接收换能器之间与所述负载之间（未示出图2的匹配电路）。

如有必要，带有换能器和匹配电路的基板被放置在通常用作统一芯片外壳之一的公共外壳中。表面活性剂过滤器的特性主要取决于将电信号转换成声波的频率选择过程，反之亦然，即 这取决于SAW换能器，即，数量，几何尺寸和在所述转换器的电极的相互布置的拓扑结构，在相邻的电极（间隙长度）的电极连接到一个共同的求和轮胎的序列的重叠区域的长度。应用这种或那种转换器的拓扑结构，可以实现具有最多样化特征的滤波器。

与其他类型的滤波器相比，例如电LC或RC型，SAW滤波器具有以下优点：

·         在提供特定参数的高准确度的情况下实现AFC和PFC形式的各种足够复杂的可能性;

·         制造的可制造性，使用微电子标准工艺过程的可能性;

·         由于SAW滤波器是单片固态器件，因此在操作期间参数的高稳定性和操作的可靠性;

·         与微电子设备块具有良好的兼容性;

·         体积小，重量轻。

SAW滤波器的缺点包括：

·         成本增加，因为它们通常建在单晶压电基片上;

·         插入损耗水平增加，因为它们的转换器通常具有双向辐射和接收表面活性剂，因此不到信号源提供的功率的四分之一到达负载。

图。3. SAW滤波器的可能参数范围

SAW滤波器的一组成功优势很大程度上补偿了它们的缺点，所以目前SAW滤波器在很多频率上实际上没有竞争者。在图1中，图3显示了表面活性剂过滤器的可能参数的范围。