常用的微波炉是有一个计时功能,就是每次我们在调它到三分钟,五分钟,十分钟的时候,系统都会随着时间去推算,其实这也就是32.768K晶体起到的效果,就用晶振行业的一句官方语言来说,所以一切关于时计产品都用32.768K插件或贴片系列,高端的电子产品就用贴片晶振,现在电子产品应用插件晶振的越来越少了,插件晶振也慢慢退出晶振市场的迹象。

日本爱普生晶振MC-306是一款32.768k晶振，四脚贴片晶振，小体积尺寸8.0x3.8mm黑色陶瓷封装带斜边的石英晶体谐振器，无源晶振，工作温度-40℃至+85℃，具有小体积轻薄型，耐热性及耐环境特性特点，被广泛用于计时(时间基准)，钟表电子，智能手机，仪器仪表，微波炉，空调，电冰箱，平板电脑等。

微波炉专用晶振MC-306编码Q14MC3062023800

5G通讯设备专用晶振SG5032VAN编码X1G004261002100

爱普生晶振SG3225EAN是一款低抖动晶体振荡器，提供LV-PECL输出差分晶振，小体积尺寸采用3.2x2.5mm紧凑封装，六脚贴片晶振，通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽频率范围,为用户提供73.5MHZ至700MHZ高频,可选任一频点.具有出色的集成相位抖动性能，低电流,低电源电压可达到低值1V,这对于普通贴片晶振而言是做不到的，采用在2.5V至3.3V之间的单电源供电，高温储存温度可达-40℃~+125℃范围,工作温度范围-40℃~85℃.低老化的特点±5x10-6/year Max.差分晶振在产品中使用具有高可靠性.差分晶振的精度值（PPM）可精确到±10PM,±20PM,±30PM,±50PM等.

SG3225EAN晶体振荡器X1G004251012800用于无线通信模块晶振应用

爱普生晶振SG2520CAA，小体积尺寸2.5x2.0mm四脚贴片有源晶振，是具有CMOS输出的简单封装晶体振荡器(SPXO)。这款SPXO非常适合汽车和高可靠性应用,符合AEC-Q200标准。该SPXO具有低功耗、1.6V至3.63V的宽工作电压以及工作温度范围宽，从-40℃到125℃。

主要的应用范围是ADAS(高级驾驶员辅助系统),也就是常说的半自动驾驶系统,除此之外在摄像头,LiDAR(光监测和测距),雷达,网络连接也有应用;同时它还可以用于汽车信息娱乐系统,音频,时钟,仪表,集群,车身控制(BCM)等等.自此,可以断言,这一款爱普生旗下SG2520CAA贴片晶振将会是是其打开自动驾驶车载产品市场的关键性的一步。

SG2520CAA车用新型晶体振荡器X1G005951001116非常适合汽车和高可靠性应用

爱普生X1G005471001100压控晶振具有LV-PECL差分输出,5032mm晶振

压控晶振(VCXO)是一种石英晶体振荡器，其振荡效率可以通过红外线加控制电压来改变或调制。它的振荡频率由晶体决定，频率可以通过控制电压在小范围内调节。VCXO多用于锁相技术和频率负反馈调制。通常，控制电压范围为0V至2V或0V至3V。VCXO的调谐范围为100ppm至200ppm。

日本进口爱普生晶振VG-4231CE，是一款VCXO压控晶体振荡器，频率范围:3MHz至50MHz*，*50MHz不包括在输出频率范围内，电源电压:3.3V(PSCM/CSCM)，2.8V(PSBM/CSBM)，1.8V (PQEM/CQEM)，频率控制范围:140×10-6 (*SCM/*SBM)，120×10-6 (*QEM)，低功耗:1.0mA(典型值)。(27M，3.3V)，小体积晶振尺寸:3.2x2.5mm，有源晶振，四脚贴片晶振，输出波形CMOS，无铅/符合欧盟RoHS指令，标准参考重量26毫克，具有超小型，轻薄型，低功耗，低抖动，低电源电压，低损耗，低耗能等特点，多用于锁相技术、频率负反馈系统和频率调制，已成为通信机、移动电话、寻呼机、全球定位系统(GPS)等许多电子应用系统必不可少的关键部件。

VG-4231CE编码Q3614CE00008200压控晶振多用于锁相技术和频率负反馈调制

TG-5006CJ晶振编码X1G004131001000具有超小型2016mm温补晶体振荡器

日本进口爱普生晶振SG3225EEN，小体积晶振尺寸3.2x2.5mm有源晶振，是一款小体积六脚贴片晶振，频率范围可提供25M~200MHZ任一频点，2.5V,3.3V具有低电源电压,满足产品低消耗电流的特点，LV-PECL晶振，具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求,高技术石英晶体振荡器,具有相位低,损耗低的特点,该产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理双级信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的,差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性。

SG3225EEN晶振编码X1G005221000200差分晶振具有低消耗电流的特点

FOX晶振生产的FK135系列，编码FK135EIHM0.032768-T3，两脚贴片晶振，频率32.768kHz，小体积无源晶振尺寸3.2x1.5mm表面贴装，石英晶体谐振器，ESR（等效串联电阻）:70kΩ，负载电容：12.5pF，频率容差±20ppm，工作温度：-40℃至+85℃，符合 RoHS/RoHS II标准，无铅 (Pb)

FOX晶振FK135系列编码FK135EIHM0.032768-T3是一款小体积无源晶振

TXC晶振公司是一家领先的专业频率控制产品制造商致力于研究,设计,制造和销售。其生产的SMD kHz晶体，9HT11系列，编码9HT11-32.768KDZF-T，频率32.768k晶振，小体积晶振尺寸2.0x1.2x0.6mm陶瓷表面贴装封装，两脚贴片无源晶振，石英晶体谐振器，具有超小型，轻薄型，耐热性，耐环境特点，fang="" sc",="" "hiragino="" sans="" gb",="" stheiti,="" "microsoft="" yahei",="" sans-serif;font-size:18px;word-spacing:-1.5px"="" style="color:#333333">符合RoHS标准/无铅，应用于智能手机，笔记本电脑，钟表电子，汽车电子，医疗设备和数码相机等

fang="" sc",="" "hiragino="" sans="" gb",="" stheiti,="" "microsoft="" yahei",="" sans-serif;font-size:18px;word-spacing:-1.5px"="" style="color:#333333">TXC晶振9HT11-32.768KDZF-T超小型32.768kHz晶振深受市场的喜爱

由于许多低功耗和便携式应用程序大部分时间都处于待机模式，因此这些系统必须最大限度地降低待机功耗。我们基于32.768k晶振的定时源允许这些系统快速转换到待机模式（<10ms），以最大限度地延长电池寿命，而不会牺牲维持准确时钟和日历所需的稳定性（±20ppm）

KX2513G0032.768000具有适用于各种应用的卓越性能,32.768KHz振荡器

伊利诺伊州莱尔–CTS公司（纽约证券交易所代码：CTS）宣布推出一款新的TCXO晶振，其工作频率为32.768kHz，适用于需要精密实时时钟参考的应用。TT32型四脚贴片晶振提供非常严格的频率稳定性，在-40℃至+85℃范围内为±5.0ppm，可在温度变化时保持准确的时间；与使用具有经典抛物线温度曲线、+25℃转换点和-0.035ppm/℃ 2温度系数的音叉谐振器的简单晶体器件相比。

CTS发布32.768kHz TCXO用于实时时钟应用,TC32M5I32K7680,低功耗晶振

世界领先的可编程振荡器制造商Cardinal Components公司推出CJ系列工厂可配置振荡器“XO”和压控振荡器“VCXO”。CJ系列频率范围从10MHz到1.5GHz。工作电压为2.5或3.3V。CJ系列温度范围是商业0-70℃和工业-40到+ 85℃。CJ系列提供5.0x7.0mm，5.0x3.2mm和2.5x2.0mm陶瓷表面贴装封装。产品输出选项为CMOS，LVDS和LVPECL差分晶振。CJ系列是低功耗兼容产品，与竞争解决方案相比，CMOS @（1至250 MHz）为20 mA，LVDS @（750MHz至1.5GHz）为23mA，而在54 mA @（750MHz）时为LVPECL配置到1.5GHz）。稳定性选项包括25和50PPM选项。相位抖动（12kHz-20MHz）0.9psRMS。

Cardinal晶振CJ系列晶体振荡器型号大全,CJAE7LZ-A7BR-024.000TS,差分晶振

我们的多输出和高度灵活的基于石英和MEMS的PureSilicon? 振荡器采用各种行业标准封装，可满足您的低功耗或低抖动应用的要求。使用我们的Clockworks ? 配置器和采样工具可以轻松地将您的振荡器定制为频率、温度、ppm和封装尺寸的任意组合，以满足您的应用要求。
Microchip的VT-701A系列温度补偿晶体振荡器 (TCXO) 是一款石英稳定、削波正弦波或CMOS输出、模拟温度补偿晶振，采用小体积尺寸7.0x5.0mm 密封陶瓷封装，采用2.5V或3.3V电源供电。
产品特点：
削波正弦波或CMOS输出
5MHz至52MHz输出频率
+/-50ppb温度稳定性
可选频率调谐
电源电压 2.5V,3.3V
最小输出频率 5MHz
最大输出频率 52MHz
输出逻辑 CMOS，削波正弦波

VT-701A系列VT-701A-HFE-507B-10M0000000可满足您的低功耗或低抖动应用的要求,温补晶体振荡器

迈阿密——全球领先的高性能频率管理公司Raltron 元器件和天线产品，设计了最小的SMD恒温晶体振荡器 (OCXO)市场上有售。尺寸仅为9mmx7mm，OX7000系列专为应用而设计，要求超小尺寸和优异的温度稳定性。这包括5G无线的所有方面 基础设施、传输、精密仪器、广播、公用事业计量基础设施和更多。

OX7000系列覆盖从5.000MHz到40.000MHZ的频率范围150mA稳态下的电压为3.3V。OX7000系列OCXO结合了超小型和超 +/-10 ppb的可靠频率稳定性。
“OX7000系列OCXO晶振，专为支持客户需求而打造，以微型产品的形式提供卓越的性能 包裹。确保回流后最小的频率偏差，高稳定性OCXO是低 要求低噪声的频率无线和射频应用，”Raltron销售副总裁Ross Weiss说
OX7000系列有源晶振，采用密封封装以提高可靠性，提供3分钟的快速预热时间、10kHz偏移时-158 dBc/Hz的低相位噪声和HCMOS输出电平。
特征：紧密的，高可靠性，频率高达40MHz

Raltron晶振OX7000系列是业界最小的SMD恒温晶体振荡器OX4570A-D3-2-20.000-3.3

大真空旗下两款基站用Oscillator性能详细剖析介绍.

DC7050AS和DSA/DSB535SGA是大真空旗下的可用于通信基站的石英晶振产品,其中DC7050AS是一款恒温晶振, DSA/DSB535SGA中DSA系列是压控温补晶振,DSB系列是温补晶振系列;对于通信基站来说,工作环境的复杂性决定了它所使用的晶体频控元件必须是能够承受复杂环境所带来的的影响.

做电子行业几年了?对电子行业了解吗?知道什么样的产品比较好,什么样的设备更适合自己不,以下的更多问号在此省略.做某件事有没有不达目的誓不罢休,没有完成不休息的决心,或者又是喜欢那个人那个物品不变心的,放在人与人可以说痴情,放在你与设备,人与元器件是不开窍?当然不是,只是单纯喜爱,就想爱普生晶振公司FC1610AN吸引我一样.

每个开发和生产专家都知道,石英晶体无法进行超声波焊接和清洁.高频焊接或清洁过程会损坏石英谐振器.而且现在超声波应用相当广泛,在医疗电子,探测,汽车等领域都有应用,这样一来对石英晶振的需求势必会有所提升,在这样的背景下,彼得曼晶振公司就出产了一种可适用于超声波的低成本兆级系列耐高温石英晶体产品SMD03025/4US.

石英晶体负载电容还有频率吗?这句话听起来又矛盾又好奇,为什么负载电容里面还会有频率出现.我们所知道的不都是石英晶振产品内部有标准频率参数,负载电容值,频率偏差以及工作温度等相关参数,但又是为什么石英晶体负载电容还会有频率呢?那么以下,请跟随着我们来去了解探讨一下有关于<石英晶体负载电容还有频率吗?>的疑问!

face="宋体">当订购用于工作在频率fface="宋体">下的振荡器的晶体时，例如face="Calibri">32.768 kHzface="宋体">或face="Calibri">20 MHzface="宋体">，通常仅指定工作频率是不够的。尽管晶体将以接近其串联谐振频率的频率振荡，但实际的振荡频率通常与该频率稍有不同（在“并联谐振电路”中会稍高一些)1。

face="宋体">因此，假设您有一个晶体振荡器电路，并且想要购买晶体，以使放置在该电路中时的振荡频率为fface="宋体">。您需要告诉晶振厂家完成什么？您是否需要发送振荡器设计的示意图以及其设计的所有相关细节，例如选择与布局相关的电容器，电阻器，有源元件和杂散？幸运的是，答案是否定的。除了频率face="Calibri">fface="宋体">之外，仅需一个数字，即负载电容face="Calibri">CLface="宋体">。

2.face="宋体">什么是face="Calibri">CLface="宋体">？

face="宋体">假设您的晶体振荡器以所需的频率fface="宋体">运行。在该频率下，晶体具有复阻抗face="Calibri">Zface="宋体">，并且对于工作频率而言，这是晶体唯一重要的特性。因此，为了使振荡器在频率face="Calibri">fface="宋体">下工作，您需要在频率face="Calibri">fface="宋体">下具有阻抗face="Calibri">Zface="宋体">的晶体。因此，最糟糕的是，您只需指定一个复数face="Calibri">Z = R + jXface="宋体">。实际上，它甚至比这更简单。

face="宋体">尽管原则上应该在频率fface="宋体">处指定晶体电阻face="Calibri">Rface="宋体">，但通常face="Calibri">Rface="宋体">中的晶体间差异以及振荡器对此变化的敏感性足够低，因此无需指定face="Calibri">Rface="宋体">。这并不是说抗结晶性没有影响；是的。我们将在第face="Calibri">4face="宋体">节中进一步讨论。

face="宋体">因此，剩下一个值来指定：fface="宋体">处的晶体电抗face="Calibri">Xface="宋体">。因此，可以指定一种在face="Calibri">20 MHzface="宋体">时电抗为face="Calibri">400face="宋体">的晶体。取而代之的是，通常通过指定电容face="Calibri">CLface="宋体">并等于

face="宋体">在这里我们设定了ωface="Calibri">=2face="宋体">πface="Calibri">fface="宋体">。 在物理上，在该频率下，晶振和电容face="Calibri">CLface="宋体">的串联组合的阻抗具有零相位（等效地，具有零电抗或纯电阻）。 参见图face="Calibri">1face="宋体">。

face="宋体">其中第二步遵循公式（1face="宋体">），电容face="Calibri">Cface="宋体">的电抗为face="Calibri">-1 /face="宋体">（ωface="Calibri">Cface="宋体">）。

face="宋体">图1-face="宋体">该串联组合在晶振具有负载电容face="Calibri">CLface="宋体">的频率下具有零相阻抗

face="宋体">因此，确保适当的振荡频率的任务是提供在指定频率下具有所需电抗的组件（在这种情况下为晶体），这由等式（1face="宋体">）face="Calibri">2face="宋体">用电容face="Calibri">CLface="宋体">表示。例如，我们不是指定晶体在face="Calibri">20 MHzface="宋体">时具有face="Calibri">400 frequencyface="宋体">的电抗，而是指定在face="Calibri">20 MHzface="宋体">处具有face="Calibri">20 pFface="宋体">的负载电容的晶体，或更通常地，我们指定在face="Calibri">20 pFface="宋体">的负载电容下的晶体频率为face="Calibri">20 MHzface="宋体">。

face="宋体">在“并联谐振电路”中，face="Calibri">CLface="宋体">为正，通常在face="Calibri">5 pFface="宋体">至face="Calibri">40 pFface="宋体">之间。在这种情况下，晶体在晶体的串联和并联谐振频率（分别为face="Calibri">Fsface="宋体">和face="Calibri">Fpface="宋体">）之间的狭窄频带内工作。 

face="宋体" style="font-family:宋体">注释：1face="宋体" style="font-family:宋体">订购晶体进行串联谐振操作时，不要指定face="Calibri" style="font-family:宋体">CLface="宋体" style="font-family:宋体">的值，而应声明频率face="Calibri" style="font-family:宋体">fface="宋体" style="font-family:宋体">指的是串联谐振频率face="Calibri" style="font-family:宋体">Fsface="宋体" style="font-family:宋体">。

2face="宋体">这并不是说频率确定的所有方面都与此唯一数字相关。例如，晶体和振荡器的其他方面决定了是否选择了正确的振荡模式以及系统的频率稳定性（短期和长期）。

face="宋体">虽然真正的“串联谐振电路”没有与之相关的负载电容face="Calibri">[face="宋体">或方程式（face="Calibri">1face="宋体">）可能是无穷大face="Calibri">]face="宋体">，但大多数“串联谐振电路”实际上实际上是在串联谐振频率之外工作的，因此确实有一个有限负载电容（可以为正或负）。但是，如果此偏移很小，并且不需要指定负载电容，则可以忽略该偏移，也可以通过在指定频率face="Calibri">fface="宋体">中稍有偏移来处理它。

face="宋体">正如我们将在第4face="宋体">节中看到的那样，振荡器和晶体都确定face="Calibri">CLface="宋体">。但是，该晶体的作用很弱，因为在零电阻的极限内，该晶体在确定face="Calibri">CLface="宋体">时根本不起作用。在这种限制情况下，将face="Calibri">CLface="宋体">称为振荡器负载电容是有意义的，因为它完全由振荡器决定。但是，到了face="宋体" style="font-family:宋体">在订购晶体的时间上，可以指定在负载电容CLface="宋体" style="font-family:宋体">处具有频率face="Calibri" style="font-family:宋体">fface="宋体" style="font-family:宋体">的晶体，即这是晶体频率的条件。因此，将face="Calibri" style="font-family:宋体">CLface="宋体" style="font-family:宋体">称为晶体负载电容是合理的。出于争论的目的，我们简单地避免了这个问题，并使用术语负载电容。

3.face="宋体">在face="Calibri">CLface="宋体">上定义face="Calibri">FL

face="宋体">现在，对于在给定的负载电容下具有给定频率的晶体，我们用方程式（1face="宋体">）作为定义关系。

face="宋体">定义：当晶体在频率FLface="宋体">处的电抗face="Calibri">Xface="宋体">由公式（face="Calibri">1face="宋体">）给出时，晶体在负载电容face="Calibri">CLface="宋体">处具有频率face="Calibri">FLface="宋体">，其中ωface="Calibri">=2face="宋体">πface="Calibri">FLface="宋体">。

face="宋体">回想一下，在给定模式下，晶体的电抗从负值增加，在串联谐振时从零增加到在并联谐振附近的大正值，在此它迅速减小到大负值，然后又增加到零。 face="宋体">（参见参考文献[1]face="宋体">。）通过排除并联谐振周围的区域，我们为每个电抗值提供了一个频率。这样，我们可以关联给定face="Calibri">CLface="宋体">值的频率face="Calibri">FLface="宋体">。因此，face="Calibri">CLface="宋体">的正值对应于串联谐振和并联谐振之间的频率。 face="Calibri">CLface="宋体">的大负值对应于低于串联谐振的频率，而较小的负值对应于高于并联谐振的频率。 （请参见下面的公式（face="Calibri">3face="宋体">）。）

3.1face="宋体">。 晶体频率方程

face="宋体">那么，振荡频率在多大程度上取决于负载电容CLface="宋体">？ 我们可以通过确定晶体频率face="Calibri">FLface="宋体">如何取决于晶体负载电容face="Calibri">CLface="宋体">来回答这个问题。 可以证明这一点非常近似

face="宋体">其中C 1face="宋体">和face="Calibri">C 0face="宋体">分别是晶体的动电容和静电容。 （有关该关系的推导和讨论，请参见参考文献face="Calibri">[1]face="宋体">。）为便于说明，我们将公式（face="Calibri">3face="宋体">）称为晶体频率公式。

face="宋体">这表明晶体振荡器的工作频率与其负载电容的相关性以及对晶体本身的相关性。 face="宋体">特别地，当将负载电容从CL1face="宋体">更改为face="Calibri">CL2face="宋体">时，分数频率变化可以通过以下方式很好地近似：

3.2face="宋体">。 修剪灵敏度

face="宋体">公式（3face="宋体">）给出了工作频率face="Calibri">FLface="宋体">对负载电容face="Calibri">CLface="宋体">的依赖性。 频率随face="Calibri">CLface="宋体">的负变化率称为调整灵敏度face="Calibri">TSface="宋体">。 使用公式（face="Calibri">3face="宋体">），这大约是

face="宋体">由此可见，在较低的CLface="宋体">值下，晶体对face="Calibri">CLface="宋体">的给定变化更敏感。

4.face="宋体">但是什么决定face="Calibri">CLface="宋体">？

face="宋体">考虑一个简单的皮尔斯振荡器，它由一个晶体，一个放大器以及栅极和漏极电容器组成，如图2face="宋体">所示。

试图计算皮尔斯振荡器电路的负载电容时，必须考虑至少三个杂散电容。

1.face="宋体">从放大器的输入到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身，并且将电容跟踪到地。由于此电容与face="Calibri">C Gface="宋体">并联，因此我们可以简单地将其吸收到face="Calibri">C Gface="宋体">的定义中。 （face="Calibri">CGface="宋体">是电容器对地的电容加上放大器此侧对地的任何附加电容。）

2.face="宋体">从放大器的输出到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身，并且将电容跟踪到地。由于此电容与face="Calibri">C Dface="宋体">并联，因此我们可以简单地将其吸收到face="Calibri">C Dface="宋体">的定义中。 （即face="Calibri">CDface="宋体">是电容器接地电容，再加上放大器此侧的任何其他接地电容。）

3.face="宋体">杂散电容face="Calibri">C sface="宋体">使晶体分流，如图face="Calibri">2face="宋体">所示。

face="宋体">如上所述重新定义C Gface="宋体">和face="Calibri">C Dface="宋体">，然后得出face="Calibri">[2]face="宋体">振荡的条件之一是

Where

face="宋体">是晶体和电容C sface="宋体">的并联组合的阻抗，而face="Calibri">R oface="宋体">是放大器的输出电阻。

face="宋体">可以看出，晶振电阻Rface="宋体">是负载电容face="Calibri">CLface="宋体">的函数，近似为：（假设face="Calibri">CLface="宋体">不太小）

face="宋体">其中R 1face="宋体">是晶体face="Calibri">[1]face="宋体">的运动阻力。

face="宋体">然后得出结论（提供的CL – C sface="宋体">不太小）

以及

face="宋体">根据这些结果，式（6face="宋体">）给出了face="Calibri">CLface="宋体">的以下方程式

face="宋体">其中R′face="宋体">由等式（face="Calibri">9face="宋体">）近似。请注意，face="Calibri">CLface="宋体">的方程实际上比起初看起来要复杂一些，因为face="Calibri">R'face="宋体">取决于face="Calibri">CLface="宋体">。

face="宋体">可以看出，CLface="宋体">随face="Calibri">R 1face="宋体">的增加而减小，因此通过公式（face="Calibri">3face="宋体">），工作频率随晶体电阻而增加。因此，负载电容确实与晶体本身有关。但是，正如我们前面提到的，晶体电阻的变化以及对这种变化的灵敏度通常足够低，因此可以忽略不计。 （在这种情况下，晶体电阻的标称值用于计算face="Calibri">CLface="宋体">。）

face="宋体">但是，有时抗拒效果不容忽视。调谐两个晶体，以使它们在给定的负载电容CLface="宋体">下具有完全相同的频率，如果它们的电阻不同，则它们可以在同一振荡器中以不同的频率振荡。这种微小的差异导致所观察到的系统频率变化增加，高于晶体频率校准误差和板对板组件变化所引起的变化。

face="宋体">注意，在晶体电阻为零的情况下（或与放大器的输出电阻R oface="宋体">相比，至少可忽略不计），公式（face="Calibri">11face="宋体">）给出

因此，在这种情况下，负载电容是将晶体分流的杂散电容加上晶体每一侧的两个电容与地之间的串联电容。

5face="宋体">，测量face="Calibri">CL

face="宋体">虽然原则上可以从电路设计中计算出CLface="宋体">，但是一种更简单的方法是简单地测量face="Calibri">CLface="宋体">。这也更加可靠，因为它不依赖于振荡器电路模型，考虑了与布局相关的杂散（可能难以估计），并且考虑了晶体电阻的影响。这是两种测量face="Calibri">CLface="宋体">的face="Calibri">face="宋体">方法。

5.1face="宋体">方法face="Calibri">1

该方法需要阻抗分析仪，但不需要了解晶体参数，并且与晶体模型无关。

1.face="宋体">获得与将要订购的晶体相似的晶体，即具有相似的频率和电阻。

2.face="宋体">将此晶体放置在振荡器中，并测量操作face="Calibri">FLface="宋体">的频率。将晶振放入电路中时，请注意不要损坏它或做任何会引起不适当频率偏移的事情。 （如果焊接到位，请使其冷却至室温。）避免焊接的好方法是简单地使用例如铅笔的橡皮擦末端将晶体压在板的焊盘上，并观察振荡频率。只要注意晶体与电路板完全接触即可。该系统仍然可以以较高的频率振荡，而晶体不会与电路板完全接触。

3.face="宋体">使用阻抗分析仪，以步骤face="Calibri">2face="宋体">中确定的频率face="Calibri">FLface="宋体">测量晶体的电抗face="Calibri">Xface="宋体">。

4.face="宋体">使用等式（face="Calibri">1face="宋体">）以及在face="Calibri">FLface="宋体">处的face="Calibri">FLface="宋体">（face="Calibri">ω=2πFLface="宋体">）和face="Calibri">Xface="宋体">的测量值来计算face="Calibri">CLface="宋体">。

5.2face="宋体">方法face="Calibri">2

此方法取决于四参数晶体模型，并且需要了解这些参数（通过您自己的测量或晶体制造商提供的知识）。

1.face="宋体">获得与将要订购的晶体相似的晶体，即具有相似的频率和电阻。

2.face="宋体">表征该晶体。特别要测量其串联频率face="Calibri">F sface="宋体">，运动电容face="Calibri">C 1face="宋体">和静态电容face="Calibri">C 0face="宋体">。

3.face="宋体">将此晶体放在振荡器中，并测量操作face="Calibri">FLface="宋体">的频率（如方法face="Calibri">1face="宋体">，步骤face="Calibri">2face="宋体">所示）。

4.face="宋体">使用公式（face="Calibri">3face="宋体">）和face="Calibri">FLface="宋体">，face="Calibri">F sface="宋体">，face="Calibri">C 1face="宋体">和face="Calibri">C 0face="宋体">的测量值计算face="Calibri">CLface="宋体">。

face="宋体">建议采用至少3face="宋体">个晶体进行这两种方法。正确完成后，该技术通常得出的face="Calibri">CLface="宋体">值约为face="Calibri">0.1 pFface="宋体">。通过对多个电路板重复该过程以估计face="Calibri">CLface="宋体">的电路板间差异，可以找到对最终结果的进一步信心。

face="宋体">注意，在上面，FLface="宋体">不必精确地是期望的振荡频率face="Calibri">fface="宋体">。也就是说，face="Calibri">CLface="宋体">的计算值不是振荡频率的强函数，因为通常仅晶体是强烈依赖于频率的。如果由于某种原因，振荡器确实具有很强的频率相关性，那么使用该程序将非常困难。

6.face="宋体">我真的需要为face="Calibri">CLface="宋体">指定值吗？

face="宋体">至少有三种情况不需要CLface="宋体">的规范：

1.face="宋体">您打算以晶体的串联谐振频率进行操作。

2.face="宋体">您可以容忍频率中的较大误差（大约face="Calibri">0.1face="宋体">％或更高）。

3.face="宋体">电路的负载电容足够接近标准值（请参见晶振数据表），以允许频率差。可以使用公式（face="Calibri">4face="宋体">）计算该差异。

如果您的应用不满足上述三个条件之一，则应强烈考虑估算振荡器的负载电容，并在指定晶体时使用该值。