超小型音叉晶体单元和超小型实时时钟模块
晶体芯片的三维光刻处理
具有传统结构的小型化晶体芯片（左图）减小了电极的面积（以红色表示）。
用H形槽结构制造芯片提供了更大的电极面积并提高了电解效率。这种设计使小型化晶体的CI值与普通晶体的CI值一样低（右图）。
然而，使用QMEMS技术制造的晶体的CI值保持不变，与常规晶体的水平相当，即使晶体尺寸减小。
我们的一些最受欢迎的超小型音叉晶体单元和超小型实时时钟模块
+++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++
HFF晶体单元/ HFF晶体振荡器（高频基波）
为了增加振荡器的频率，必须使芯片更薄，但是传统的处理方法对制造薄芯片施加了限制。
通过光刻仅处理芯片的振荡部分，能够在不损害晶体芯片强度的情况下实现高频基波，从而形成厚度仅为几微米的极薄的倒置台面结构。
基频高频振荡的优点
高频基波振荡有助于稳定高速大容量数据传输，因为可以抑制附近的高频分量。
我们最受欢迎的一些HFF晶体单元/ HFF晶体振荡器
领先全球的航空航天晶振,希华小体积晶振,XTL571150-F98-063晶振
XTL541200-C282-030台产晶振,SIWARD高精度晶体,遥遥领先的物联网晶振
DSA321SCM/VC-TCXO/3225mm/1XTV36864HBA/36.864MHZ/低相位噪声晶振
