VG-4231CE编码Q3614CE00008200压控晶振多用于锁相技术和频率负反馈调制

压控晶振(VCXO)是一种石英晶体振荡器，其振荡效率可以通过红外线加控制电压来改变或调制。它的振荡频率由晶体决定，频率可以通过控制电压在小范围内调节。VCXO多用于锁相技术和频率负反馈调制。通常，控制电压范围为0V至2V或0V至3V。VCXO的调谐范围为100ppm至200ppm。

日本进口爱普生晶振VG-4231CE，是一款VCXO压控晶体振荡器，频率范围:3MHz至50MHz*，*50MHz不包括在输出频率范围内，电源电压:3.3V(PSCM/CSCM)，2.8V(PSBM/CSBM)，1.8V (PQEM/CQEM)，频率控制范围:140×10-6 (*SCM/*SBM)，120×10-6 (*QEM)，低功耗:1.0mA(典型值)。(27M，3.3V)，小体积晶振尺寸:3.2x2.5mm，有源晶振，四脚贴片晶振，输出波形CMOS，无铅/符合欧盟RoHS指令，标准参考重量26毫克，具有超小型，轻薄型，低功耗，低抖动，低电源电压，低损耗，低耗能等特点，多用于锁相技术、频率负反馈系统和频率调制，已成为通信机、移动电话、寻呼机、全球定位系统(GPS)等许多电子应用系统必不可少的关键部件。

VG-4231CE编码Q3614CE00008200压控晶振多用于锁相技术和频率负反馈调制

Product Number	Model	Frequency	EPSON CRYSTAL	Output Wave	Supply Voltage	VC Range
Q3614CE00000600	VG-4231CE	27.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	1.600 to 2.000 V	0.9 +/-0.9V
Q3614CE00001100	VG-4231CE	27.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00001200	VG-4231CE	27.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00001300	VG-4231CE	24.576000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	1.600 to 2.000 V	0.9 +/-0.9V
Q3614CE00002300	VG-4231CE	24.576000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00002400	VG-4231CE	16.384000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00002700	VG-4231CE	17.734475 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00002900	VG-4231CE	24.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00003100	VG-4231CE	36.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00004100	VG-4231CE	25.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00004300	VG-4231CE	32.768000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	2.600 to 3.000 V	1.4 +/-1.4V
Q3614CE00004400	VG-4231CE	25.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00004600	VG-4231CE	12.288000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00006000	VG-4231CE	11.289600 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00006100	VG-4231CE	32.768000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V

Q3614CE00006200	VG-4231CE	24.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00006600	VG-4231CE	28.636360 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	1.600 to 2.000 V	0.9 +/-0.9V
Q3614CE00007100	VG-4231CE	32.768000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00007200	VG-4231CE	12.288000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00008000	VG-4231CE	16.777216 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00008100	VG-4231CE	12.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00008200	VG-4231CE	24.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	1.600 to 2.000 V	0.9 +/-0.9V
Q3614CE00008300	VG-4231CE	25.165800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	1.600 to 2.000 V	0.9 +/-0.9V
Q3614CE00009400	VG-4231CE	9.600000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	2.600 to 3.000 V	1.4 +/-1.4V
Q3614CE00009500	VG-4231CE	32.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00009700	VG-4231CE	25.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	1.600 to 2.000 V	0.9 +/-0.9V
Q3614CE00009800	VG-4231CE	13.560000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V
Q3614CE00009900	VG-4231CE	12.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.05 mm	CMOS	3.000 to 3.600 V	1.65 +/-1.65V