AE-809-N-H-3-4085-3R0-32M768000|Anderson晶振|2520有源晶振

产品简介

AE-809-N-H-3-4085-3R0-32M768000|Anderson晶振|2520有源晶振,Anderson晶振,欧美进口晶振,AE809有源晶振,石英晶体振荡器,AE-809-N-H-3-4085-3R0-32M768000晶振,2520mm晶振,四脚贴片晶振,SMD晶体,频率32.768MHz,电压3.0V,频率稳定性30ppm,工作温度-40~85°C,超小型晶振,高稳定性晶振,无铅环保晶振,便携式电子设备晶振,无线通信晶振,网络附属存储晶振,通用处理器晶振.

产品详情

TH-1 890

AE-809-N-H-3-4085-3R0-32M768000|Anderson晶振|2520有源晶振,Anderson晶振,欧美进口晶振,AE809有源晶振,石英晶体振荡器,AE-809-N-H-3-4085-3R0-32M768000晶振,2520mm晶振,四脚贴片晶振,SMD晶体,频率32.768MHz,电压3.0V,频率稳定性30ppm,工作温度-40~85°C,超小型晶振,高稳定性晶振,无铅环保晶振,便携式电子设备晶振,无线通信晶振,网络附属存储晶振,通用处理器晶振.

TH-2 890

AE-809-N-H-3-4085-3R0-32M768000|Anderson晶振|2520有源晶振规格表

案例	AE809	N	H	3	4085	3R0	32M768000
启动		N					No Connect
启动		T					Tri-State
输出			T				TTL/CMOS
			H				HCMOS
			L				LVCMOS
工作温度				1			±10 ppm
				2			±20 ppm
				3			±30 ppm
				5			±50 ppm
				Z			± Custom
温度稳定性					5505		Custom (-55°C to +105°C)
					4085		-40° to +85°
					3060		-30° to +60°
					2070		-20° to +70°
电源电压						3R3	+3.3V
						3R0	+3.0V
						2R5	+2.5V
						1R8	+1.8V
						1R5	+1.5V
存储温度			-55°C to +125°C
输入电流		5mA maximum (Based on Supply Voltage)
负载			15pf /10 TTL Gates
占空比		40% to 60% (45% to 55% optional)
上升/下降时间		(10% to 90%)				15	nS (maximum)
启动时间			10 mS maximum
输出电压电平			High (Minimum) 90				%Vcc
输出电压电平			Low (Maximum) 10				%Vcc