Anderson晶振|210-22-5-4085-3R3-16M384000|温度补偿晶振

产品简介

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产品详情

TH-1 890

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Anderson晶振|210-22-5-4085-3R3-16M384000|温度补偿晶振特点：

-超小型封装，特别制造，以确保严格的频率稳定性和长期老化公差。

-行业标准足迹布局

-工作温度范围- -40°C至+85°C

-符合ROHS标准/无铅

TH-2 890

Anderson晶振|210-22-5-4085-3R3-16M384000|温度补偿晶振规格表

案例	210	22	5	4085	3R3	16M384000
波形		23				CMOS/TTL
波形		22				CMOS/Clipped Sinewave
频率稳定性			1			±1.0 ppm
			2			±2.5 ppm
			3			±3.0 ppm
			5			±5.0 ppm
工作温度				4085		-40 to +85°C
				3075		-30 to +75°C
				2070		-20 to +70°C
				1060		-10 to +60°C
电源电压					3R3	+3.3V
电源电压					5R0	5.0V
频率稳定性与电源电压			±0.3 ppm ±5% Vcc
频率偏移			±8.0 ppm to ±15.0 ppm
电压控制		+2.5Vdc ±2.0V (5R0)			+1.65Vdc ±1.5V (3R3)
储存温度			-55°C to +125°C
输入电流		2mA maximum (Based on Supply Voltage)
负载		Clipped -10K Ohms//10pf			CMOS -2 TTL/15pf
老化		±1.0ppm per year maximum
频率调整		±3.0 ppm minimum