台湾鸿星晶振公司成立于1979年,最初生产电阻器和电容器,自1991年在台湾建立第一条水晶生产线以来,专注于生产石英晶体水晶产品.此后,鸿星晶振扩大在中国大陆的生产场地.目前在中国大陆东部和南部有四个生产基地,九个销售和FAE基地,及十个销售代表和分销点在世界各地.
HOSONIC晶振现在是世界领先的专业晶体谐振器及石英晶体振荡器制造商之一,多年来致力于DIP晶振及SMD晶体的研发生产及销售.鸿星晶振官网:http://www.smdcrystal.com/HOSONICcrystal.html
鸿星晶振,E3SB晶振,HCX-3SB晶振,3225金属面晶振,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
鸿星晶振 |
单位 |
E3SB晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
10.000~115.00MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-20°C~+70°C -30°C ~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
0.5μW(1.0μW Max.) |
推荐:1μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
6pF~20pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
70ΚΩ Max. |
|
频率老化 |
f_age |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振制作生产与程序
1.芯片清洗:
目的再清除芯片表面因硏磨残流的污物、油物,以保证镀银(金)层附着牢固良好。
2.蒸镀(被银):
用真空镀膜原理在洁净的石英芯片上蒸镀薄银(金)层,形成引出电极,并使其频率达到一定范围。
3.上架点胶:
将镀上银(金)电极的芯片装在基座上,点上导电胶,并高温固化,芯片经过镀金Pad (DIP型:支架或弹簧)即可引出电信号。
4.微调:
使用真空镀膜原理,将银(金)镀在芯片表面的银(金)电极上,达到微调晶体谐振器的频率达到规定要求。(插脚类产品产品较常使用)
使用Ar离子轰击芯片表面的金(银)电极,将多余的金(银)原子蚀刻下来,达到微调晶体谐振器的频率达到规定要求。(较适合小型化SMD产品使用)
5.封焊:
将基座与上盖放置在充满氮气(或真空)的环境中进行封焊,以保证产品的老化率符合要求。
主要封焊方式有:
◆电阻焊
◆滚边焊(Seam)
◆玻璃焊(Frit)
◆锡金焊(AuSn)
6.密封性检查:
确认封焊后的产品是否有漏气现象。
依检漏方法区分为:
a.粗漏:检查较大的漏气现象,常用检出方法有气泡式及压差式。
b.细漏:检查较微小的漏气现象,常用检出方法为氦气检漏式。
7.老化及模拟回流焊:
老化:对产品加以高温长时间老化,将制程中因热加工造成之应力达到释放效果。
回流焊:以模拟客户使用环境,目的在暴露制造缺陷,据以提高出货可性。
8.测试:
对成品鸿星晶振,E3SB晶振,HCX-3SB晶振,3225金属面晶振进行印字、电性能指针测试,剔除不良品,保证产品质量。
鸿星晶振科技股份有限公司,依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述。本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务。
1.为环境保护和降低成本开发绿色技术。
2.为协调发展,共同参与社会的环境、健康与安全的改善活动。
3.在产品的整个生命周期内确定、评价和改进重要的环境、健康和安全因素。
4.建立和维护以国际协定和国家环境、健康与安全法律法规为基础的企业内部标准。
5.为防止事故的发生和制造清洁的生产环境,开发生产过程的安全技术,明确紧急状态反应的职责。
鸿星晶振科技坚持在发展中保护、在保护中发展,积极探索环境保护新道路,切实解决影响科学发展和损害群众健康的突出环境问题,全面开创环境保护工作新局面。
鸿星晶振集团充分认识加强环境保护工作的重要性和紧迫性,把环境保护摆在更加重要的战略位置,以对国家、对民族、对子孙后代高度负责的精神,切实做好环境保护工作,推动经济社会全面协调可持续发展。