2016贴片晶振,贴片石英晶振,UW晶振

产品简介

小尺寸的贴片石英晶振，目前生产上采用了高技术的封装模式，光刻石英晶片技术，并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除，而晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动不稳定。

产品详情

BLT-1

TH-1 890

百利通亚陶晶振,贴片石英晶振,UW晶振，贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

TH-2 890

PERICOM晶振规格	单位	UW晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	26MHZ~66.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～+85°C	裸存
工作温度	T_use	-20°C ～+70°C	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW ～100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ~20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年