KVG晶振,贴片晶振,XMP-6100晶振,高稳定6035无源晶体，1981 以计算机为支持的TCXO的生产；1983 KVG研发基于晶体的传感器和研发OCXOs；1987 基于计算机控制的质量管理体系；1988 SMD组件的自动装备机；1993 622.08MHz的VCXO晶振；1994 建立产品线，以HFF为晶体基座，最大振动频率达到200MHz；1994 用SC-晶体生产OCXOs；1995 使用镭射技术进行晶振的频率协调；1997 生产 SMD OCXOs系列的 OCXO-6000；1998 生产ASIC-TCXOs；1999 用HFF晶体生产VCXOs。
2000 建立新生产，用于生产精准晶体的产品系列；2002 KVG重塑独立实体；2003 在晶体振荡器中使用电子谐频；2005 设计出低相噪OCXO；2007 设计出航天级的晶体；2008 设计出航天级的晶体振荡器；2009 建成新的生产设备；2010 KVG重组了晶体和振荡器生产工厂；2010 设计出抗冲击振动 OCXOs；2011 空间晶体得到欧洲航天局的资格认证；2013 以晶体振荡器XO和VCXO成为欧洲航天局的资格供应商；2014 采用机械阻尼OCXO模块；2015 设计出超低相躁RF-OCXO和抗冲击振动OCXO。
在恒温晶振的领域内的新设计，如提高抗冲击振动技术，新的RF TCXO和OCXO,使得在晶体和晶体振荡器的领域再次设定了标准。KVG石英晶体技术有限公司于1994年成功，质量体系符合ISO 9001标准，同时也是2000年的首次，根据ISO 14001环境管理体系，用于开发，生产和销售石英晶体，振荡器和滤波器。自2016年6月起，KVG EN 9100：2009通过认证。这被用来证明KVG的质量管理体系符合航空航天和国防公司的高要求。该标准还包括ISO 9001：2008。“TüV南德意志集团管理服务有限公司”的年度审核审核证明了KVG业务流程的高质量和持续改进。KVG晶振,贴片晶振,XMP-6100晶振,高稳定6035无源晶体
随着科技数码产品的小型化发展，晶体元件的尺寸也从最初的插件庞大体积演变成目前的多种规格SMD小尺寸趋势，目前晶体内部的石英晶片已经达到了+-0.002mm以内了，由于很多晶振厂家在生产小尺寸时所产生的问题，晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动，面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强，从而造成如若晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致晶片不能正常工作，在随着长时间的研究目前小尺寸的晶体已完全走入了成熟的阶段。
贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。KVG晶振,贴片晶振,XMP-6100晶振,高稳定6035无源晶体
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KVG晶振规格 |
单位 |
XMP-6100晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
8.0MHz - 86.0MHz |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-55 °C - +125 °C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
0 - +50 °C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推荐:1μW～100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(标准), |
+25°C对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.smdcrystal.com/ |
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频率温度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/25°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
8pF - 32pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±1 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
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进口兆赫兹石英晶振存储事项，KVG晶振,贴片晶振,XMP-6100晶振,高稳定6035无源晶体
(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。
正常温度和湿度：
温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。
(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
车子石英6035晶振安装时注意事项
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD晶体产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。
（1）柱面式产品和DIP产品
型号 焊接条件
[ 柱面式 ] C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s 请勿加热封装材料超过+150°C
[ 柱面式 ] CA-301 [ DIP ] SG-51 / 531, SG-8002DB DC,RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s 请勿加热封装材料超过+150°C
(2)SMD产品回流焊接条件（实例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。
尽可能使汽车引擎部位晶振的温度变化曲线保持平滑。KVG晶振,贴片晶振,XMP-6100晶振,高稳定6035无源晶体
