AE-808-N-H-2-2070-3R3-50M000000|美国安德森晶振|3225mm振荡器,美国安德森晶振,AE808振荡器,进口晶振,AE-808-N-H-2-2070-3R3-50M000000晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,SMD晶振,3225mm晶振,四脚贴片晶振,频率50MHz,电压3.3V,频率稳定性20ppm,工作温度-20~70°C,高可靠性晶振,小体积晶振,高品质晶振,移动应用晶振,数字设备晶振,光纤通道晶振,以太网设备晶振.
AE-808-N-H-2-2070-3R3-50M000000|美国安德森晶振|3225mm振荡器规格表
案例
AE808
N
H
2
2070
3R3
50M000000
启动
N
No Connect
T
Tri-State
输出
T
TTL/CMOS
H
HCMOS
L
LVCMOS
温度稳定性
1
±10 ppm
2
±20 ppm
3
±30 ppm
5
±50 ppm
Z
± Custom
工作温度
5505
Custom (-55°C to +105°C)
4085
-40° to +85°
3060
-30° to +60°
2070
-20° to +70°
电源电压
3R3
+3.3V
3R0
+3.0V
2R5
+2.5V
1R8
+1.8V
1R5
+1.5V
存储温度
-55°C to +125°C
输入电流
5mA maximum (Based on Supply Voltage)
负载
15pf /10 TTL Gates
占空比
40% to 60% (45% to 55% optional)
上升/下降时间
(10% to 90%)
15
nS (maximum)
启动时间
10 mS maximum
输出电压电平
High (Minimum) 90
%Vcc
Low (Maximum) 10
AE-808-N-H-2-2070-3R3-50M000000|美国安德森晶振|3225mm振荡器尺寸图