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KDS晶振,贴片晶振,DSB321SCB晶振,GPS晶振
更多 +石英晶体振荡器在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术,使用IC与晶片设计匹配技术:是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性,必须考虑振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。
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KDS晶振,贴片晶振,DSB221SCM晶振,大真空温补晶振
更多 +小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术.
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KDS晶振,贴片晶振,DSO223S SERIES晶振,差分晶振
更多 +贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
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KDS晶振,贴片晶振,DSO213AW晶振,小体积车载有源晶振
更多 +2016mm体积的有源晶振(OSC晶振),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身标准的石英晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能)
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KDS晶振,贴片晶振,DSO321SN晶振,电脑晶振
更多 +小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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KDS晶振,贴片晶振,DSO531SVN晶振,5032石英晶体振荡器
更多 +那么贴片晶振产品的点击又是怎么回事呢?产品的电极对于晶体来讲,主要是,改变频率,往外引出电极,改变阻抗,去掉杂波,贴片晶体的晶片有镀金镀银等区别,各项镀层也会对产品的频率发生一定的改变,因此电极的设计会使晶振的精度产生更高的要求。
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Statek晶振,插件晶振,SQXO晶振
更多 +接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,石英晶体振荡器,LSM晶振
更多 +接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,有源晶振,LSC晶振
更多 +接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,32.768K晶振,LFXO晶振
更多 +此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温,波峰焊接,回流焊接等,贴片表晶主要特点是该产品排带包装,焊接模式主要使用SMT焊接,给现代SMT工艺带来高速的工作效率,32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点.
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Statek晶振,OSC晶振,HTXO晶振
更多 +贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Statek晶振,有源晶振,HGXOHT晶振
更多 +贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Statek晶振,贴片晶振,HFXO晶振
更多 +贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Statek晶振,5070贴片晶振,DFXO晶振
更多 +贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,32.768K有源晶振,CXOXULPHT晶振
更多 +贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,32.768K晶振,CXOXULP晶振
更多 +贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,贴片晶振,CXOXLPN晶振
更多 +有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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Statek晶振,3225晶振,CXOX晶振
更多 +有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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Statek晶振,2520晶振,CXOQ晶振
更多 +贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Statek晶振,有源晶振,CXOLP晶振
小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。更多 +
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