爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEB晶振,SG-210SEB 26.0000MF3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -60 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SGB晶振,SG-210SGB 19.2000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -32 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCH晶振,SG-210SCH 100.0000ML0晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 80 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDH晶振,EPSON普通有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 80 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEH晶振,进口低抖动晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 80 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCD晶振,SG-210SCD 62.5000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 50 MHz - 80 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  7.0 mA Max.    (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDD晶振,SG-210SDD 50.0000MB5晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 50 MHz - 80 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  7.0 mA Max.    (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 50 MHz - 80 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  7.0 mA Max.    (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDBA晶振,车载普通有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEBA晶振,CMOS汽车电子振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振,普通有源晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS

频率范围: 1.2 MHz - 75 MHz

电源电压: 1.8 V - 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.0 × 1.6 × 0.7 mm

功能：??待机( ST )

工作温度范围：-40 °C - +125 °C

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..