ECS最新推出ECS-2012MV-327KE，是一款具有MultiVolt功能的2.0x1.2x0.85mm陶瓷封装，32.768K晶振 HCMOS振荡器。这种小型电子元器件提供低电流消耗和相对于未补偿晶体振荡器的改进的稳定性。

这些电子元件提供32.768kHz的频率，频率稳定度为10ppm，在-40°C至+85°C的标准工业工作温度下具有0.5A的低功耗。作为MultiVolt系列晶体振荡器的一部分，ECS-2012MV-327KE设计采用1.2V至5.5V的可变电源电压或标准1.8V、2.5V、3.0V或3.3V电源供电。该器件ECS-2012MV-327KE针对各种无补偿晶体振荡器提供更高的稳定性，是智能电表、可穿戴设备、工业和物联网应用的理想之选。

1XXD16367MAA,DSB211SDN晶振,16.367M温补晶振

1XXD16367MAA晶振产品尺寸图

1XXD16367MAA晶振产品电气表

关于 1XXD16367MAA,DSB211SDN晶振,16.367M温补晶振   产品安装的注意事项

终端/陆上布局/金属屏蔽孔

1端子A通孔不在底部（安装侧）。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内，可以改变接地方式。

对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。

包装条件
胶带包装
（1）压花胶带格式及尺寸
（2）卷筒数量:最多2000个/卷
（3）胶带规格
不缺产品。
（4）卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级：IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装，无需重新储存后烘烤。

包装箱
最多10卷/包装箱。但是，在少于10卷的情况下，它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。

KDS 晶振即是日本大真空株式会社（DASHINKU CORP）,成立于 1951 年,至今已有 50 多年的历史,是全球领先的三大晶振制造商之一,其制造工厂主要分布在日本本土、中国、泰国、印度尼西亚等十多个制造中心,KDS 大真空集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,其中天津工厂是全球晶振行业最大的单体制造工厂,也是全球最大的 TF 型晶振制造工厂.

首先非常的感谢你长期以来对【日本大真空株式会社】,KDS 晶振品牌的支持与厚爱.在此郑重声明,本集团以下简称（KDS）在中国的代理商除了北京中国电子研究院,广州电子研究所,【泰河电子】,香港 KDS办事处,台湾KDS办事处,是正规的代理销售企业,其余地区以及公司,个人所销售的KDS产品均不能保证是原装正品,请你选择正规渠道定制货品.

KDS晶振,DSK321STD晶振,1XZA032768AD19,32.768K有源晶振

1XZA032768AD19晶振产品尺寸图

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TCXO晶振ECS-TXO-25CSMV-AC-260-BN-TR适用于无线局域网应用

SG2520VHN差分晶振X1G005941000115是小型光通信模块的理想选择

在这个智能化的社会系统里，晶振为数字电路系统提供基本的时钟信号，称之为数字电路的心脏。物联网在智能家居、智慧城市、可穿戴设备等领域正带来数以十亿计的新设备，晶振是数字终端必不可少的基础器件之一，是物联网应用的上游行业。

爱普生晶振SG7050EEN，小体积晶振尺寸7.0x5.0mm六脚贴片晶振，有源晶振，支持LV-PECL输出差分晶振，频率范围25MHz至200MHz，电源电压2.5V,3.3V，小体积轻薄型，具有极低的相位抖动和功耗，以实现出色的相位噪声。被广泛用于5G通信设备，物联网，智能家居，手机，GPS定位，汽车导航，安防设备，可穿戴设备等。

LV-PECL输出差分晶振X1G005131100900专用于物联网设备

爱普生晶振SG3225EAN是一款低抖动晶体振荡器，提供LV-PECL输出差分晶振，小体积尺寸采用3.2x2.5mm紧凑封装，六脚贴片晶振，通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽频率范围,为用户提供73.5MHZ至700MHZ高频,可选任一频点.具有出色的集成相位抖动性能，低电流,低电源电压可达到低值1V,这对于普通贴片晶振而言是做不到的，采用在2.5V至3.3V之间的单电源供电，高温储存温度可达-40℃~+125℃范围,工作温度范围-40℃~85℃.低老化的特点±5x10-6/year Max.差分晶振在产品中使用具有高可靠性.差分晶振的精度值（PPM）可精确到±10PM,±20PM,±30PM,±50PM等.

SG3225EAN晶体振荡器X1G004251012800用于无线通信模块晶振应用

爱普生X1G005471001100压控晶振具有LV-PECL差分输出,5032mm晶振

压控晶振(VCXO)是一种石英晶体振荡器，其振荡效率可以通过红外线加控制电压来改变或调制。它的振荡频率由晶体决定，频率可以通过控制电压在小范围内调节。VCXO多用于锁相技术和频率负反馈调制。通常，控制电压范围为0V至2V或0V至3V。VCXO的调谐范围为100ppm至200ppm。

日本进口爱普生晶振VG-4231CE，是一款VCXO压控晶体振荡器，频率范围:3MHz至50MHz*，*50MHz不包括在输出频率范围内，电源电压:3.3V(PSCM/CSCM)，2.8V(PSBM/CSBM)，1.8V (PQEM/CQEM)，频率控制范围:140×10-6 (*SCM/*SBM)，120×10-6 (*QEM)，低功耗:1.0mA(典型值)。(27M，3.3V)，小体积晶振尺寸:3.2x2.5mm，有源晶振，四脚贴片晶振，输出波形CMOS，无铅/符合欧盟RoHS指令，标准参考重量26毫克，具有超小型，轻薄型，低功耗，低抖动，低电源电压，低损耗，低耗能等特点，多用于锁相技术、频率负反馈系统和频率调制，已成为通信机、移动电话、寻呼机、全球定位系统(GPS)等许多电子应用系统必不可少的关键部件。

VG-4231CE编码Q3614CE00008200压控晶振多用于锁相技术和频率负反馈调制

TG-5006CJ晶振编码X1G004131001000具有超小型2016mm温补晶体振荡器

日本进口爱普生晶振SG3225EEN，小体积晶振尺寸3.2x2.5mm有源晶振，是一款小体积六脚贴片晶振，频率范围可提供25M~200MHZ任一频点，2.5V,3.3V具有低电源电压,满足产品低消耗电流的特点，LV-PECL晶振，具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求,高技术石英晶体振荡器,具有相位低,损耗低的特点,该产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理双级信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的,差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性。

SG3225EEN晶振编码X1G005221000200差分晶振具有低消耗电流的特点

1XXB24000MEA|DSB221SDN晶振|24M温补晶振

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1XXB38400MCB|KDS晶振|DSB221SDN晶振|温补晶振

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世界领先的可编程振荡器制造商Cardinal Components公司推出CJ系列工厂可配置振荡器“XO”和压控振荡器“VCXO”。CJ系列频率范围从10MHz到1.5GHz。工作电压为2.5或3.3V。CJ系列温度范围是商业0-70℃和工业-40到+ 85℃。CJ系列提供5.0x7.0mm，5.0x3.2mm和2.5x2.0mm陶瓷表面贴装封装。产品输出选项为CMOS，LVDS和LVPECL差分晶振。CJ系列是低功耗兼容产品，与竞争解决方案相比，CMOS @（1至250 MHz）为20 mA，LVDS @（750MHz至1.5GHz）为23mA，而在54 mA @（750MHz）时为LVPECL配置到1.5GHz）。稳定性选项包括25和50PPM选项。相位抖动（12kHz-20MHz）0.9psRMS。

Cardinal晶振CJ系列晶体振荡器型号大全,CJAE7LZ-A7BR-024.000TS,差分晶振

我们的多输出和高度灵活的基于石英和MEMS的PureSilicon? 振荡器采用各种行业标准封装，可满足您的低功耗或低抖动应用的要求。使用我们的Clockworks ? 配置器和采样工具可以轻松地将您的振荡器定制为频率、温度、ppm和封装尺寸的任意组合，以满足您的应用要求。
Microchip的VT-701A系列温度补偿晶体振荡器 (TCXO) 是一款石英稳定、削波正弦波或CMOS输出、模拟温度补偿晶振，采用小体积尺寸7.0x5.0mm 密封陶瓷封装，采用2.5V或3.3V电源供电。
产品特点：
削波正弦波或CMOS输出
5MHz至52MHz输出频率
+/-50ppb温度稳定性
可选频率调谐
电源电压 2.5V,3.3V
最小输出频率 5MHz
最大输出频率 52MHz
输出逻辑 CMOS，削波正弦波

VT-701A系列VT-701A-HFE-507B-10M0000000可满足您的低功耗或低抖动应用的要求,温补晶体振荡器

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1XTV26000JBA|KDS晶振|株式会社大真空|VC-TCXO振荡器

1XTV26000JBA晶振产品尺寸图

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等效电路常数：图1.2显示了陶瓷谐振器的符号。端子间的阻抗和相位特性如图1.5所示。该图说明陶瓷谐振器在提供最小阻抗的频率fr（谐振频率）和提供最大阻抗的频率fa（反谐振频率）之间的频率范围内变为电感性的。它在其他频率范围内变为电容。这意味着双端子谐振器的机械振荡可以用等效电路代替，该等效电路由串联和并联谐振电路的组合构成，其中包括电感器L，电容器C和电阻器R.在谐振频率附近，等效电路可以表示如图1.4所示。

fr和f a频率由压电陶瓷材料及其物理参数决定。等效电路常数可以从以下公式确定：

考虑到fr≤f≤fa的有限频率范围，阻抗给出为Z = R e + jwL e（Le≤= 0），如图1.5所示。 陶瓷谐振器应当作为具有损耗R e（Ω）的电感器L e（H）操作。

图1.1显示了陶瓷谐振器和石英晶体谐振器之间等效电路常数的比较。 注意，电容和Q m存在很大差异，这导致实际操作时振荡条件的差异。 附录中的表格显示了每种陶瓷谐振器的等效电路常数的标准值。

除了期望的振荡模式之外，存在用于其他振荡模式的高次谐波。 存在这些其他振荡模式是因为陶瓷谐振器使用机械共振。 图1.6显示了这些特征。

基本振荡电路

通常，振荡电路可分为以下三种类型：

1.积极的反馈

2.负电阻元件

3.在陶瓷谐振器，石英晶体谐振器和LC振荡器的情况下，传输时间或相位的延迟，正反馈是首选电路。

在使用LC的正反馈振荡电路中，通常使用Colpitts和Hartley的调谐型反耦合振荡电路。 见图1.7。

在图1中。 在图7中，使用晶体管，它是最基本的放大器。

振荡频率与Colpitts电路中由L，C L1和C L2组成的电路的谐振频率大致相同，或者由Hartley电路中的L 1，L 2和C组成。 这些频率可以用下面的公式表示。

在陶瓷谐振器振荡器中，利用陶瓷谐振器代替电感器，利用谐振器在谐振和反谐振频率之间变为电感的事实。 最常用的电路是Colpitts电路。

这些振荡电路的工作原理如图2.1所示。 满足以下条件时发生振荡。

环路增益：G =α•β≥1

相位量：φT=φ1+φ2= 360°•n（n = 1,2，...）

在Colpitts电路中，使用φ1= 180°的反转，并且在反馈电路中用L和C反转φ2= 180°。 用陶瓷谐振器的操作可以认为是相同的。

应用

典型的振荡电路：陶瓷谐振器最常见的振荡器电路是Colpitts电路。电路的设计随应用和要使用的IC等而变化。尽管电路的基本配置与晶体控制振荡器的基本配置相同，但机械Q的差异是由电路常数的差异引起的。一些典型的例子如下。

设计考虑因素：使用逆变器门将数字IC配置为振荡电路变得越来越普遍。下页的图3.1显示了带CMOS反相器的基本振荡电路的配置。

INV.1用作振荡电路的反相放大器。 INV.2用作波形整形器，也用作输出的缓冲器。

反馈电阻R f在逆变器周围提供负反馈，以便在通电时振荡开始。

如果R f的值太大而输入逆变器的绝缘电阻很低，则由于环路增益的损失，振荡将停止。而且，如果R f太大，则可以将来自其他电路的噪声引入振荡电路。显然，如果R f太小，则环路增益会降低。 1MΩ的R f通常与陶瓷谐振器一起使用。

阻尼电阻Rd具有以下功能，但有时省略。它使逆变器和反馈电路之间的耦合松动;从而减小逆变器输出侧的负载。此外，反馈电路的相位稳定。它还提供了一种降低高频增益的方法，从而防止了寄生振荡的可能性。

负载电容：负载电容C L1和C L2提供180°的相位滞后。应根据应用，使用的IC和频率正确选择这些值。如果C L1和C L2的值低于必要值，则高频环路增益会增加，从而增加了寄生振荡的可能性。这特别有可能在厚度振动模式所在的4-5MHz附近。

该电路中的振荡频率（f OSC）大致由下式表示。

其中，f r：陶瓷谐振器的谐振频率。

C1：陶瓷谐振器的等效串联电容。

C0：陶瓷谐振器的等效并联电容。

C L = C L1•C L2 / C L1 + C L2

这清楚地表明振荡频率受负载电容的影响。当需要对振荡频率的严格公差时，应注意定义其值。

CMOS反相器：CMOS反相器可用作反相放大器; 4069 CMOS组的单级型最有用。由于增益过大，环形振荡或CR振荡是使用三级缓冲型逆变器（如4049组）时的典型问题。 ECS采用RCA CD4O69UBE作为CMOS标准电路，如图3.2所示。

HCMOS逆变器电路：最近，高速CMOS（HCMOS）越来越多地用于允许微处理器的高速和低功耗的电路。

HCMOS逆变器有两种类型：非缓冲74HCU系列和带缓冲器的74HC系列。 74HCU系统是陶瓷谐振器的最佳选择。见图3.3

TTL逆变器电路：由于阻抗匹配，负载电容C L1和C L2的值应大于CMOS的值。此外，反馈电阻R f应小至几KΩ。注意，需要偏置电阻R d来正确确定DC工作点。

频率相关：振荡器电路如图所示

以下页面是ECS标准测试电路。这些电路中使用的逆变器被广泛接受为工业标准，因为它们的特性代表了同一系列（CMOS / HCMOS / TTL）中微处理器中的特性。当然，应用将使用不同的IC，并且可以预期，振荡器电路特性将因IC而异。

通常，这种变化可以忽略不计，并且可以简单地通过将处理器分类为CMOS，HCMOS或TTL来选择陶瓷谐振器部件号。

鉴于标准ECS陶瓷谐振器在下页中对测试电路进行100％频率分类，因此将标准电路的振荡频率与客户指定电路的振荡频率相关联相对容易。

例如，如果使用的微处理器是摩托罗拉6805，频率为4MHz，那么正确的ECS部件号将是ZTA4.OMG（频率分类到CD4O69UBE CMOS测试电路）。电路参数应选择如下：

通过实际设置该电路以及下面图3.1所示的标准测试电路，可以确定使用带有6805处理器的ZTA4.OMG时可以预期的平均偏移。 实际数据如下所示：

根据这些数据，可以预测标准ZTA4.00MG谐振器的频率偏离原始的4.00MHz±0.5％初始容差约+ 0.06％。 这当然是一个可以忽略不计的转变，不会以任何方式影响电路性能。

 各种IC / LSI电路：

通过充分利用前面提到的特征，陶瓷谐振器与各种IC组合在一起被广泛应用。以下是一些实际应用示例。

微处理器的应用：陶瓷谐振器是各种微处理器的最佳稳定振荡元件：4位，8位和16位。由于微处理器参考时钟所需的一般频率容差为±2％ -  3％，因此标准单元满足此要求。向您的ECS或LSI制造商询问电路常数，因为它们随频率和使用的LSI电路而变化。图A显示了具有4位微处理器的应用程序，图B显示了具有8位微处理器的应用程序。

遥控器IC：遥控器越来越成为一种常见功能。振荡频率通常为400-500 KHz，455KHz是最受欢迎的。该455KHz被载波信号发生器分频，从而产生大约38KHz的载波。

VCO（压控振荡器）电路：VCO电路用于电视和音频设备，因为信号需要与广播电台发送的导频信号同步处理。最初使用振荡电路，例如LC和RC;然而，现在使用陶瓷谐振器，因为它们不需要调整并且具有优于旧型电路的稳定性。用于VCO应用的谐振器需要具有宽的可变频率

其他：除上述用途外，陶瓷谐振器广泛用于IC用于语音合成和时钟生成。对于一般的定时控制应用，振荡频率通常由用户根据IC制造商推荐的工作频率范围选择。用给定的IC选择这个频率将决定什么电路值和哪个陶瓷谐振器是合适的。选择陶瓷谐振器部件号时，请联系您当地的ECS销售代表。

如前所述，陶瓷谐振器有许多应用。一些更具特定应用的振荡器电路要求为该应用和IC开发独特的陶瓷谐振器。

振荡上升时间

振荡上升时间是指在激活IC的电源时振荡从瞬态区域发展到稳定区域的时间。使用陶瓷谐振器时，它定义为在稳定条件下达到振荡电平的90％的时间如图6.1所示。

上升时间主要是振荡电路设计的函数。通常，较小的负载电容，较高频率的陶瓷谐振器和较小尺寸的陶瓷谐振器将导致较快的上升时间。随着谐振器的电容减小，负载电容的影响变得更明显。图6.2显示了对负载电容（C L）和电源电压的上升时间的实际测量。值得注意的是，陶瓷谐振器的上升时间比石英晶体快一到二十倍。 （这一点在图6.3中用图解说明）

启动电压：启动电压是指振荡电路可以工作的最小电源电压。所有电路元件都会影响启动电压。它主要取决于IC的特性。图6.4示出了相对于负载电容的起始电压特性的实际测量的示例。

陶瓷共振器振荡特性

下面描述基本电路中振荡的一般特性。有关特定类型的IC和LSI的振荡特性，请与泰河电子联系。

在-20°C至+ 80°C的范围内，温度变化的稳定性为±0.3至0.5％，尽管根据陶瓷材料的不同而略有不同。负载电容（C L1，C L2）对振荡频率的影响相对较高，可以根据f OSC的公式计算.ffC。由于电容，变化约±0.1％

工作电压范围内的偏差为±0.1％。 f OSC。也随IC的特性而变化。

电源电压变化特性：有关给定振荡频率的实际稳定性测量示例，请参见下面的图1。

振荡水平：以下是振荡水平对温度，电源电压和负载电容（C L1，C L2）的实际测量示例。振荡水平要求在很宽的温度范围内保持稳定，并且温度特性应尽可能平坦。除非IC具有内部恒定电压电源，否则这种变化与电源电压呈线性关系。

What is Tri-State Function?

トライステート関数とは

1. In oscillator with Tri-state function, oscillator output can be controlled by the Tri-state pin as follows:
Logic High : Output Enable
Logic Low :Output Disable

トライステート機能付きオシレータでは、次のようにトライステートピンでオシレータ出力を制御できます。
ロジックハイ：出力イネーブル
ロジックロー：出力ディセーブル
2. The Tri-state function would allow output pin to assume high-impedance state, effectively removing the oscillator output from the circuit.

トライステート機能により、出力ピンをハイインピーダンス状態にすることができ、回路から発振器の出力を効果的に取り除くことができます。

3. Oscillator circuits can remain on or be turned off while output is disabled in Tri-State.

出力がトライステートでディスエーブルされている間、発振回路はオンのままにするかオフにすることができます。

Oscillator Operating Mode in Tri-state:Oscillator Circuits Off

トライステートの発振器動作モード：発振器回路オフ

•Advantage :Lower standby current

•利点：スタンバイ電流が低い

•Drawback :Longer startup time:( Fundamental mode > 0.2mS),( 3rd Overtone mode > 2mS)

•欠点：起動時間が長くなります:(基本モード> 0.2ミリ秒）、（3倍音モード> 2ミリ秒）

Oscillator Operating Mode in Tri-state:Oscillator Circuits On

トライステートのオシレータ動作モード：オシレータ回路オン

•Advantage:Shorter output enable time(< 0.1mS)

利点：短い出力イネーブル時間（<0.1mS）

•Drawback:Higher standby current

欠点：高いスタンバイ電流

Standby Current Comparison between Different Oscillator Operating Mode

異なる発振器動作モード間の待機電流の比較

•Only PX/PY series have oscillator on/off option when output is disabled.

出力が無効の場合、PX / PYシリーズのみオシレータのオン/オフオプションがあります。

•All other oscillator series have oscillator turned off in Tri-state.

他のすべての発振器シリーズは、トライステートで発振器がオフになっています。

How to Disable Tri-State Function

トライステート機能を無効にする方法

•If Tri-state function is no needed, the Tri-state pin shall be connected to the Vcc pin or left floating.

トライステート機能が不要な場合は、トライステートピンをVccピンに接続するか、フローティングのままにします。

There is a internal pull- up resistor which would enable output if Tri-state pin is left floating.

トライステートピンをフローティングのままにしておくと、出力をイネーブルする内部プルアップ抵抗があります。

•TAITIEN recommends connecting Tri-State pin to VCC if Tri-state function is not needed.

トライステート機能が不要な場合は、トライステート端子をVCCに接続することをお勧めします。