由于视频和其他内容的传送导致移动流量的增加，移动通信网络中基站的业务容量变得越来越紧张。作为解决方案，已经提出通过增加小小区的数量来减少宏小区的负担，并且预期将来对小小区的需求将继续增加。

   另一方面，为了将每个网络节点和基站的时间误差减少到5G，需要越来越高精度和高稳定性的时钟。

应用于每个电信公司核心部分的顶部时钟（PRTC / T-GM）通过铯和铷等原子钟实现了极高的精度。安装在网络上的每个设备都与这个顶部时钟同步，但是如果由于某种原因无法实现同步，则需要以其自身的准确度继续通信定义了Holdover的准确性，它确保了在时间之前基于同步数据的准确性，以及以其自身精度操作的自由运行的准确性。

高精度的TCXO(温补晶振)是可以作出温度补偿功能的振荡器，可实现与OCXO(恒温晶体振荡器)一样的高精度值.这类的高精度TCXO振荡器主要用于网络基础设施.为了在4G以及5G中实现高同步设置,村田陶瓷谐振器公司正在开发频率稳定度为STRATUM 3级或者更高级别的产品.除了存在或者不存在Vc功能外,输出波型还可以选择两种类型的：削波正弦和CMOS.

虽然说5G时代的到来是需要更精确的定时装置,但OCXO晶振高精度装置往往在成本上面会有着很大的差异,尺寸功耗大等问题都会影响到客户的使用与设计.因此,muRata晶振公司经过多方面的研究与探讨,从TCXO振荡器着手,通过提高TCXO的准确性从而创造一个不需要OCXO振荡器的世界.

村田陶瓷振荡器公司所研发的高精度TCXO振荡器具有与OCXO振荡器相同的温度特性,在-40~+85度的温度范围内具有+-200ppb的高精度。以确保G.8262对以太网设备时钟所需要的精度.以确保可以正常自由的运行.

现村田陶瓷振荡子晶振公司正在开发具有扩展温度范围的产品,以应对恶劣的环境.

日本村田新研发出一款MEMS谐振器，尺寸仅有0.9*0.6*0.3mm。实现了现石英晶体谐振器达不到超小尺寸，并且低ESR特性的产品。MEMS谐振器的诞生可代替许多石英晶体谐振器。有很多人就想问了什么是MEMS谐振器？它跟振荡器有什么区别？MEMS谐振器有哪些特点？工作原理有哪些？使用都需要注意一些什么问题？等等一大串的问题就随之而来了。

那么我们将一一把问题给大家回复。

首先，大家肯定是会对日本村田陶瓷晶振制作所研发出的产品有些疑问，什么是MEMS呢？其实MEMS指的是微机电系统（Micro Mlectro Mechanical Systems),这种装置运用了半导体生产工艺技术，具有三维微细结构。除了面对MEMS谐振器还有一种是振荡器，MEMS振荡器跟其它普通石英晶体振荡器是一样的，将振荡用电路也谐振器融为一体的装置。可用科尔皮兹振荡电路之类的普通振荡电路驱动。

WMRAG32K76CS1C00R0谐振器是村田MEMS技术的代表作品。该产品具有体极柢的ESR特性以及极小尺寸封装，这个是目前石英晶体谐振器无法实现的突破。极小的尺寸有助于减小安装面积，通过优化IC增益，实现了低ESR的MEMS谐振器，降低了功耗。也可用于回流焊接，引线键合和传递模型。WMRAG32K76CS1C00R0谐振器具有晶体该有的特性，32.768KHZ标频以及20PPM标准稳定偏差。可在-30~+85度下正常工作。驱动电平在0.2μW以内。当您考虑置换晶体的时候，要注意晶体谐振器和MEMS谐振器的负载电容量值不同。

并且要知道MEMS谐振器与普通石英晶体谐振器的区别。

1. Introduction 

When ordering crystals for oscillators that are to operate at a frequency f, e.g. 32.768 kHz or 20 MHz, it is usually not sufficient to specify the frequency of operation alone. While the crystals will oscillate at a frequency near their series resonant frequency, the actual frequency of oscillation is usually slightly different from this frequency (being slightly higher in “parallel resonant circuits”).1 

So, suppose you have a crystal oscillator circuit and you want to purchase crystals such that when placed in this circuit the oscillation frequency is f. What do you need to tell the crystal manufacturer to accomplish this? Do you need to send a schematic of the oscillator design with all the associated details of its design, e.g. choice of capacitors, resistors, active elements, and strays associated with the layout? Fortunately, the answer is no. In addition to the frequency f, all that is needed is a single number, the load capacitance CL . 

2. What is CL ? 

Suppose your crystal oscillator operates at the desired frequency f. At that frequency, the crystal has complex impedance Z, and for the purposes of frequency of operation, this is the only property of the crystal that matters. Therefore, to make your oscillator operate at the frequency f, you need crystals that have impedance Z at the frequency f. So, at worst, all you need to specify is a single complex number Z = R+jX. In fact, it is even simpler than this. 

While in principal one should specify the crystal resistance R at the frequency f, usually the crystal-to- crystal variation in R and the oscillator’s sensitivity to this variation are sufficiently low that a specification of R is not necessary. This is not to say that the crystal resistance has no effect; it does. We shall discuss this further in Section 4. 

So, that leaves a single value to specify: The crystal reactance X at f. So, one could specify a crystal having a reactance of 400 ? at 20 MHz. Instead,however, this is normally done by specifying a capacitance C L and equating.

where we have set ω = 2πf. Physically, at this frequency, the impedance of the series combination of the crystal and a capacitance C L has zero phase (equivalently, has zero reactance or is purely resistive). See Figure 1. To see this, consider

where the second step follows by Equation (1) and the fact that the reactance of a capacitance C is -1/( ωC).

Figure 1—This series combination has zero-phase impedance at a frequency where the crystal has load capacitance CL

So, the task of assuring proper oscillation frequency is the task of providing components (crystals in this case) that, at the specified frequency, have the required reactance, which is stated in terms of a capacitance CL by Equation (1).2 For example, instead of specifying crystals having a reactance of 400 ? at 20 MHz, we specify crystals having a load capacitance of 20 pF at 20 MHz, or more normally, we specify that the crystal frequency be 20 MHz at a load capacitance of 20 pF. 

In “parallel resonant circuits,” CL is positive, typically being between 5 pF and 40 pF. In this case the crystal operates in that narrow frequency band between the crystal’s series and parallel resonant frequencies (F s and F p , respectively).

While a truly “series resonant circuit” does not have a load capacitance associated with it [or perhaps an infinite value by Equation (1)], most “series resonant circuits” actually operate slightly off of the series resonant frequency and therefore do have a finite load capacitance (that can be positive or negative).However, if this offset is small and specifying a load capacitance is not desired, it can either be ignored or handled by a slight offset in the specified frequency f.

As we shall see in Section 4, both the oscillator and the crystal determine C L . However, the crystal’s role is rather weak in that in the limit of zero resistance,the crystal plays no role at all in determining C L . In this limiting case, it makes sense to refer to C L as the oscillator load capacitance as it is determined entirely by the oscillator. However, when it comes time to order crystals, one specifies crystals having frequency f at a load capacitance C L , i.e. it is a condition on the crystal’s frequency. Because of this,it would be reasonable to refer to C L as the crystal load capacitance. For the sake of argument, we simply avoid the issue and use the term loadcapacitance.

注释：1> When ordering crystals for series resonant operation,instead of specifying a value for C L , be sure to state that the frequency f refers to the series-resonant frequency, F s .

2> This is not to say that all aspects of frequency determination are tied to this single number. For example,other aspects of the crystal and oscillator determine whether the correct mode of oscillation is selected and the system’s frequency stability (short and long term).

3. Defining F L at C L

We now take Equation (1) as our defining relation for what we mean by a crystal having a given frequency at a given load capacitance.

Definition: A crystal has frequency F L at a load capacitance C L when the reactance X of the crystal at frequency F L is given by Equation (1), where now ω = 2πF L .

Recall that, around a given mode, the reactance of a crystal increases from negative values, through zero at series resonance, to large positive values near parallel resonance where it rapidly decreases to large negative values, and then again it increases towards zero. (See Reference [1].) By excluding a region around parallel resonance, we have a single frequency for each value of reactance. In this way,we can associate a frequency F L given a value of C L .So, positive values of C L correspond to a frequency between series and parallel resonance. Large negative values of C L , correspond to a frequency below series resonance while smaller negative values correspond to frequencies above parallel resonance.(See Equation (3) below.)

3.1. The crystal frequency equation So, how much does the frequency of oscillation depend on the load capacitance C L ? We can answer this question by determining how the crystal frequency F L depends on the crystal load capacitance CL . One can show that to a very good approximation that

where C 1 and C 0 are the motional and static capacitances of the crystal, respectively. (See Reference [1] for a derivation and discussion of this relation.) For the purposes of this note, we shall refer to Equation (3) as the crystal frequency equation.

This shows the dependence of a crystal oscillator’s operational frequency on its load capacitance and its dependence on the crystal itself. In particular, the fractional frequency change when changing the load capacitance from C L1 to C L2 is given to good approximation by

3.2. Trim sensitivity

Equation (3) gives the dependence of operating frequency F L on the load capacitance C L . The negative fractional rate of change of the frequency with C L is known as the trim sensitivity, TS. Using Equation (3), this is approximately

From this we see that the crystal is more sensitive to given change in C L at lower values of C L .

4. But what determines C L ?

Consider the simple Pierce oscillator consisting of a crystal, an amplifier, and gate and drain capacitors as shown in Figure 2.

There are at least three stray capacitances that must be considered in trying to calculate the load capacitance of the Pierce oscillator circuit.

1.  An added capacitance from the input of the amplifier to ground. Sources for this could be the amplifier itself and trace capacitance to ground. As this capacitance is in parallel with C G , we can simply absorb this into our definition of C G . (That is C G is the capacitance of the capacitor to ground plus any additional capacitance to ground on this side of the amplifier.)

2.  An added capacitance from the output of the amplifier to ground. Sources for this could be the amplifier itself and trace capacitance to ground. As this capacitance is in parallel with C D , we can simply absorb this into our definition of C D . (That is C D is the capacitance of the capacitor to ground plus any additional capacitance to ground on this side of the amplifier.)

3.  A stray capacitance C s shunting the crystal as shown in Figure 2.

Redefining C G and C D as discussed above, it then follows [2] that one of the conditions for oscillation is 

Where

is the impedance of the parallel combination of the crystal and the capacitance C s and R o is the output resistance of the amplifier.

It can be shown that the crystal resistance R as a function of load capacitance C L is given approximately by (provided C L is not too small)

where R 1 is the motional resistance of the crystal [1].It then follows that (provided C L – C s is not too small)

And

With these results, Equation (6) gives the following equation for C L

where R ′ is approximated by Equation (9). Note that the equation for C L is actually a bit more complicated than it might seem at first as R ′ depends upon on C L.It can be seen that C L decreases as R 1 increases, and so by Equation (3), the frequency of operation increases with crystal resistance. So, the load capacitance does have a dependence on the crystal itself. But as we have mentioned previously, the variation in crystal resistance and resulting sensitivity to this variation is usually sufficiently low that the dependence can be ignored. (In this case, a nominal value for crystal resistance is used in calculating C L .)

However, sometimes the resistance effect cannot be ignored. Two crystals tuned so that both have exactly the same frequency at a given load capacitance C L can oscillate at different frequencies in the same oscillator if their resistances differ. This slight difference leads to an increase in the observed system frequency variation above that due to crystal frequency calibration errors and the board-to-board component variation.

Note that in the case of zero crystal resistance (or at least negligible compared to the output resistance Ro of the amplifier), Equation (11) gives

So, in this case, the load capacitance is the stray capacitance shunting the crystal plus the series capacitance of the two capacitances on each side of the crystal to ground.

5. Measuring CL

While in principal one could calculate C L from the circuit design, an easier method is simply to measure C L . This is also more reliable since it does not rely on the oscillator circuit model, takes into account the strays associated the layout (which can be difficult to estimate), and it takes into account the effect of crystal resistance. Here are two methods for measuring C L .

5.1 Method 1

This method requires an impedance analyzer, but does not require knowledge of the crystal parameters and is independent of the crystal model.

1.  Get a crystal that is similar to those that will be ordered, i.e. having similar frequency andresistance.

2.  Place this crystal in the oscillator and measurethe frequency of operation F L . In placing the crystal into the circuit, be careful not to damage it or do anything to cause undue frequency shifts.(If soldered in place, allow it to cool down to room temperature.) A good technique that avoids soldering is simply to press the crystal onto the board’s solder pads using, for example,the eraser end of a pencil and observe the oscillation frequency. Just be careful that the crystal makes full contact with the board. The system can still oscillate at a somewhat higher frequency without the crystal making full contact with the board.

3.  Using an impedance analyzer, measure the reactance X of the crystal at the frequency F L determined in Step 2.

4.  Calculate C L using Equation (1) and the measured values for F L ( ω = 2πF L ) and X at F L .

5.2 Method 2

This method is dependent upon the four-parameter crystal model and requires knowledge of these parameters (through your own measurement or as provided by the crystal manufacturer).

1.  Get a crystal that is similar to those that will be ordered, i.e. having similar frequency and resistance.

2.  Characterize this crystal. In particular measure its series frequency Fs , motional capacitance C1,and static capacitance C0.

3.  Place this crystal in the oscillator and measure the frequency of operation F L (as in Method 1,Step 2.)

4.  Calculate C L using Equation (3) and the measured values for F L , F s , C 1 , and C 0 .

It is recommended that either procedure be followed with at least 3 crystals. When done properly, this technique often gives values for C L that are consistent to about 0.1 pF. Further confidence in the final results can be found by repeating the procedure for a number of boards to estimate the board-to-board variation of C L .

Note that in the above, F L does not have to be precisely the desired oscillation frequency f. That is, the calculated value for C L is not a strong function of the oscillation frequency since normally only the crystal is strongly frequency dependent. If, for some reason, the oscillator does have strong frequency dependent elements, then using this procedure would be quite difficult.

6. Do I really need to specify a value for CL ?

There are at least three cases where a specification of C L is not necessary:

1.  You intend to operate the crystals at their series-resonant frequency.

2.  You can tolerate large errors in frequency (on theorder of 0.1% or more).

3.  The load capacitance of your circuit is sufficiently near the standard value (see crystal data sheet) that the frequency difference is tolerable. This difference can be calculated with Equation (4).

If your application does not meet one of the three conditions above, you should strongly consider estimating the load capacitance of your oscillator and use this value in specifying your crystals.

What is Tri-State Function?

トライステート関数とは

1. In oscillator with Tri-state function, oscillator output can be controlled by the Tri-state pin as follows:
Logic High : Output Enable
Logic Low :Output Disable

トライステート機能付きオシレータでは、次のようにトライステートピンでオシレータ出力を制御できます。
ロジックハイ：出力イネーブル
ロジックロー：出力ディセーブル
2. The Tri-state function would allow output pin to assume high-impedance state, effectively removing the oscillator output from the circuit.

トライステート機能により、出力ピンをハイインピーダンス状態にすることができ、回路から発振器の出力を効果的に取り除くことができます。

3. Oscillator circuits can remain on or be turned off while output is disabled in Tri-State.

出力がトライステートでディスエーブルされている間、発振回路はオンのままにするかオフにすることができます。

Oscillator Operating Mode in Tri-state:Oscillator Circuits Off

トライステートの発振器動作モード：発振器回路オフ

•Advantage :Lower standby current

•利点：スタンバイ電流が低い

•Drawback :Longer startup time:( Fundamental mode > 0.2mS),( 3rd Overtone mode > 2mS)

•欠点：起動時間が長くなります:(基本モード> 0.2ミリ秒）、（3倍音モード> 2ミリ秒）

Oscillator Operating Mode in Tri-state:Oscillator Circuits On

トライステートのオシレータ動作モード：オシレータ回路オン

•Advantage:Shorter output enable time(< 0.1mS)

利点：短い出力イネーブル時間（<0.1mS）

•Drawback:Higher standby current

欠点：高いスタンバイ電流

Standby Current Comparison between Different Oscillator Operating Mode

異なる発振器動作モード間の待機電流の比較

•Only PX/PY series have oscillator on/off option when output is disabled.

出力が無効の場合、PX / PYシリーズのみオシレータのオン/オフオプションがあります。

•All other oscillator series have oscillator turned off in Tri-state.

他のすべての発振器シリーズは、トライステートで発振器がオフになっています。

How to Disable Tri-State Function

トライステート機能を無効にする方法

•If Tri-state function is no needed, the Tri-state pin shall be connected to the Vcc pin or left floating.

トライステート機能が不要な場合は、トライステートピンをVccピンに接続するか、フローティングのままにします。

There is a internal pull- up resistor which would enable output if Tri-state pin is left floating.

トライステートピンをフローティングのままにしておくと、出力をイネーブルする内部プルアップ抵抗があります。

•TAITIEN recommends connecting Tri-State pin to VCC if Tri-state function is not needed.

トライステート機能が不要な場合は、トライステート端子をVCCに接続することをお勧めします。

FOX CRYSTAL晶振公司成立于1979年，美国福克斯晶振电子有限公司总部位于美国的佛罗里达州的迈尔斯堡。福克斯电子公司的成立使得该公司成为美国领先的高精度，高可靠性的频率元器件制造供应商。按当时的情况来看，FOX晶振公司还是处于一个小型的家族式石英晶体和振荡器的供应商。

美国FOX晶振公司在过去的32年中持续增长，其中一个重要因素离不开其研发部门。福克斯晶振的工程师开发出了几百种产品，而且这些产品为晶体和振荡器的性能，精度以及可靠性带来了认可的新标准。并可以不断的增长业务的需求，缩短了交付晶体的周期。

FOX CRYSTAL Crystal Company was founded in 1979, and Fox Crystal Electronics Co., Ltd. is headquartered in Fort Myers, Florida, USA. The establishment of Fox Electronics has made the company a leading supplier of high-precision, high-reliability frequency components in the United States. According to the situation at the time, FOX Crystal is still a supplier of small family quartz crystals and oscillators.

The US FOX Crystal Company has continued to grow over the past 32 years, and one of the important factors is inseparable from its R&D department. Engineers at Fox Crystal have developed hundreds of products that bring new standards of acceptance for the performance, accuracy and reliability of crystals and oscillators. And can continue to grow business needs, shortening the cycle of delivering crystals.

关于HOSONIC鸿星晶振公司可能挺多人也知道，HOSONIC CRYSTAL鸿星晶振股份有限公司成立于1979年在台湾设立登记成立公司，登记的资本为新台币200万元。公司成立之后便于台湾投入石英晶体研发制造.1994年新增资本3400万元，开始大力研发生产石英晶体振荡器，石英晶振，贴片晶振，压控振荡器的研发生产。

About HOSONIC CRYSTAL Company may know that HOSONIC CRYSTAL was established in 1979 to establish a registered company in Taiwan with a registered capital of NT$2 million. After the establishment of the company, it is convenient for Taiwan to invest in the research and development of quartz crystal. In 1994, the company added 34 million yuan of capital, and began to vigorously research and develop the production and production of quartz crystal oscillator, quartz crystal oscillator, patch crystal oscillator and voltage controlled oscillator.

台湾NSK晶振公司不仅生产石英晶振,石英晶体谐振器,晶体振荡器,温补晶振,压控晶体,还生产陶瓷谐振器(Ceramic Resonator),陶瓷滤波器(Ceramic Filter),ZTA陶瓷晶振,ZTT陶瓷晶振,3.58M,6M,4M,8M,16M,24M,27M频率均有现货供应.ZTA晶振可从低频1M到50MHZ,主要应用于电视遥控器,风扇遥控器,USB,鼠标等产品.

NSK Ceramic Resonator

	NRA ZTA/ MG, MT, MX	DIP	1.8 MHz to 50.0 MHz	10.0*5.0*10.0

	NRE ZTTCV MT, MX	SMD	8.0 to 50 MHz	3.7*3.1*1.2

	NRE ZTTCS MT, MX	SMD	7.0 to 50 MHz	4.7*4.1*1.6

	NRE ZTTCC MG	SMD	2 to 6.99 MHz	7.4*3.4*1.8

	NRD ZTACV MT, MX	SMD	8.0 to 50 MHz	3.7*3.1*1.2

	NRD ZTACS MT, MX	SMD	7.0 to 50 MHz	4.7*4.1*1.6

	NRD ZTACC MG	SMD	2.0 to 6.99 MHz	7.4*3.4*1.8

	NRT ZTT/ MG, MT, MX	DIP	1.8 MHz to 50 MHz	10.0*5.0*10.0

NSK Ceramic Filter

陶瓷滤波器LT4.5MB,LT5.5MB,LT6.5MB可以免提提供样品测试,陶瓷滤波器主要应用于TV/VCR产品等.L10.7M陶瓷滤波器均可在线供应.

	NRF LT4.5MB	DIP	4.43MHz to 6.5MHz	5*3.2

	NRF LTCA/CV	SMD	10.7MHz	6.9*2.9*1.5

	NRF JT4.5MD	DIP	4.5MHz to 6.5MHz	9.0*5.0*10.0

	NRF JT4.5MC	DIP	4.5MHz to 6.5MHz	9.0*5.0*10.0

NRF JT10.7M

SMD

10.7MHz

9.0*5.0*7.0

Taiwan NSK Crystal Co., Ltd. not only produces quartz crystal oscillator, quartz crystal resonator, crystal oscillator, temperature-compensated crystal oscillator, voltage-controlled crystal, but also ceramic resonator (Ceramic Resonator), ceramic filter (Ceramic Filter), ZTA ceramic crystal, ZTT ceramic. Crystal oscillator, 3.58M, 6M, 4M, 8M, 16M, 24M, 27M frequency are available from stock. ZTA crystal oscillator can be used from low frequency 1M to 50MHZ, mainly used in TV remote control, fan remote control, USB, mouse and other products.

TXC晶振有分好多種類型,溫補晶體振蕩器,壓控振蕩器,恒溫晶體振蕩器OCXO振蕩器.以下泰河電子為大家整理提供已分好類別的TXC溫補振蕩器及VCXO振蕩器選型表,以供大家選型參考使用.雖然TXC晶振的型號眾多,但是並不會難記.

TXC压控振荡器VCXO系列 - CMOS
	Model	Frequency	Stability (-40~85ºC)	Voltage	Output	Oscillation	Dimensions
	6U	1 ~ 59MHz	±50ppm	3.3V, 5V	CMOS	Fundamental	7 x 5 x 1.3mm
	BR	60 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	CMOS	Fundamental	7 x 5 x 1.3mm
	CR	50 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	CMOS	Fundamental	5 x 3.2 x 1.2mm

TXC压控振荡器VCXO系列 - 差分晶振 一般来说单相输出称之为晶体振荡器,并以正弦波或者CMOS波型(矩型波)输出为主要代表. 剪切的正弦波输出具有类似圆角矩形的波形,并常用于RF电路,因为它抑制了不必要的谐波.TCXO(温度补偿晶体振荡器)被称为削波正弦波输出的产物.由于CMOS波输出是对应于数字信号处理的逻辑电子的信号输出,所以有利于数字信号的传送,并用于时钟,如CPU等.
	Model	Frequency	Stability (-40~85ºC)	Voltage	Output	Oscillation	Dimensions
	BJ	60 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	LVPECL	Fundamental	7 x 5 x 1.3mm
	BK	60 ~ 700MHz	±50ppm	3.3V	LVPECL	PLL	7 x 5 x 1.3mm
	BN	60 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	LVDS	Fundamental	7 x 5 x 1.3mm
	BP	60 ~ 700MHz	±50ppm	3.3V	LVDS	PLL	7 x 5 x 1.3mm
	CJ	60 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	LVPECL	Fundamental	5 x 3.2 x 1.2mm
	CN	50 ~ 200MHz	±50ppm	3.3V	LVDS	Fundamental	5 x 3.2 x 1.2mm

TXC温补振荡器TCXO系列 - Basic 什么是温补晶振。来自温度传感器的输出信号用于通过补偿网络产生校正电压。 校正电压施加到VCXO中的变容二极管。 电容变化可以补偿晶体的频率与温度特性.
	Model	Frequency	Stability (-30~85ºC)	Operating Temp	Voltage	Output	Dimensions
	7Q	13 ~ 52MHz	±2ppm	-40~+85ºC	2.4V-3.3V	Clipped Sinewave	3.2 x 2.5 x 1mm
	7L	13 ~ 52MHz	±2ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	2.5 x 2 x 0.8mm
	7Z	26 ~ 52MHz	±2ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	2.0 x 1.6 x 0.8mm
	8P	26 ~ 52MHz	±2ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	1.6 x 1.2 x 0.6mm

TXC温补振荡器TCXO系列 - GPS专用
	Model	Frequency	Stability (-30~85ºC)	Operating Temp	Voltage	Output	Dimensions
	7Q	13 ~ 52MHz	±0.5ppm	-40~+85ºC	2.4V-3.3V	Clipped Sinewave	3.2 x 2.5 x 1mm
	7L	13 ~ 52MHz	±0.5ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	2.5 x 2 x 0.8mm
	7Z	26 ~ 52MHz	±0.5ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	2.0 x 1.6 x 0.8mm
	8P	26 ~ 52MHz	±0.5ppm	-40~+85ºC	1.8V-3.3V	Clipped Sinewave	1.6 x 1.2 x 0.6mm

TXC温补振荡器TCXO系列 - 高精度振荡器
	Model	Frequency	Stability (-40~85ºC)	Voltage	Output	Dimensions
	7N	10 ~ 52MHz	±0.28ppm	2.7V-5.5V	Clipped Sinewave /CMOS	7 x 5 x 2mm
	7P	10 ~ 52MHz	±0.28ppm	2.7V-5.5V	Clipped Sinewave /CMOS	5 x 3.2 x 1.2mm

TXC恒温晶体振荡器OCXO系列 - CMOS
	Model	Frequency	Stability	Voltage	Output	Dimensions
	OC	10 ~ 25MHz	±5ppb (0~70ºC)	5, 12V	CMOS	36 x 27mm
	OB	10 ~ 25MHz	±10ppb (0~75ºC)	3.3, 5V	CMOS	25 x 25mm
	OA	10 ~ 40MHz	±200ppb (-30~70ºC)	3.3, 5V	CMOS	20 x 20mm

希華晶體公司眾所周知的是它是壹家臺灣品牌的晶體頻率元器件制造。關於希華晶體我們知道多壹點的就是SIWARD晶體公司是世界領先的石英晶振與晶體振蕩器的解決方案商之壹。為了滿足全球不斷增長對電信的需求，希華晶體也在做著不同的改變，希華晶體壹直在改進自身的生產技術以及服務質量。臺灣希華晶振公司成立於1988年，對全球的石英晶體，振蕩器以及濾波器的研發，生產與銷售。產品應用於移動通信，平板電腦，GPS定位系統，計算機時鐘等產品。

系列 照片 尺寸 频率范围 STB-2520 2.5 x 2.0 x 0.8 16~52 MHz STB-3225 3.2 x 2.5 x 0.9 8~52 MHz TXO83 5.0 x 3.2 x 1.05 6~45 MHz STO-2520B 2.5 x 2.0 x 0.9 3.2~55 MHz STO-3225B 3.2 x 2.5 x 1.0 2.5~55 MHz STO-5032B 5.0 x 3.2 x 1.05 2.5~55 MHz STO-7050B 7.0 x 5.0 x 1.4 2.5~55 MHz STO-2016A 2.0 x 1.6 x 0.8 16.368~33.6 MHz STO-2520A 2.5 x 2.0 x 0.8 16.368~38.4 MHz STO-3225A 3.2 x 2.5 x 1.0 16.368~27.456 MHz

系列 照片 尺寸 频率范围 STV-2520 2.5 x 2.0 x 0.8 16~52MHz STV-3225 3.2 x 2.5 x 0.9 8~52 MHz VTX83 5.0 x 3.2 x 1.05 6~45 MHz

系列 照片 尺寸 频率范围 SCV-3225 3.2 x 2.5 x 0.9 1.5~54 MHz VCX95 5.0 x 3.2 x 1.1 1.5~61.440 MHz VCX91 7.0 x 5.0 x 1.6 1.5~54 MHz VCX92 7.0 x 5.0 x 1.6 1.5~54 MHz

SIWARD Crystal Company is well known for its manufacture of crystal frequency components under one Taiwan brand. We know that SIWARD Crystal is one of the world's leading quartz oscillator and crystal oscillator solutions. In order to meet the growing global demand for telecommunications, SIWARD Crystal is also making different changes. Sihua Crystal has been improving its production technology and service quality. Taiwan SIWARD CRYSTAL Co., Ltd. was founded in 1988. It develops, produces and sells quartz crystals, oscillators and filters all over the world. Products used in mobile communications, tablet computers, GPS positioning systems, computer clocks and other products.

今天2019年2月14日是一年一度大家口中所谓的”情人节”,也可以说是”情人劫”吼.从字面的意思上来讲并不是情侣夫妻之间的节日,而是情人过的节.所以,大家还是那么高兴又那么期待的要过情人节吗?

其实说起这个情人节的来源,真的,它并非是我们中国的节日,而是西方国家的传统节日之一.情人节又叫圣瓦伦丁节或者圣华伦泰节.(好长的名字,读起来又贼拗口).起源于基督教.原本的意思是男女间相互送花,巧克力,贺卡以及表达爱意或者友好的日子.晚餐约会通常代表了情侣关系的发展关键.然后各国的商家借此商机做活动,再慢慢的也成为了各国青年人喜爱的日子.情人节便开始流行起来.

但,我们不能在每天都过着安稳日子的时候忘记了那些革命的艰辛.我们应该多去了解一些历史.比如说国内,都出现了一些什么大事情.

 1912年2月14日 孙中山辞去临时大总统一职

106年前,1912年2月14日(辛亥年腊月廿七)，孙中山辞去临时大总统一职。

♦ 1935年2月14日 蒋介石在庐山答日本《朝日新闻》记者

83年前,1935年2月14日，蒋介石在庐山答日本《朝日新闻》记者问时称：“中日两国不仅在东亚大局上看来有提携之必要，即为世界大局设想，亦非提携不可。”“中国不但无排日之行动思想，亦无排日之必要。”

♦ 1949年2月14日 李宗仁派和平使团与中共谈判

69年前,1949年2月14日，上海“和平使者团”颜惠庆、邵力子、章士钊等16人受李宗仁之托，以私人资格乘飞机到达北平，与中共方面商谈国事。

♦ 1949年2月14日 美国谋求台湾独立失败

69年前,1949年2月14日，美驻华参赞莫成德自南京秘密飞往台北，游说台湾省主席陈诚“自立”。陈诚不从。美方又想以孙立人替陈诚。孙毕业于美国弗吉尼亚军事学院，是国民党军队中留美出身的唯一高级将领，时任台湾防卫司令，但孙对蒋亦无二心。美拉孙计划一厢情愿。

♦ 1950年2月14日 《中苏友好同盟互助条约》在莫斯科签订

68年前,1950年2月14日，经过毛泽东、周恩来同斯大林、维辛斯基会谈，两国政府在莫斯科签订《中苏友好同盟互助条约》，同年4月11日起生效，有效期30年。双方还签订《中苏关于中国长春铁路、旅顺口及大连的协定》、《中苏关于贷款给中华人民共和国的协定》。

♦ 1958年2月14日 周恩来出访朝鲜，中国政府决定撤军。

60年前,1958年2月14日，周恩来率我国政府代表团访问朝鲜，协商撤军一事。

♦ 1963年2月14日 中央美术展览馆建成

55年前,1963年2月14日，中央美术展览馆(中国美术馆)由毛泽东主席题写“中国美术馆”馆额并正式开放，是新中国成立以后的国家文化标志性建筑。主体大楼为仿古阁楼式，黄色琉璃瓦大屋顶，四周廊榭围绕，具有鲜明的民族建筑风格。主楼建筑面积18000多平方米 ，一至五层楼共有17个展览厅，展览总面积8300平方米；1995年新建现代化藏品库，面积4100平方米。

♦ 1972年2月14日 我国与墨西哥建立外交关系

46年前,1972年2月14日，墨西哥同中国建交。建交后，两国关系发展顺利。墨历任总统均在任内访华，中国**主席、政府总理等领导人先后访墨。

♦ 1981年2月14日 邓小平为英国培格曼出版公司编辑出版的《邓小平副主席文集》作序

37年前,1981年2月14日，由英国培格曼出版公司编辑出版的这本文集，收集了邓小平1956年到1979年的部分讲话，内容涉及政治、科学、教育、文艺等几个方面。从50年代中期到70年代末，世界历史在错综复杂的矛盾和激烈的动荡中发展，社会主义中国和中国共产党也走过了自己的很不寻常的道路。

♦ 1983年2月14日 中共中央发出《关于加强党员教育工作的通知》

35年前,1983年2月14日，中共中央发出《关于加强党员教育工作的通知》。《通知》指出：认真学习党的十二大制定的社会主义现代化建设的纲领和大会通过的新党章，是今后一个时期党员教育的主要内容，是提高党员素质、提高党组织战斗力和实现党风根本好转的重要一环，是全党的一件大事。抓好这件大事，要党委负责，全党动手。

♦ 1986年2月14日 国家自然科学基金委员会成立。

32年前,国务院于1986年2月14日批准成立国家自然科学基金委员会，作为管理国家自然科学基金的国务院直属事业单位，自然科学基金委根据国家发展科学技术的方针、政策和规划，有效运用国家自然科学基金，支持基础研究，坚持自由探索，发挥导向作用，发现和培养科学技术人才，促进科学技.

然后国外的2月14日这天,也发生了很多大事件.最令大家关注的可能会是情人节的由来.其实,这个节日说好听点就是为了祭奠瓦伦丁.说难听点就是...后面大伙自个补充,我怕被群殴…其实这个版本也有很多,大家想了解更多一点可以去找一下相关资料.

♦ 公元270年2月14日 为纪念瓦伦丁为爱牺牲，2月14日被定为情人节

1748年前,公元270年2月14日，罗马圣教徒瓦伦丁被处死，基督教徒为了纪念瓦伦丁为纯洁的爱而牺牲自己，将临刑的这一天定为“圣瓦伦节”，此日被后人定为“情人节”

♦ 1076年2月14日 罗马皇帝亨利四世被教皇驱逐出天主教，政教冲突爆发

942年前,1076年2月14日，神圣罗马皇帝亨利四世(Heinrich IV)被罗马教皇格列高利七世。按照天主教廷规定，被处罚者如不能在一年之内获得教皇的宽恕，他的臣民都要对他的解除效忠宣誓。德意志大部分诸侯表示，如果亨利四世不能在一年之内恢复教籍，他们就不再承认他的合法性。亨利四世没有足够的兵力来制服反叛的诸侯，他不得不向格列高利七世低头。

♦ 1859年2月14日 美国合并俄勒冈州

159年前,1830年以后，成千上万的美国人从中西部迁移到西北部太平洋沿岸。在他们走过的俄勒冈小道上，至今仍可见当年篷车压出的车辙。1848年建立俄勒冈地区。1859年2月14日加入联邦，为美国第33州。

♦ 1876年2月14日 贝尔向美国专利局递交了电话发明专利申请书

142年前,1876年2月14日，贝尔申请了那个著名的他和沃森一直研究着的装置——电话的专利。同一天另一个发明家格雷(1835-1901)也向美国专利局递交了相似设备的专利申请书，只因比贝尔晚了几个小时而痛失电话发明权。贝尔获得电话的专利证书。

♦ 1879年2月14日 智利同玻利维亚、秘鲁两国爆发南美太平洋战争

139年前,1879年2月14日(己卯年正月廿四)，智利同玻利维亚、秘鲁两国爆发争夺南太平洋沿岸阿塔卡马荒漠硝石产地的战争。

♦ 1946年2月14日 世界上第一台计算机诞生

72年前,1946年2月14日，由美国军方定制的世界上第一台电子计算机“电子数字积分计算机”(ENIACElectronicNumericalAndCalculator)在美国宾夕法尼亚大学问世了。

♦ 1956年2月14日 苏共二十大上赫鲁晓夫作反斯大林的秘密报告

62年前,1956年2月14日，赫鲁晓夫上台后召开党的二十次代表大会，会议期间，赫鲁晓夫作了反斯大林的秘密报告。

♦ 1958年2月14日 约旦--伊拉克成立阿拉伯联邦

60年前,1958年2月1日，埃及和叙利亚成立阿拉伯联合共和国。约旦、伊拉克认为新成立的阿联对它们具有潜在的威胁而必须组成新联邦。1958年2月14日伊拉克国王费萨尔，约旦国王侯赛因在安曼宣布两国并为一个“阿拉伯联邦”，即“伊约联邦”。

♦ 1967年2月14日 拉美21国签署《拉丁美洲禁止核武器条约》

51年前,《拉丁美洲禁止核武器条约》亦称《特拉特洛尔科条约》。墨西哥、智利等14个拉丁美洲国家于1967年2月14日在墨西哥城的特拉特洛尔科区签订，无限期有效。

♦ 1983年2月14日 印度发生阿萨姆邦屠杀事件

35年前,1983年2月14日，正当印度阿萨姆邦全力以赴进行邦议会选举时，社区间的暴力活动席卷了这个邦，造成几千人死亡。

♦ 1989年2月14日 霍梅尼宣布判处英国作家拉什迪死刑

29年前, 英国作家萨曼·拉什迪因出版一本名为《撒旦诗篇》的小说，遭到了穆斯林世界的强烈反对。1989年2月14日，伊朗宗教领袖霍梅尼宣布判处拉什迪死刑，并悬赏数百万美元追杀他。由此引起了一场国际风波。

♦ 1992年2月14日 联合国宣布1991年世界经济出现战后首次负增长

26年前,1992年2月14日，联合国宣布1991年世界经济出现战后首次负增长

还有很多很多的事迹没有写完,如果大大小小写在一起的话,估计几本书还不够出呢.上面这些都还是一些精选的国内外大事件来的.并且还是没有说完.看完,是不是发现有很多事迹都没看过,也没有了解过.说实话我也是.因为咋天无意之间刷到一条抖音讲的是2月14日国内所发生的大事件,所以才会有想去查阅资料的冲动.情侣间只要关系好,每天都是情人节,也不会在意多这么一天.而现在的人儿除了吃饭睡觉打豆豆玩手机电脑游戏,很少人去看些新闻,了解一些历史.做为晶振销售人员一周只有一天休息,所以我会选择在家睡觉睡到自然醒,但很少能够满足.因为我们石英晶振的业务手机都会24小时开机为客户服务.不敢关机也不敢调无声,因为怕客户找不上我们会着急.如果可以的话,我也还是会想去多了解一些历史的.毕竟读书的时候历史成绩一直都不太理想…

得益于32.768K有源晶振的参与,所有这些级别都已标准化,其基本性能参数在ANSIT1.101中定义.通常,已经建立了各级的性能参数,以确保可以通过网络从最精确的时钟,通过中间时钟到最不精确的时钟传输同步.Stratum2,3E和3个时钟构成了服务提供商同步网络的主要分布部分,这些HCMOS有源时钟晶振通常成对地部署在NE中.

当前最先进的通信电路,例如：

•μWave频率上变频器

•点对点μWave回程

•卫星调制解调器

•高端网络

•测试和测量设备

都有一个共同点;极低的相位噪声频率参考.从历史上看,为了达到这种水平的相位噪声,振荡器制造商依靠SC-Cut晶振或第5或第7泛音AT-Cut晶体作为参考振荡器解决方案.

前者产生的OCXO体积庞大,功耗过大而且相当昂贵.后者实施起来很复杂,频率提供有限,并且抑制了系统自动校正老化和温度漂移的能力.

解决成本,尺寸,功率,频率稳定性和长期老化校正的综合挑战;Abracon开发了ABLNO系列VCXO晶振,具有出色的相位噪声特性,采用9x14mm封装.

提供50.0MHz和156.25MHz之间的十五个标准频率;这些器件为设计人员提供了全面的参考时序选择.此外,如果系统要求不能使用电压可控振荡器,ABLNO系列可提供固定时钟配置.

图(1)示出了50MHz载波处的典型相位噪声,而图(2)和(3)分别表示100MHz和156.25MHz载波处的典型相位噪声.表(1)总结了在这些载波上配置为VCXO振荡器的ABLNO系列的典型相位噪声性能,而表(2)表示绝对最差情况下的相位噪声特性.

表格1)

典型的相位噪声性能

表(2)

最差情况保证相位噪声性能

ABLNO系列采用经过特殊处理的第3版Overtone,AT-Strip石英晶体设计,采用各种处理技术进行优化,可在温度范围内提供极高的无负载“Q”和频率稳定性.这些晶体和振荡器电路的组合设计具有同类最佳的相位噪声作为主要目标;在载波的12kHz至20MHz的最佳带宽范围内产生了极低的均方根抖动.

表3)

ABLNO系列rms抖动

为了确保出色的相位噪声性能,ABLNO系列不仅满足上述设计的性能参数,而且Abracon还对100％的产品进行了相位噪声和均方根抖动兼容性的室温测试.

如前所述,Abracon已经制定了专有的Quartz-Blank处理技术,以显着降低这些器件的频率与温度误差.通常,相对于25ºC下的测量频率,ABLNO系列器件的误差小于±12ppm(最大值为±18ppm).在-40ºC至+85ºC的工作温度范围内可确保稳定性,如下图(4)所示.

此外,这些器件在10年的产品寿命期间保证比±7ppm的老化更好.为了在此期间实现频率校正能力,VCXO配置中保证了±28ppm的最小频率牵引能力,见图(5).

当需要标准XO(晶体振荡器)或VCXO(压控晶体振荡器)无法达到的温度稳定性时,TCXO是必需的.

温度稳定性是振荡器频率随温度变化的量度,并且以两种方式定义.一种常见的方法是使用“加/减”规格(例如：±0.28ppm对比工作温度范围,参考25°C-温度范围通常为-40至85°C或-20至70°C).该规范告诉我们,如果我们将25°C的频率设为标称频率,则器件频率将偏离或低于该标称频率不超过0.28ppm.这与指定温度稳定性的第二种方式不同,即使用峰峰值或仅使用没有参考点的正/负值.在第二种情况下,我们不能说我们知道频率会高于或低于频率将会发生多大变化-只是我们知道总的范围是多少.通常,使用来自定义的参考点的正负值来指定设备.

TCXO晶振对工程师非常有用,因为它们可以在比电路板上具有相同功耗和占用空间的标准VCXO更好的温度稳定性的10倍到40倍之间使用.TCXO弥合了标准XO或VCXO与OCXO之间的差距,这些差距更高,需要更多功率才能运行.推动技术的目标是降低功耗,当然还要降低成本,因此TCXO为功耗和成本敏感的应用提供了良好的中端解决方案.

Figure1.TheTemperatureStabilityrangesofvariousoscillatortypes

图1是不同振荡器类型的典型温度稳定性的示意图,范围从标准VCXO的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb.轴反转使得曲线在增加温度稳定性的方向上增长.TCXO稳定性范围涵盖VCXO和OCXO之间的中间位置(在某些情况下,重叠某些OCXO性能).

TCXO晶振温度稳定性水平(从5ppm到50ppb)通常是必要的,因为振荡器将独立工作,无论是在没有外部频率参考的系统中的自由运行模式,还是作为固定频率参考TCXO在开环中工作的合成器,用于驱动DDS(直接数字合成),而DDS而不是TCXO被“锁定”到外部参考.

后一种情况(TCXO是开环,频率在DDS设置)正变得越来越普遍,因为设计人员发现使用DDS解决方案可以通过使用数模转换器控制TCXO来实现更好的频率分辨率.由于转向是在DDS而不是振荡器中完成的,因此设计人员需要能够对固定基准的频率如何随温度变化做出某些假设,以便他们可以相应地规划锁相环的设计.由于灵活性,它们允许TCXO用于许多频率控制应用,但一个重要领域是小型蜂窝基站(毫微微,微型和微微),通常它们被用作定时分配芯片的固定频率源. 

TCXO温度补偿晶振如何运作

在非常基本的术语中,TCXO通过采用温度补偿网络来操作,该网络感测环境温度并将晶体拉至其标称值.基本振荡器电路和输出级与VCXO中的预期相同.

图2是简化的TCXO功能框图.

图2.TCXO功能块

这个想法是补偿网络驱动牵引网络,然后调整振荡器的频率.

图3是发生了什么的概述-未补偿的晶振频率响应温度(红色)就像一个三阶多项式曲线(如果你采用振荡器非线性效果,更像是第五个),所以目标是补偿网络是为了抵消温度对晶体的影响而产生的电压是有效的关于晶体曲线温度轴的镜像.补偿电压显示为蓝色,得到的频率/温度曲线以绿色显示.

图3.温度补偿

实现这一目标的方法随着时间而改变.使用的第一种方法之一是直接补偿技术,其中使用热敏电阻,电容器和电阻器网络来直接控制振荡器的频率.温度的变化导致热敏电阻(图4中的RT1和RT2)发生变化,这会导致网络的等效串联电容发生变化-这反过来会改变晶体上的电容负载,从而导致频率的变化.振荡器.

图4.直接补偿

在随后的开发中(图5中所示的间接补偿),热敏电阻(RT1至RT3)和电阻(R1至R3)的网络用于产生与温度相关的电压.对网络的输出电压进行滤波,然后用于驱动变容二极管,该变容二极管改变晶振上的负载,再次导致频率变化.

图5间接补偿

目前的方法将补偿网络和拉网络集成到一个集成电路中(如图6所示),补偿网络的作用由一组运算放大器组成,这些运算放大器在一起产生温度上的3阶或5阶函数.与间接补偿方法一样,该电压用于驱动变容二极管,这反过来又改变了振荡器的输出频率.由于晶体特性的变化意味着没有“一刀切”的功能,因此在TCXO的温度测试期间得出了解决方案.两个电容器阵列用于将室温下的频率调节到标称值,然后在测试期间获得温度补偿功能所需的设置并存储在片上存储器中.

图6综合补偿

最后一种方法通常被称为“数字控制模拟补偿”,并且在小型TCXO设计中常见,因为可以在单个ASIC中提供大量功能.

诸如晶体振荡器之类的信号源在输出频率附近产生一小部分不希望的能量（相位噪声）。 随着通信和雷达等系统性能的提高，它们采用的晶体振荡器的频谱纯度越来越重要。

在频域中测量相位噪声，并且表示为在与期望信号的给定偏移处的1Hz带宽中测量的信号功率与噪声功率的比率。在所需信号的各种偏移处的响应图通常由对应于振荡器中的三个主要噪声产生机制的三个不同斜率组成，如图1所示。相对靠近载波（区域A）的噪声称为闪烁FM噪声;其大小主要取决于晶体的质量。 最佳近距离噪声结果是在4-6 MHz范围内使用5次泛音AT切割晶体或第3次泛音SC切割晶体获得的。虽然平均效果不是很好，但使用10 MHz区域中的3个泛音晶体也可以获得出色的近距离噪声性能，尤其是双旋转型（参见第41页，有关双旋转SC和IT切割晶体的讨论）。较高频率的晶体由于其较低的Q值和较宽的带宽而导致较高的近距噪声。

图1中B区的噪声称为“1 / F”噪声，是由半导体活动引起的。采用低噪声“L2”晶体振荡器的设计技术将其限制在非常低的，通常无关紧要的值。

图1的区域C称为白噪声或宽带噪声。 “L2”晶体振荡器中的特殊低噪声电路相对于标准设计提供了显着的改进（15-20 dB）。

当采用倍频从较低频率的石英晶体获得所需的输出频率时，输出信号的相位噪声增加20 log（倍增因子）。这导致整个电路板上的噪声降低大约为6 dB，用于倍频，10 dB用于频率三倍，20 dB用于十倍乘法。

如图2所示，对于不采用倍频的振荡器，本底噪声几乎与晶体频率无关。因此，对于低噪声地板应用，通常应使用满足长期稳定性要求的最高频率晶体。然而，当较高频率的应用特别需要最小的近端相位噪声时，较低频率的晶体通常可以成倍增加。这是因为近距离相位噪声比使用更高频率晶体获得的噪声性能更不成比例地好。

请注意，与固定频率非补偿晶体振荡器相比，TCXO和VCXO产品中常用的变容二极管和中等Q晶体的引入导致较差的近距离噪声性能。

相位噪声测试

相位噪声测试通过确定在指定输出频率下由振荡器传递的所需能量与在相邻频率传递的不需要的能量的比率来表征振荡器的输出频谱纯度。 该比率通常表示为在来自载波的各种偏移频率下执行的一系列功率测量。功率测量被标准化为1Hz带宽并且相对于载波功率电平表示。 这是NIST技术说明1337中描述的标准相位波动测量，称为l（f）。

图3示出了由NIST建议并由Vectron晶振用于测量l（f）的方法的框图。来自两个相同标称频率的振荡器的信号被施加到混频器输入。除非振荡器具有出色的稳定性，否则一个振荡器必须具有用于锁相的电子调谐。非常窄的频带锁相环（PLL）用于在这两个源之间保持90度的相位差。混频器操作使得当输入信号异相90度（正交）时，混频器的输出是与两个振荡器之间的相位差成比例的小波动电压。通过在频谱分析仪上检查该误差信号的频谱，可以测量这对振荡器的相位噪声性能。如果一个振荡器的噪声占主导地位，则直接测量其相位噪声。当两个测试振荡器电气相似时，有用且实用的近似是每个振荡器贡献测量噪声功率的一半。当三个或更多个振荡器可用于测试时，可以通过求解表示从振荡器对的置换测量的数据的联立方程来精确地计算每个振荡器的相位噪声。

图4显示了实际的l（f）测量系统。 使用该系统测量相位噪声的步骤如下：

1.频谱分析仪屏幕的校准。

2.Phase锁定振荡器并建立正交。

3.记录频谱分析仪读数并将读数标准化为每个振荡器的dBc / Hz SSB。

这些步骤详述如下。

第一步 - 校准

为避免混频器饱和，一个振荡器的信号电平会被10 dB衰减（衰减器“A”）永久衰减。在校准期间，此振荡器的电平额外衰减80 dB（衰减“B”），以改善频谱分析仪的动态范围。振荡器在频率上是机械偏移的，并且所得到的低频差拍信号的幅度表示-80dB的水平;它是所有后续测量的参考。使用扫频分析仪时，此电平调整到频谱分析仪屏幕的顶行。使用数字（FFT）频谱分析仪时，仪器经过校准，可读取相对于此电平的RMS VOLTS /√Hz。当完全电平恢复到混频器并且振荡器被锁相时，将相对于-80dB电平测量相位噪声。

第二步 - 锁相

通过将振荡器机械地调节到相同的频率，振荡器被锁相到正交。当混频器输出为0 Vdc时，指示两个振荡器之间所需的90度相位差。临时连接到频谱分析仪的示波器或零中心电压表是监测正交进度的便捷方式。 PLL的工作带宽必须远低于感兴趣的最低偏移频率，因为PLL部分地抑制了其带宽中的相位噪声。广泛使用的建立适当环路带宽的经验方法是通过衰减器“C”逐步衰减电压控制反馈。通过在推进衰减器“C”的同时比较感兴趣的最低偏移频率处的连续噪声测量，可以找到操作点，其中测量的相位噪声不受衰减器设置的变化的影响。此时，环路带宽不是测量的相位噪声的因子。

第三步 - 读物

读数是根据先前在步骤1中建立的-80dB校准水平进行的。如果频谱分析仪配备齐全以避免测量变化，则使用平滑或平均。 扫描频谱分析仪读数通常需要进行以下每项校正，而以RMS /√Hz显示的数字分析仪读数不需要前两次校正。有关分析仪噪声响应的校正，应参考分析仪手册。

CFS-20632768DZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768DZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768HZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768AZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768DZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振7pF石英晶振

日本西铁城株式会社主要以生产手表为中心,在多年的生产经营后西铁城公司便开始自主研发手表重要配件——石英晶振.石英晶振分KHZ晶振以及MHZ晶振.手表上使用居多的便是KHZ系列晶振.CM315D晶振,CM315DL晶振,CM315H晶振,CM315E晶振系列.3215封装是手表,手机等小型数码产品使用频率较为广泛.而早期全是CFS-206晶振的天下.

CFS-20632768DZCB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振9pF石英晶振 CFS-20632768EZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±10ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768EZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±10ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20632000AZFB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20638400AZFB晶振CFV-206晶振38.4kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677503DZFB晶振CFV-206晶振77.503kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20675000DZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 

CFV-206100000AZFB晶振CFV-206晶振100kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20640000AZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20632000DZFB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20665536AZFB晶振CFV-206晶振65.536kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20636000AZFB晶振CFV-206晶振36kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 

  CFS-206晶振频率范围30KHZ~100KHZ,周波数偏差20~30ppm,正常情况下都是以20PPM为标准.工作温度-20~+70度.负载电容常用12.5PF,

CFS-20632768EZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振7pF石英晶振 CFV-20668500DZFB晶振CFV-206晶振68.5kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20668503DZFB晶振CFV-206晶振68.5kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20640003DZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660003DZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660000DZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 

CFV-20640000DZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660000AZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20676800AZFB晶振CFV-206晶振76.8kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20696000AZFB晶振CFV-206晶振96kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768HZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768HZCB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振9pF石英晶振 CFS-20632768HZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振7pF石英晶振

CFS-206晶振跟CFV-206晶振有点不一样的就是CFS-206晶振只有单独一个频率,就是32.768K,是所有KHZ系列晶振的标准频率.它不像CFV-206晶振,在30~100KHZ内可以订制.频率偏差也比较小,以20PPM为标准.15PPM,10PPM也是可以按照客户的需求来订制.

 　　CFV-20675000BZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±50ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677500BZFB晶振CFV-206晶振77.5kHz晶振±50ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20675000AZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20638000AZFB晶振CFV-206晶振38kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677503AZFB晶振CFV-206晶振77.503kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 60.005KAZF晶振CFV-206晶振60.005kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 

CFV206 76.790KAZF晶振CFV-206晶振76.79kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 76.810KAZF晶振CFV-206晶振76.81kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 77.500KAZF晶振CFV-206晶振77.5kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 153.600KAZF晶振CFV-206晶振153.6kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS206-32.768KDZBB晶振CFS206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振6pF石英晶振 CFV206 153.600KAZF-UB晶振CFV-206晶振153.6kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 32.000KDZSB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±20ppm晶振11pF石英晶振

爱普生新款产品FC-135R晶振的研发问世让更多消费者们更加的青睐于爱普生晶振系列产品.FC-135R晶振研发,可以从以下参数可以知道FC-135R晶振的频率偏差相对来说是比FC-135晶振较稳定的.频率偏差都是在10PPM与20PPM范围内,而FC-135晶振频率偏差则在10ppm,20ppm,甚至30ppm范围中,并且ESR的阻值比FC-135R晶振的阻值大.

FC-135R晶振参数表

以下是FC-135R晶振详细参数的编码,一个编码内部有指定相对应的频率,尺寸,负载电容,频率偏差,工作温度,ESR阻值等其它参数.

FC-135R晶振详细参数对应编码表

FC-135晶振参数表

FC-135晶振详细参数对应编码表

爱普生FC-135R晶振与FC-135晶振的尺寸大小还是一样的,只是内部的参数有所调整,不仅是从ESR阻值上或者是从频率偏差上有所改善.现在的客户都追求完美,对石英晶振产品的质量也是一样的,只要可以稍稍提高一丁点的准确度,而且保证自身产品正常运行的情况下客户还是原意去使用新产品的.

CMX309FBC9.8304MTR晶振9.8304MHz晶振CMX309FBC27.000M-UT晶振27MHz晶振CMX309FLC28.322M-UT晶振28.322MHz石英晶振 CMX309FLC12.288MT晶振12.288MHz晶振CMX309FBC10.000MTR晶振10MHz晶振CMX309FBC27.000M-UT晶振27MHz晶振CMX309FLC28.63636M-UT晶振28.63636MHz石英晶振CMX309FLC12.352MT晶振12.352MHz晶振CMX309FBC10.000MTR晶振10MHz晶振CMX309HBC32.000M-UT晶振32MHz晶振CMX309FLC28.63636M-UT晶振28.63636MHz石英晶振 CMX309FLC12.352MT晶振

CMX309晶振产品实物图

12.352MHz晶振CMX309FBC11.0592MTR晶振11.0592MHz晶振CMX309HBC32.000M-UT晶振32MHz晶振CMX309FLC29.498928M-UT晶振29.498928MHz石英晶振 CMX309FLC13.500MT晶振13.5MHz晶振CMX309FBC11.0592MTR晶振11.0592MHz晶振CMX309HBC32.768M-UT晶振32.768MHz晶振CMX309FLC29.498928M-UT晶振29.498928MHz石英晶振 CMX309FLC13.500MT晶振13.5MHz晶振CMX309FBC11.2896MTR晶振11.2896MHz晶振CMX309HBC32.768M-UT晶振32.768MHz晶振CMX309FLC30.000M-UT晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC14.31818MT晶振14.31818MHz晶振CMX309FBC11.2896MTR晶振11.2896MHz晶振CMX309HBC33.000M-UT晶振33MHz晶振CMX309FLC30.000M-UT晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC14.31818MT晶振14.31818MHz晶振CMX309FBC12.000MTR晶振12MHz晶振CMX309HBC33.000M-UT晶振33MHz晶振CMX309HWC32.000M-UT晶振32MHz石英晶振 CMX309FLC14.7456MT晶振14.7456MHz晶振CMX309FBC12.000MTR晶振12MHz晶振CMX309HBC33.3333M-UT晶振33.3333MHz晶振CMX309HWC32.000M-UT晶振32MHz石英晶振

CMX309晶振产品尺寸图

 CMX309FLC14.7456MT晶振14.7456MHz晶振CMX309FBC12.288MTR晶振12.288MHz晶振CMX309HBC33.3333M-UT晶振33.3333MHz晶振CMX309HWC32.768M-UT晶振32.768MHz石英晶振 CMX309FLC15.360MT晶振15.36MHz晶振CMX309FBC12.288MTR晶振12.288MHz晶振CMX309HBC36.864M-UT晶振36.864MHz晶振CMX309HWC32.768M-UT晶振32.768MHz石英晶振 CMX309FLC15.360MT晶振15.36MHz晶振CMX309FBC14.31818MTR晶振14.31818MHz晶振CMX309HBC36.864M-UT晶振36.864MHz晶振CMX309HWC33.000M-UT晶振33MHz石英晶振 CMX309FLC16.000MT晶振16MHz晶振CMX309FBC14.31818MTR晶振14.31818MHz晶振CMX309HBC40.000M-UT晶振40MHz晶振CMX309HWC33.000M-UT晶振33MHz石英晶振 CMX309FLC16.000MT晶振16MHz晶振CMX309FBC14.7456MTR晶振14.7456MHz晶振CMX309HBC40.000M-UT晶振40MHz晶振CMX309HWC33.8688M-UT晶振33.8688MHz石英晶振 CMX309FLC16.384MT晶振16.384MHz晶振CMX309FBC14.7456MTR晶振14.7456MHz晶振CMX309HBC48.000M-UT晶振48MHz晶振CMX309HWC33.8688M-UT晶振33.8688MHz石英晶振 CMX309FLC16.384MT晶振16.384MHz晶振CMX309FBC16.000MTR晶振16MHz晶振CMX309HBC48.000M-UT晶振48MHz晶振CMX309HWC40.000M-UT晶振40MHz石英晶振 CMX309FLC16.6666MT晶振16.6666MHz晶振CMX309FBC16.000MTR晶振16MHz晶振CMX309HBC50.000M-UT晶振50MHz晶振CMX309HWC40.000M-UT晶振40MHz石英晶振 CMX309FLC16.6666MT晶振16.6666MHz晶振CMX309FBC16.384MTR晶振16.384MHz晶振CMX309HBC50.000M-UT晶振50MHz晶振CMX309HWC48.000M-UT晶振48MHz石英晶振 CMX309FLC17.734475MT晶振17.734475MHz晶振CMX309FBC16.384MTR晶振16.384MHz晶振CMX309HBC53.125M-UT晶振53.125MHz晶振CMX309HWC48.000M-UT晶振48MHz石英晶振 CMX309FLC17.734475MT晶振17.734475MHz晶振CMX309FBC18.432MTR晶振18.432MHz晶振CMX309HBC53.125M-UT晶振53.125MHz晶振CMX309HWC49.152M-UT晶振49.152MHz石英晶振 CMX309FLC18.000MT晶振18MHz晶振CMX309FBC18.432MTR晶振18.432MHz晶振CMX309FLC1.544M-UT晶振1.544MHz晶振CMX309HWC49.152M-UT晶振49.152MHz石英晶振 CMX309FLC18.000MT晶振18MHz晶振CMX309FBC20.000MTR晶振20MHz晶振CMX309FLC1.544M-UT晶振1.544MHz晶振CMX309HWC50.000M-UT晶振50MHz石英晶振 CMX309FLC18.432MT晶振18.432MHz晶振CMX309FBC20.000MTR晶振20MHz晶振CMX309FLC1.8432M-UT晶振1.8432MHz晶振CMX309HWC50.000M-UT晶振50MHz石英晶振 CMX309FLC18.432MT晶振18.432MHz晶振CMX309FBC24.000MTR晶振24MHz晶振CMX309FLC1.8432M-UT晶振1.8432MHz晶振CMX309HWC53.125M-UT晶振53.125MHz石英晶振 CMX309FLC19.6608MT晶振19.6608MHz晶振CMX309FBC24.000MTR晶振24MHz晶振CMX309FLC2.000M-UT晶振2MHz晶振CMX309HWC53.125M-UT晶振53.125MHz石英晶振 CMX309FLC19.6608MT晶振19.6608MHz晶振CMX309FBC24.576MTR晶振24.576MHz晶振CMX309FLC2.000M-UT晶振2MHz晶振CMX309FLC27.000MB晶振27MHz石英晶振 CMX309FLC19.6608MT晶振19.6608MHz晶振CMX309FBC24.576MTR晶振24.576MHz晶振CMX309FLC2.048M-UT晶振2.048MHz晶振CMX309FLC6.000MB晶振6MHz石英晶振 CMX309FLC20.000MT晶振20MHz晶振CMX309FBC25.000MTR晶振25MHz晶振CMX309FLC2.048M-UT晶振2.048MHz晶振CMX309FBB19.6608MTR晶振19.6608MHz石英晶振 CMX309FLC20.000MT晶振20MHz晶振CMX309FBC25.000MTR晶振25MHz晶振CMX309FLC2.4576M-UT晶振2.4576MHz晶振CMX309FBB19.6608MTR晶振19.6608MHz石英晶振 CMX309FLC22.1184MT晶振22.1184MHz晶振CMX309FBC27.000MTR晶振27MHz晶振CMX309FLC2.4576M-UT晶振2.4576MHz晶振CMX309FBC30.000MTR晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC22.1184MT晶振22.1184MHz晶振

CMX309晶振产品参数表

CMX309FBC27.000MTR晶振27MHz晶振CMX309FLC3.072M-UT晶振3.072MHz晶振CMX309FBC30.000MTR晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC24.000MT晶振24MHz晶振CMX309HBC32.000MTR晶振32MHz晶振CMX309FLC3.072M-UT晶振3.072MHz晶振CMX309FLC10.240MTR晶振10.24MHz石英晶振 CMX309FLC24.000MT晶振24MHz晶振CMX309HBC32.000MTR晶振32MHz晶振CMX309FLC3.579545M-UT晶振3.579545MHz晶振CMX309FLC10.240MTR晶振10.24MHz石英晶振 CMX309FLC24.576MT晶振24.576MHz晶振CMX309HBC32.768MTR晶振32.768MHz晶振CMX309FLC3.579545M-UT晶振3.579545MHz晶振CMX309FLC16.257MTR晶振16.257MHz石英晶振 CMX309FLC24.576MT晶振24.576MHz晶振CMX309HBC32.768MTR晶振32.768MHz晶振CMX309FLC3.6864M-UT晶振3.6864MHz晶振CMX309FLC16.257MTR晶振16.257MHz石英晶振 CMX309FLC25.000MT晶振25MHz晶振CMX309HBC33.000MTR晶振33MHz晶振CMX309FLC3.6864M-UT晶振3.6864MHz晶振CMX309HBC3.6864MTR晶振3.6864MHz石英晶振 CMX309FLC25.000MT晶振25MHz晶振CMX309HBC33.000MTR晶振33MHz晶振CMX309FLC4.000M-UT晶振4MHz晶振CMX309HBC3.6864MTR晶振3.6864MHz石英晶振 CMX309FLC25.175MT晶振25.175MHz晶振CMX309HBC33.3333MTR晶振33.3333MHz晶振CMX309FLC4.000M-UT晶振4MHz晶振CMX309FBC22.1184M-UT晶振22.1184MHz石英晶振 CMX309FLC25.175MT晶振25.175MHz晶振CMX309HBC33.3333MTR晶振33.3333MHz晶振CMX309FLC4.096M-UT晶振4.096MHz晶振CMX309FBC28.322MTR晶振28.322MHz石英晶振 CMX309FLC27.000MT晶振27MHz晶振CMX309HBC36.864MTR晶振36.864MHz晶振CMX309FLC4.096M-UT晶振4.096MHz晶振CMX309FBC4.9152MTR晶振4.9152MHz石英晶振 CMX309FLC27.000MT晶振27MHz晶振CMX309HBC36.864MTR晶振36.864MHz晶振CMX309FLC4.9152M-UT晶振4.9152MHz晶振CMX309HBC33.333300MTR晶振33.3333MHz石英晶振 CMX309FLC28.322MT晶振28.322MHz晶振CMX309HBC40.000MTR晶振40MHz晶振CMX309FLC4.9152M-UT晶振4.9152MHz晶振CMX309HWC36.864MTR晶振36.864MHz石英晶振 CMX309FLC28.322MT晶振28.322MHz晶振CMX309HBC40.000MTR晶振40MHz晶振CMX309FLC5.000M-UT晶振5MHz晶振CMX309FLC7.3728M-UT晶振7.3728MHz石英晶振 CMX309FLC28.63636MT晶振28.63636MHz晶振CMX309HBC48.000MTR晶振48MHz晶振CMX309FLC5.000M-UT晶振5MHz晶振CMX309FLC8.000M-UT晶振8MHz石英晶振 CMX309FLC28.63636MT晶振28.63636MHz晶振CMX309HBC48.000MTR晶振48MHz晶振CMX309FLC6.000M-UT晶振6MHz晶振CMX309FLC8.000M-UT晶振8MHz石英晶振 CMX309FLC29.498928MT晶振29.498928MHz晶振CMX309HBC50.000MTR晶振50MHz晶振CMX309FLC6.000M-UT晶振6MHz晶振CMX309FLC8.192M-UT晶振8.192MHz石英晶振 CMX309FLC29.498928MT晶振29.498928MHz晶振CMX309HBC50.000MTR晶振50MHz晶振CMX309FLC6.144M-UT晶振6.144MHz晶振CMX309FLC8.192M-UT晶振8.192MHz石英晶振 CMX309FLC30.000MT晶振30MHz晶振CMX309HBC53.125MTR晶振53.125MHz晶振CMX309FLC6.144M-UT晶振6.144MHz晶振CMX309FLC9.8304M-UT晶振9.8304MHz石英晶振 CMX309FLC30.000MT晶振30MHz晶振CMX309HBC53.125MTR晶振53.125MHz晶振CMX309FLC7.3728M-UT晶振7.3728MHz晶振CMX309FBC1.8432M-UT晶振1.8432MHz石英晶振 CMX309HWC32.000MT晶振32MHz晶振CMX309FBC1.000M-UT晶振1MHz晶振CMX309FBC1.544M-UT晶振1.544MHz晶振CMX309FBC1.8432M-UT晶振1.8432MHz石英晶振 CMX309HWC32.000MT晶振32MHz晶振CMX309FBC1.000M-UT晶振1MHz晶振CMX309HWC32.768MT晶振32.768MHz晶振CMX309FBC1.544M-UT晶振1.544MHz石英晶振 晶振晶振晶振晶振晶振晶振CMX309HWC32.768MT晶振32.768MHz石英晶振