爱普生晶振,贴片晶振,SG-9001JC晶振,大体积陶瓷面CMOS振荡器

晶体振荡器     输出:CMOS    

频率范围: 10.000 MHz - 166.000 MHz

电源电压: 3.3 V -+0.3 V

外部尺寸规格: 10.5 × 5.8 × 2.7 mm

功能：使能（OE）

工作温度范围:  -20oC - +70 oC

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8101CA晶振,低抖动EPSON可编程晶振

晶体振荡器 (可编程)    输出:CMOS    

频率范围: 0.67 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.62 V - 3.63V

外部尺寸规格: 7.0*5.0*1.3mm

功能：使能( OE ) 或 待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +85 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8101CB晶振,EPSON可编程晶振

晶体振荡器 (可编程)    输出:CMOS    

频率范围: 0.67 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.62 V - 3.63V

外部尺寸规格: 5.0*3.2*1.1mm

功能：使能( OE ) 或 待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +85 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8003JF晶振,进口陶瓷封装有源晶振

晶体振荡器 (可编程)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 166 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V TYP. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 7.1*5.1*1.5mm

功能：使能( OE ) 或 待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8003CA晶振,7050低频SMD可编程振荡器

晶体振荡器 (可编程)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 166 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V TYP. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 7.0*5.0*1.4mm

功能：使能( OE ) 或 待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDH晶振,EPSON普通有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 80 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SEH晶振,进口低抖动晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    低抖动

频率范围: 80 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40°C -  +85°C

日本进口贴片晶振品牌【EPSON】日本爱普生【SEIKO】日本精工【KDS】日本大真空【CITIZEN】日本西铁城【RIVER】日本大河【kyocera】日本京瓷32.768KHZ系列，在当今全球晶振市场说的上是质优价廉，产品本身外观是多种化，体积有大有小，有二个脚SMD焊接模式，也有三个脚SMD焊接模式,一样有四个脚焊接模式

日本进口贴片晶振品牌【EPSON】日本爱普生【SEIKO】日本精工【KDS】日本大真空【CITIZEN】日本西铁城【RIVER】日本大河【kyocera】日本京瓷32.768KHZ系列，在当今全球晶振市场说的上是质优价廉，产品本身外观是多种化，体积有大有小，有二个脚SMD焊接模式，也有三个脚SMD焊接模式,一样有四个脚焊接模式，还有时钟模块焊接模式

晶体内部石英晶片均采用了全自动压电石英晶体晶片清洗技术，采用高压喷淋清洗，兆声振动的原理，一个全自动、清洗过程由PLC控制，由传输装置、喷淋清洗段、喷淋漂洗段、风力吹水段等， 操作自动化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由设备自动完成。根据需要，对速度，温度，时间等参数进行调整，使之最大限度的满足工艺需要。能最大限度除去晶片污染物，并防止人工污染。

石英晶体内部石英晶片均采用了全自动压电石英晶片清洗技术，采用高压喷淋清洗，兆声振动的原理，一个全自动、清洗过程由PLC控制，由传输装置、喷淋清洗段、喷淋漂洗段、风力吹水段等， 操作自动化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由设备自动完成。根据需要，对速度，温度，时间等参数进行调整，使之最大限度的满足工艺需要。能最大限度除去晶片污染物，并防止人工污染。

我公司具体解决的办法是使用高速倒边方式，通过结合以往低速滚筒倒边去除石英晶体晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理。