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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8506CA晶振,SPXO可编程晶体振荡器,SG-8506CA 156.2M 0X37-APRLZ0
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可编程晶体振荡器 (SPXO) 输出:LV-PECL
频率范围: 50 MHz - 800 MHz
电源电压: 2.5 V - 3.3 V
外部尺寸规格: 7.0*5.0*1.5mm
应用:OTN, BTS,测试设备
工作温度范围: -40 oC - +85 oC

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8504CA晶振,LV-PECL输出8脚振荡器
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晶体振荡器 (8引脚) 输出:LV-PECL
频率范围: 50 MHz - 800 MHz
电源电压: 2.5 V - 3.3 V
外部尺寸规格: 7.0*5.0*1.5mm
应用:OTN, BTS,测试设备
工作温度范围: -40 ºC - +85 ºC

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8503CA晶振,7050六引脚石英晶振
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晶体振荡器 (6引脚) 输出:LV-PECL
频率范围: 50 MHz - 800 MHz
电源电压: 2.5 V - 3.3 V
外部尺寸规格: 7.0*5.0*1.5mm
应用:OTN, BTS,测试设备
工作温度范围: -40 ºC - +85 ºC

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8003CA晶振,7050低频SMD可编程振荡器
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晶体振荡器 (可编程) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 166 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V TYP. / 3.3 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0*5.0*1.4mm
功能:使能( OE ) 或 待机( ST )
工作温度范围: -20 °C - +70 °C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8003LB晶振,5032陶瓷四脚SMD振荡器
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晶体振荡器 (可编程) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 166 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V TYP. / 3.3 V Typ.
外部尺寸规格: 5.0*3.2*1.2mm
功能:使能( OE ) 或 待机( ST )
工作温度范围: -20 °C - +70 °C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002CA晶振,日产7050可编程晶振,SG-8002CA 48.0000M-SCML3
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 125 MHz
电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0x5.0x1.4 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -20 °C - +70 °C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SDN晶振,SG-310SDN 50.0000MJ3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 3.000 MHz - 80.000 MHz
电源电压: 2.5 V Typ. (2.2 V - 2.7 V)
电流消耗: 1.5 mA Typ. (SEF1.8 V 无负载条件 48 MHz)
外部尺寸规格: 3.2 × 2.5 × 1.05 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40 °C - +85 °C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCD晶振,SG-210SCD 62.5000ML3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 50 MHz - 80 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 7.0 mA Max. (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDD晶振,SG-210SDD 50.0000MB5晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 50 MHz - 80 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 7.0 mA Max. (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,SG-210SED 50.6250ML3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS 低抖动
频率范围: 50 MHz - 80 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.
电流消耗: 7.0 mA Max. (SDD 2.5 V 无负载条件80 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40°C - +85°C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CCN晶振,SG7050CCN 8.000000M-HJGA3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.5 MHz - 50 MHz
电源电压: 4.5 V - 5.5 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.3 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围:-40 °C - +105 °C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CCN晶振,SG5032CCN 18.432000M-HJGA3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.5 MHz - 50 MHz
电源电压: 4.5 V - 5.5 V Typ.
外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围:-40 °C - +105 °C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CBN晶振,SG7050CBN 156.250000M-TJGA3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 80 MHz - 170 MHz
电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.3 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围:-40 °C - +105 °C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CBN晶振,SPXO有源晶振,SG5032CBN 125.000000M-TJGA3
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 80 MHz - 170 MHz
电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.
外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围:-40 °C - +105 °C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG7050CAN晶振,低频7050晶体振荡器,SG7050CAN 30.000000M-TJGA3
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 75 MHz
电源电压: 1.6 V - 3.63 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.3 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围:-40 °C - +105 °C

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爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CAN晶振,基频模式振荡器,SG5032CAN 12.000000M-TJGA3
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 75 MHz
电源电压: 1.8 V - 3.6V Typ.
外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围:-40 °C - +105 °C

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Shinsung晶振,贴片晶振,SX-SS2晶振,2脚5032压电石英水晶
6035mm,5032mm,4025mm贴片晶振系列,其产品晶体晶片采用了真空退火技术:高真空退火处理是消除在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对石英晶体组件进行退火,通过合理的真空退火技术可提高产品的主要参数的稳定性,提高产品的年老化特性。更多 +

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Shinsung晶振,贴片晶振,SX-SS晶振,4脚AT切型5032晶振
贴片晶振采用了多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的附着力增强,频率更加集中,那么如何把晶片能控制在1000ppm之内呢。更多 +

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MTI-MILLIREN晶振,贴片晶振,404晶振,低电源电压7050晶体振荡器
更多 +7050mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

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ACT晶振,贴片晶振,533-SMX-2晶振,两脚5030进口石英晶体
更多 +小型贴片石英晶振主要采用了,先进的晶片的抛光工艺技术,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,大大的降低谐振电阻,使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺,使产品在各项参数得到了很大的改良。
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