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Geyer晶振,贴片晶振,KX–327XS晶振,5018石英晶体
更多 +高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态
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Cardinal晶振,贴片晶振,CX5晶振,7050低频晶振
更多 +高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态
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CRYSTEK晶振,贴片晶振,CCHD-950晶振,电视用晶振
更多 +压控温补晶体系列,VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术:晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。
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CRYSTEK晶振,贴片晶振,CSX3晶振,5032晶振
更多 +5032mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
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CRYSTEK晶振,贴片晶振,CSX1晶振,7050无线晶振
更多 +高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态
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ILSI晶振,贴片晶振,ILCX04晶振,7050晶体
更多 +7050mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
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ILSI晶振,贴片晶振,ILCX03晶振,两脚5032晶体
更多 +小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
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Transko晶振,贴片晶振,CS53A晶振,5032宽频晶振
更多 +无论是3225mm尺寸或者是2520mm尺寸的贴片石英晶振,内部的石英晶片,研磨镀层等技术,均需要采用机器设备运行,那么尺寸如此之小的晶体内部的晶片又是怎样处理的呢?首先,通过滚筒倒边,主要是为了去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。
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ECS晶振,贴片晶振,ECX-42晶振,ECS-160-9-42-CKM-TR晶振
更多 +6035mm,5032mm,4025mm贴片晶振系列,其产品晶体晶片采用了真空退火技术:高真空退火处理是消除在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,通过合理的真空退火技术可提高产品的主要参数的稳定性,提高产品的年老化特性。
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爱普生晶振,贴片晶振,EG-4101CA晶振,LV-PECL输出晶振,EG-4101CA 156.2500M-LGWAL3
更多 +爱普生晶振,贴片晶振,EG-4101CA晶振,LV-PECL输出晶振
低抖动表面声波(SAW)振荡器 (SPSO) 输出:LV-PECL, LVDS, HCSL
频率范围: 100 MHz - 700 MHz
电源电压: 2.5 V EG-4121CA; 3.3 V EG-4101CA
输出: LV-PECL / LVDS / HCSL
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.2 mm
SAW 单元极低的抖动振荡器
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爱普生晶振,贴片晶振,EG-2103CB晶振,5032差分晶振
更多 +爱普生晶振,贴片晶振,EG-2103CB晶振,5032差分晶振
低抖动表面声波(SAW)振荡器 (SPSO) 输出:LV-PECL, LVDS
高温环境对应 ?频率范围: 100 MHz - 700 MHz
电源电压: 2.5 V EG-2123CB;3.3 V EG-2103CB
外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.4 mm
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爱普生晶振,贴片晶振,EG-2121CB晶振,EG-2121CB 156.2500M-PGSNL3晶振
更多 +爱普生晶振,贴片晶振,EG-2121CB晶振,EG-2121CB 156.2500M-PGSNL3晶振
低抖动表面声波(SAW)振荡器 (SPSO) 输出:LV-PECL, LVDS
频率范围: 100 MHz - 700 MHz ?
电源电压: 2.5 V ??? EG-2121CB;3.3 V ??? EG-2102CB
输出: LV-PECL 或LVDS ?功能: 使能(OE)
外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.4 mm
SAW 单元的极低抖动振荡器
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爱普生晶振,贴片晶振,EG-2101CA晶振,EG-2021CA 62.5000M-CHPAL3晶振
更多 +爱普生晶振,贴片晶振,EG-2101CA晶振,EG-2021CA 62.5000M-CHPAL3晶振
低抖动表面声波(SAW)振荡器 (SPSO) 输出:LV-PECL
频率范围: 62.500 MHz - 99.999 MHz ?电源电压: 3.3 V
输出: LV-PECL ?功能: 使能(OE)
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.2 mm
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爱普生晶振,贴片晶振,EG-2001CA晶振,7050有源晶振,EG-2001CA 120.0000M-PCHL0
更多 +爱普生晶振,贴片晶振,EG-2001CA晶振,7050有源晶振
低抖动表面声波(SAW)振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 106.250 MHz -170.000 MHz
电源电压: 2.5 V ? EG-2021CA; 3.3 V ? EG-2001CA
输出: CMOS ?功能: 使能(OE)
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.2 mm
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爱普生晶振,贴片晶振,EG-2021CA晶振,CMOS输出晶振,EG-2021CA 125.0000M-CGPNB
更多 +爱普生晶振,贴片晶振,EG-2021CA晶振,CMOS输出晶振
低抖动表面声波(SAW)振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 62.5 MHz ~ 250 MHz ?
电源电压: 2.5 V ? EG-2021CA; 3.3 V ? EG-2001CA
输出: CMOS ?功能: 使能(OE)
外部尺寸规格: 7.0 × 5.0 × 1.2 mm
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FOX晶振,福克斯晶振,FXA135晶振,FK13AEI_I晶振
更多 +新的音叉在第一年的年龄仅为±3 ppm,并且具有金镍以上的终止表面处理。整体工作温度范围为-40°C至+ 85°C,周转温度范围为+ 20°C至+ 30°C,储存温度为-55°C至+ 125°C。 260°C时最大焊接时间为10秒。
新型手表晶体可承受最高90千欧姆的等效串联电阻和100 VDC时的500兆欧姆绝缘电阻。
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ECS晶振,声表面滤波器,ECS-SDR1-3150晶振,ECS-SDR1-4180晶振,ECS-SDR1-4339晶振
更多 +高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态
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JAUCH晶振,贴片晶振,JO53晶振,耐高温5032晶振
更多 +小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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JAUCH晶振,贴片晶振,JV75晶振,7050压控晶振
更多 +小尺寸的贴片石英晶振,目前生产上采用了高技术的封装模式,光刻石英晶片技术,并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。
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JAUCH晶振,贴片晶振,JT53LV晶振,高精准VC-TCXO晶振
更多 +贴片石英晶振5032mm尺寸系列,晶体内部采用了真空封装技术,是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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