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爱普生晶振,石英晶振,SG-8002DB晶振,陶瓷面插件可编程晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 125 MHz
电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.
外部尺寸规格: 19.8*7.62*5.3 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -20 °C - +70 °C
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爱普生晶振,石英晶振,SG-8002DC晶振,半号DIP型可编程振荡器,SG-8002DC16.0000M-PTMB:ROHS
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 125 MHz
电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.
外部尺寸规格: 13.7*7.62*5.3 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -20 °C - +70 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002JA晶振,超大体积贴片型有源晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 125 MHz
电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.
外部尺寸规格: 14.0x9.8x4.7 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -20 °C - +70 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002JC晶振,进口大体积有源晶体振荡器
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 125 MHz
电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.
外部尺寸规格: 10.5x5.8x2.7 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -20 °C - +70 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002CA晶振,日产7050可编程晶振,SG-8002CA 48.0000M-SCML3
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 125 MHz
电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.
外部尺寸规格: 7.0x5.0x1.4 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -20 °C - +70 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002LB晶振,陶瓷可编程石英晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 125 MHz
电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.
外部尺寸规格: 5.0x3.2x1.2 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -20 °C - +70 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002CE晶振,3225可编程有源振荡器
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 125 MHz
电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.
外部尺寸规格: 3.2x2.5x1.05 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -20 °C - +70 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SCN晶振,SG-310SCN 25.0000MJ3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 3.000 MHz - 80.000 MHz
电源电压: 3.3 V Typ. (2.7 V - 3.6 V)
电流消耗: 1.5 mA Typ. (SEF1.8 V 无负载条件 48 MHz)
外部尺寸规格: 3.2 × 2.5 × 1.05 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40 °C - +85 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SDN晶振,SG-310SDN 50.0000MJ3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 3.000 MHz - 80.000 MHz
电源电压: 2.5 V Typ. (2.2 V - 2.7 V)
电流消耗: 1.5 mA Typ. (SEF1.8 V 无负载条件 48 MHz)
外部尺寸规格: 3.2 × 2.5 × 1.05 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40 °C - +85 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SCF晶振,SG-310SCF 25.0000MB3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.000 MHz - 48.000 MHz
电源电压: 3.3 V Typ. (2.7 V - 3.6 V)
电流消耗: 1.5 mA Typ. (SEF1.8 V 无负载条件 48 MHz)
外部尺寸规格: 3.2 × 2.5 × 1.05 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40 °C - +85 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SDF晶振,SG-310SDF 48.0000MB3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.000 MHz - 48.000 MHz
电源电压: 2.5 V Typ. (2.2 V - 3.0 V)
电流消耗: 1.5 mA Typ. (SEF1.8 V 无负载条件 48 MHz)
外部尺寸规格: 3.2 × 2.5 × 1.05 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40 °C - +85 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-310SEF晶振,SG-310SEF 27.0000MB3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.000 MHz - 48.000 MHz
电源电压: 1.8 V V Typ. (1.6 V - 2.2 V)
电流消耗: 1.5 mA Typ. (SEF1.8 V 无负载条件 48 MHz)
外部尺寸规格: 3.2 × 2.5 × 1.05 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40 °C - +85 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SCE晶振,SG-211SCE 26.0000MT3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.375 MHz - 60 MHz
电源电压: 2.5 V Typ. (2.7 V - 3.63 V)
电流消耗: 1.2 mA Typ. (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.7 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40 °C - +90 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SDE晶振,SG-211SDE 54.0000MT3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.375 MHz - 60 MHz
电源电压: 2.5 V Typ. (2.2 V - 2.7 V)
电流消耗: 1.2 mA Typ. (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.7 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40 °C - +90 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 38.4000MT3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2.375 MHz - 60 MHz
电源电压: 1.8 V Typ. (1.6 V - 2.2 V)
电流消耗: 1.2 mA Typ. (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.7 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40 °C - +90 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210STF晶振,SG-210STF 24.0000ML0晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 1 MHz - 75 MHz
电源电压: 1.6 V - 3.6 V
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: -40 °C - +105 °C
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2 MHz -60 MHz
电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: +105 °C / +125 °C
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爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SDB晶振,SG-210SDB 48.0000ML3晶振
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2 MHz -60 MHz
电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: +105 °C / +125 °C
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2 MHz -60 MHz
电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: +105 °C / +125 °C
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晶体振荡器 (SPSO) 输出:CMOS
频率范围: 2 MHz -32 MHz
电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.
电流消耗: 0.9 mA Typ. (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)
外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm
功能:待机( ST )
工作温度范围: +105 °C / +125 °C
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