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泰艺晶振,贴片晶振,OC晶振,OCETGLJANF-27.000000晶振
更多 +贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

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泰艺晶振,OX晶振,OXETGLJANF-26.000000晶振,OY晶振
更多 +接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

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泰艺晶振,XJ晶振,XJGPPCAANF晶振
更多 +普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

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泰艺晶振,X3晶振,X3AEEJNANF晶振
更多 +那么贴片晶振产品的点击又是怎么回事呢?产品的电极对于晶体来讲,主要是,改变频率,往外引出电极,改变阻抗,去掉杂波,贴片晶体的晶片有镀金镀银等区别,各项镀层也会对产品的频率发生一定的改变,因此电极的设计会使晶振的精度产生更高的要求。

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KDS晶振,石英晶振,DSB211SDM晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC9(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接.更多 +

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爱普生晶振,石英晶振,32.768K晶体,C-002RX晶振,2*6晶振,C-002RX 32.7680K-A:PBFREE
更多 +爱普生晶振,C-002RX晶振,32.768K晶体,2*6晶振
工作温度:-10℃~+60℃ 保存温度:-20℃~+70℃ 负载电容:12.5pF
■频率范围:32.768kHz
■厚度:Φ2.0mm Max.
■谐波次数:基频
■应用:时钟和微型计算机

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村田晶振,CSTCE12M0G15L99-R0晶振,12M晶振,蓝牙晶振
更多 +村田晶振,CSTCE12M0G15L99-R0晶振,12M晶振,蓝牙晶振
频率:12.000MHz
尺寸:3.2×1.3×0.8mm
MURATA的频率调整和封装技术专长使得内置负载电容器的CERALOCK(R)芯片得以发展。 通过小封装可以实现高密度安装,并消除对外部负载电容器的需求。
特征
1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。

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村田晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振,3.2*1.3晶振,车载专用晶振
更多 +村田晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振,3.2*1.3晶振,车载专用晶振
频率:9.000MHz
尺寸:3.2×1.3×0.8mm
MURATA的频率调整和封装技术专长使得内置负载电容器的CERALOCK(R)芯片得以发展。 通过小封装可以实现高密度安装,并消除对外部负载电容器的需求。
特征
1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。

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村田晶振,CSTCE8M00G55-R0晶振,村田陶瓷振荡子,通讯设备专用晶振
更多 +村田晶振,CSTCE8M00G55-R0晶振,村田陶瓷振荡子,通讯专用晶振
频率:8.000MHz
尺寸:3.2×1.3×0.8mm
MURATA的频率调整和封装技术专长使得内置负载电容器的CERALOCK(R)芯片得以发展。 通过小封装可以实现高密度安装,并消除对外部负载电容器的需求。
特征
1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。

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村田晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振,8M晶振,CSTCE晶振
更多 +村田晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振,8M晶振,CSTCE晶振
频率:8.000MHz
尺寸:3.2×1.3×0.8mmMURATA的频率调整和封装技术专长使得内置负载电容器的CERALOCK(R)芯片得以发展。 通过小封装可以实现高密度安装,并消除对外部负载电容器的需求。
特征
1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。

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村田晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振,3M晶振,村田陶瓷晶振
更多 +村田晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振,3M晶振,村田陶瓷晶振
频率:3.000MHz
尺寸:7.2×3.0×1.8mm由于封装小,无需外部负载电容器,可实现高密度安装.
主要特征有
1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。

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村田晶振,CSTCC2M50G56-R0晶振,7.2*3.4晶振,CSTCC晶振
更多 +村田晶振,CSTCC2M50G56-R0晶振,7.2*3.4晶振,CSTCC晶振
频率:2.000MHz
尺寸:7.2×3.0×1.8mm可构成无负荷容量的振荡电路,实现更高密度封装的陶瓷振荡子(CERALOCK®)。
适用于各种AV、OA、家电、产电机器等微机用标准时钟。由于封装小,无需外部负载电容器,可实现高密度安装.
主要特征有
1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。

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村田晶振,CSTCC2M00G56-R0晶振,2M晶振,CSTCC晶振
更多 +村田晶振,CSTCC2M00G56-R0晶振,2M晶振,CSTCC晶振
频率:2.000MHz
尺寸:7.2×3.0×1.8mm适用于各种AV、OA、家电、产电机器等微机用标准时钟。
由于封装小,无需外部负载电容器,可实现高密度安装.
主要特征有
1.振荡电路不需要外部负载电容。
2.可在宽频率范围内使用。
3.极小,具有低调。
4.振荡电路无需调整。

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Raltron晶振,进口晶振,C-SMD晶振
工作温度:-40℃~+85℃更多 +
储存温度:-40℃~+85℃
外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性.
- [新闻中心]Rakon最新超低相位噪声VCXO产品RVX1490U2026年05月22日 10:57
Rakon最新超低相位噪声VCXO产品RVX1490U
传统高端低噪器件又存在成本高昂,体积偏大,适配性有限,量产难度高的弊端,长期困扰高端通信设备厂商的产品迭代与品质升级.为彻底打破高端低噪时钟器件的性能与成本壁垒,填补中高端超低噪声VCXO市场空白,全球顶尖频率控制解决方案品牌Rakon瑞康,依托数十年高频低噪时钟研发积淀,独家高Q值晶体工艺与专属电路架构,重磅推出全新旗舰力作——RVX1490U超低相位噪声VCXO压控晶体振荡器.该产品凭借行业顶级超低相噪,极致低抖动,无次谐波,宽温高稳的硬核性能,成为5G通信,光传输,卫星地面通信,精密测控领域的标杆级低噪时钟方案.jd02bscSDBkcyZlanVf"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>- 阅读(49)
- [行业新闻]MuRata村田推出新一代LTE-M/NB-IoT模块2026年05月20日 14:47
MuRata村田推出新一代LTE-M/NB-IoT模块
村田这款新一代LTE-M/NB-IoT模块的核心优势,在于全面支持蜂窝IoT专用LPWA多协议,完美兼容LTE-M(Cat-M1)与NB-IoT(Cat-NB2)双协议,同时向下兼容NB-IoTCat-NB1协议,可根据不同应用场景的网络环境与需求,自动切换适配的通信协议,实现"一模块适配多场景",彻底解决了传统模块"单协议适配性差""跨场景应用受限"的行业痛点,大幅提升了模块的应用灵活性与通用性.作为蜂窝IoT专用的LPWA模块,其深度契合LPWA技术低功耗,广覆盖,海量连接的核心需求,同时兼顾通信速率与成本控制,成为多场景蜂窝IoT应用的优选方案,目前该系列模块已正式量产,核心型号包括LBWA1ZZ1CD,LBWA1ZZ1DD等,可满足不同场景的个性化需求.jdQFj6cwuk6c6KsPn5g"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>- 阅读(225)
- [行业新闻]MtronPTI电子战精密频率控制解决方案2026年05月19日 15:30
MtronPTI电子战精密频率控制解决方案
面对电子战领域对频率控制"高精度,高稳定,高可靠,多频段,小型化"的严苛需求,以及传统频率控制方案存在的适配性不足,抗干扰薄弱,系统集成繁琐等行业痛点,全球领先的射频与频率控制解决方案提供商MtronPTI,依托近60年防务电子领域技术积淀与实战经验,推出专为电子战应用量身打造的精密频率控制解决方案,以全链条技术支撑,全场景产品覆盖,全流程定制服务,破解行业痛点,为电子战装备升级赋能,彰显MtronPTI在防务电子领域的顶尖实力与行业引领地位.- 阅读(92)
- [新闻中心]MtronPTI高功率多频段n分频器重磅亮相电子战领域2026年05月19日 15:03
MtronPTI高功率多频段n分频器重磅亮相电子战领域
在现代电子战日趋激烈,电磁环境愈发复杂的背景下,核心射频器件的性能直接决定了电子战装备的实战效能,更是国防安全的重要保障.MtronPTI这款适用于电子战应用的高功率/多频段n分频器的重磅推出,凭借卓越的核心性能,灵活的定制化能力,广泛的应用场景与军工级品质保障,打破传统n分频器的应用局限,为电子战系统提供了优质的频率调控解决方案,彰显了MtronPTI在防务电子领域的顶尖技术实力与行业影响力,也为现代电子战装备的升级提供了核心支撑.- 阅读(77)
- [新闻中心]瑞萨电子推出28纳米RH850/U2C汽车微控制器2026年05月14日 11:54
瑞萨电子推出28纳米RH850/U2C汽车微控制器
瑞萨电子作为全球汽车电子半导体领域的领军企业,拥有超过30年的汽车微控制器研发与量产经验,其RH850系列微控制器已广泛应用于全球各类汽车的核心控制系统,凭借高可靠性,高安全性赢得了全球主流汽车厂商的高度认可,累计量产超过10年,市场口碑卓越.为进一步适配汽车产业电动化,智能化转型需求,瑞萨电子依托成熟的28纳米工艺技术,结合自身在汽车微控制器领域的深厚技术积淀,研发推出RH850/U2C系列汽车微控制器.该系列产品采用先进的28纳米工艺制造,相较于传统40纳米工艺,在性能提升30%以上的同时,功耗降低40%,实现了高性能与低功耗的完美平衡jegcydhvnhh","text":{"initialAttributedTexts":{"text":{"0":"瑞萨电子作为全球汽车电子半导体领域的领军企业,拥有超过30年的汽车微控制器研发与量产经验,其RH850系列微控制器已广泛应用于全球各类汽车的核心控制系统,凭借高可靠性、高安全性赢得了全球主流汽车厂商的高度认可,累计量产超过10年,市场口碑卓越。为进一步适配汽车产业电动化、智能化转型需求,瑞萨电子依托成熟的28纳米工艺技术,结合自身在汽车微控制器领域的深厚技术积淀,研发推出RH850/U2C系列汽车微控制器。该系列产品采用先进的28纳米工艺制造,相较于传统40纳米工艺,在性能提升30%以上的同时,功耗降低40%,实现了高性能与低功耗的完美平衡"},"attribs":{"0":"*1*0+7l"}},"apool":{"numToAttrib":{"0":["author","7592593332774128587"],"1":["ai-extra","{\"is_ai_gen\":true,\"rewrite_command\":1}"]},"nextNum":2}},"type":"text","referenceRecordMap":{},"extra":{"channel":"saas","isEqualBlockSelection":false,"pasteRandomId":"0f5de3f7-63b3-4b46-884b-f19a68a8c0b5","mention_page_title":{},"external_mention_url":{}},"isKeepQuoteContainer":false,"isFromCode":false,"selection":[{"id":61,"type":"text","selection":{"start":0,"end":273},"recordId":"WNsSfvH39dBFbfcYk48cX8g3nie"}],"payloadMap":{},"isCut":false}'>- 阅读(181)
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