迈阿密——全球领先的高性能频率管理公司Raltron 元器件和天线产品，设计了最小的SMD恒温晶体振荡器 (OCXO)市场上有售。尺寸仅为9mmx7mm，OX7000系列专为应用而设计，要求超小尺寸和优异的温度稳定性。这包括5G无线的所有方面 基础设施、传输、精密仪器、广播、公用事业计量基础设施和更多。

OX7000系列覆盖从5.000MHz到40.000MHZ的频率范围150mA稳态下的电压为3.3V。OX7000系列OCXO结合了超小型和超 +/-10 ppb的可靠频率稳定性。
“OX7000系列OCXO晶振，专为支持客户需求而打造，以微型产品的形式提供卓越的性能 包裹。确保回流后最小的频率偏差，高稳定性OCXO是低 要求低噪声的频率无线和射频应用，”Raltron销售副总裁Ross Weiss说
OX7000系列有源晶振，采用密封封装以提高可靠性，提供3分钟的快速预热时间、10kHz偏移时-158 dBc/Hz的低相位噪声和HCMOS输出电平。
特征：紧密的，高可靠性，频率高达40MHz

Raltron晶振OX7000系列是业界最小的SMD恒温晶体振荡器OX4570A-D3-2-20.000-3.3

DSC613系列器件是业界最小的MEMS时钟发生器，可替代板上最多三个晶体和振荡器，从而将时序元件板空间减少多达 80%。时钟发生器通过集成低功率和高稳定性的微机电系统 (MEMS)谐振器，无需外部晶体。该系列包括两个低功耗分数 PLL，可提供领先的频率灵活性和稳健的抖动性能。客户可以配置输出频率、控制引脚功能、封装尺寸、PPM 精度和温度范围。根据自定义电路板负载条件，最多可提供三种输出驱动强度。扩频时钟也可用于降低 EMI。DSC613是一款高度可配置的器件，出厂时已编程以满足客户的需求

Microchip晶振DSC613系列3路输出低功耗MEMS时钟振荡器DSC613RI3A-010UT

小体积无源晶振ECS-120-18-23G-JGN-TR具备优良的耐恶劣环境特性

在现在的电子市场中，小型的贴片晶振才是市场上的主打商品，相对于插件晶振来说，贴片晶振体积小型，并且可使用现代SMT自动贴片机高速焊接，既节省了昂贵的人工费用，也提高了生产效率，且产品体积的的变小也使产品带来更高的可靠性和稳定性能，小体积无源晶振ECS-120-18-23G-JGN-TR，ECS-120-S-20A-TR晶振等产品，均是两脚SMD晶振，批量为12MHZ晶振。具备优良的耐恶劣环境特性，符合欧盟ROHS标准。满足无铅高温焊接曲线要求。

京瓷晶振公司作为电子部件中各同行中争相效仿的对象,在制作石英晶振,贴片晶振,32.768K等频率元件.为社会和人类的进步做出贡献.石英晶体,贴片晶振,温补晶振对于手机,数码相机和其他数字设备关键部件的性能有重要影响,近期业务总部研发出了一种新产品,以达到快速交货,并且对应于全局可靠性标准AEC-Q100/200晶体时钟振荡器的车载部件)SPXO),用于时钟的晶体振荡器是输出用于控制电子电路等的时钟信号的重要部分,使得电子设备可以正常操作.

京瓷晶振Z系列用于电子设备和通讯设备的晶体振荡器,KT2016K26000BCW18ZAS

做电子行业几年了?对电子行业了解吗?知道什么样的产品比较好,什么样的设备更适合自己不,以下的更多问号在此省略.做某件事有没有不达目的誓不罢休,没有完成不休息的决心,或者又是喜欢那个人那个物品不变心的,放在人与人可以说痴情,放在你与设备,人与元器件是不开窍?当然不是,只是单纯喜爱,就想爱普生晶振公司FC1610AN吸引我一样.

石英晶体负载电容还有频率吗?这句话听起来又矛盾又好奇,为什么负载电容里面还会有频率出现.我们所知道的不都是石英晶振产品内部有标准频率参数,负载电容值,频率偏差以及工作温度等相关参数,但又是为什么石英晶体负载电容还会有频率呢?那么以下,请跟随着我们来去了解探讨一下有关于<石英晶体负载电容还有频率吗?>的疑问!

当订购用于工作在频率f下的振荡器的晶体时，例如32.768 kHz或20 MHz，通常仅指定工作频率是不够的。尽管晶体将以接近其串联谐振频率的频率振荡，但实际的振荡频率通常与该频率稍有不同（在“并联谐振电路”中会稍高一些)1。

因此，假设您有一个晶体振荡器电路，并且想要购买晶体，以使放置在该电路中时的振荡频率为f。您需要告诉晶振厂家完成什么？您是否需要发送振荡器设计的示意图以及其设计的所有相关细节，例如选择与布局相关的电容器，电阻器，有源元件和杂散？幸运的是，答案是否定的。除了频率f之外，仅需一个数字，即负载电容CL。

2.什么是CL？

假设您的晶体振荡器以所需的频率f运行。在该频率下，晶体具有复阻抗Z，并且对于工作频率而言，这是晶体唯一重要的特性。因此，为了使振荡器在频率f下工作，您需要在频率f下具有阻抗Z的晶体。因此，最糟糕的是，您只需指定一个复数Z = R + jX。实际上，它甚至比这更简单。

尽管原则上应该在频率f处指定晶体电阻R，但通常R中的晶体间差异以及振荡器对此变化的敏感性足够低，因此无需指定R。这并不是说抗结晶性没有影响；是的。我们将在第4节中进一步讨论。

因此，剩下一个值来指定：f处的晶体电抗X。因此，可以指定一种在20 MHz时电抗为400的晶体。取而代之的是，通常通过指定电容CL并等于

在这里我们设定了ω=2πf。 在物理上，在该频率下，晶振和电容CL的串联组合的阻抗具有零相位（等效地，具有零电抗或纯电阻）。 参见图1。

其中第二步遵循公式（1），电容C的电抗为-1 /（ωC）。

图1-该串联组合在晶振具有负载电容CL的频率下具有零相阻抗

因此，确保适当的振荡频率的任务是提供在指定频率下具有所需电抗的组件（在这种情况下为晶体），这由等式（1）2用电容CL表示。例如，我们不是指定晶体在20 MHz时具有400 frequency的电抗，而是指定在20 MHz处具有20 pF的负载电容的晶体，或更通常地，我们指定在20 pF的负载电容下的晶体频率为20 MHz。

在“并联谐振电路”中，CL为正，通常在5 pF至40 pF之间。在这种情况下，晶体在晶体的串联和并联谐振频率（分别为Fs和Fp）之间的狭窄频带内工作。 

注释：1订购晶体进行串联谐振操作时，不要指定CL的值，而应声明频率f指的是串联谐振频率Fs。

2这并不是说频率确定的所有方面都与此唯一数字相关。例如，晶体和振荡器的其他方面决定了是否选择了正确的振荡模式以及系统的频率稳定性（短期和长期）。

虽然真正的“串联谐振电路”没有与之相关的负载电容[或方程式（1）可能是无穷大]，但大多数“串联谐振电路”实际上实际上是在串联谐振频率之外工作的，因此确实有一个有限负载电容（可以为正或负）。但是，如果此偏移很小，并且不需要指定负载电容，则可以忽略该偏移，也可以通过在指定频率f中稍有偏移来处理它。

正如我们将在第4节中看到的那样，振荡器和晶体都确定CL。但是，该晶体的作用很弱，因为在零电阻的极限内，该晶体在确定CL时根本不起作用。在这种限制情况下，将CL称为振荡器负载电容是有意义的，因为它完全由振荡器决定。但是，到了在订购晶体的时间上，可以指定在负载电容CL处具有频率f的晶体，即这是晶体频率的条件。因此，将CL称为晶体负载电容是合理的。出于争论的目的，我们简单地避免了这个问题，并使用术语负载电容。

3.在CL上定义FL

现在，对于在给定的负载电容下具有给定频率的晶体，我们用方程式（1）作为定义关系。

定义：当晶体在频率FL处的电抗X由公式（1）给出时，晶体在负载电容CL处具有频率FL，其中ω=2πFL。

回想一下，在给定模式下，晶体的电抗从负值增加，在串联谐振时从零增加到在并联谐振附近的大正值，在此它迅速减小到大负值，然后又增加到零。 （参见参考文献[1]。）通过排除并联谐振周围的区域，我们为每个电抗值提供了一个频率。这样，我们可以关联给定CL值的频率FL。因此，CL的正值对应于串联谐振和并联谐振之间的频率。 CL的大负值对应于低于串联谐振的频率，而较小的负值对应于高于并联谐振的频率。 （请参见下面的公式（3）。）

3.1。 晶体频率方程

那么，振荡频率在多大程度上取决于负载电容CL？ 我们可以通过确定晶体频率FL如何取决于晶体负载电容CL来回答这个问题。 可以证明这一点非常近似

其中C 1和C 0分别是晶体的动电容和静电容。 （有关该关系的推导和讨论，请参见参考文献[1]。）为便于说明，我们将公式（3）称为晶体频率公式。

这表明晶体振荡器的工作频率与其负载电容的相关性以及对晶体本身的相关性。 特别地，当将负载电容从CL1更改为CL2时，分数频率变化可以通过以下方式很好地近似：

3.2。 修剪灵敏度

公式（3）给出了工作频率FL对负载电容CL的依赖性。 频率随CL的负变化率称为调整灵敏度TS。 使用公式（3），这大约是

由此可见，在较低的CL值下，晶体对CL的给定变化更敏感。

4.但是什么决定CL？

考虑一个简单的皮尔斯振荡器，它由一个晶体，一个放大器以及栅极和漏极电容器组成，如图2所示。

试图计算皮尔斯振荡器电路的负载电容时，必须考虑至少三个杂散电容。

1.从放大器的输入到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身，并且将电容跟踪到地。由于此电容与C G并联，因此我们可以简单地将其吸收到C G的定义中。 （CG是电容器对地的电容加上放大器此侧对地的任何附加电容。）

2.从放大器的输出到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身，并且将电容跟踪到地。由于此电容与C D并联，因此我们可以简单地将其吸收到C D的定义中。 （即CD是电容器接地电容，再加上放大器此侧的任何其他接地电容。）

3.杂散电容C s使晶体分流，如图2所示。

如上所述重新定义C G和C D，然后得出[2]振荡的条件之一是

Where

是晶体和电容C s的并联组合的阻抗，而R o是放大器的输出电阻。

可以看出，晶振电阻R是负载电容CL的函数，近似为：（假设CL不太小）

其中R 1是晶体[1]的运动阻力。

然后得出结论（提供的CL – C s不太小）

以及

根据这些结果，式（6）给出了CL的以下方程式

其中R′由等式（9）近似。请注意，CL的方程实际上比起初看起来要复杂一些，因为R'取决于CL。

可以看出，CL随R 1的增加而减小，因此通过公式（3），工作频率随晶体电阻而增加。因此，负载电容确实与晶体本身有关。但是，正如我们前面提到的，晶体电阻的变化以及对这种变化的灵敏度通常足够低，因此可以忽略不计。 （在这种情况下，晶体电阻的标称值用于计算CL。）

但是，有时抗拒效果不容忽视。调谐两个晶体，以使它们在给定的负载电容CL下具有完全相同的频率，如果它们的电阻不同，则它们可以在同一振荡器中以不同的频率振荡。这种微小的差异导致所观察到的系统频率变化增加，高于晶体频率校准误差和板对板组件变化所引起的变化。

注意，在晶体电阻为零的情况下（或与放大器的输出电阻R o相比，至少可忽略不计），公式（11）给出

因此，在这种情况下，负载电容是将晶体分流的杂散电容加上晶体每一侧的两个电容与地之间的串联电容。

5，测量CL

虽然原则上可以从电路设计中计算出CL，但是一种更简单的方法是简单地测量CL。这也更加可靠，因为它不依赖于振荡器电路模型，考虑了与布局相关的杂散（可能难以估计），并且考虑了晶体电阻的影响。这是两种测量CL的方法。

5.1方法1

该方法需要阻抗分析仪，但不需要了解晶体参数，并且与晶体模型无关。

1.获得与将要订购的晶体相似的晶体，即具有相似的频率和电阻。

2.将此晶体放置在振荡器中，并测量操作FL的频率。将晶振放入电路中时，请注意不要损坏它或做任何会引起不适当频率偏移的事情。 （如果焊接到位，请使其冷却至室温。）避免焊接的好方法是简单地使用例如铅笔的橡皮擦末端将晶体压在板的焊盘上，并观察振荡频率。只要注意晶体与电路板完全接触即可。该系统仍然可以以较高的频率振荡，而晶体不会与电路板完全接触。

3.使用阻抗分析仪，以步骤2中确定的频率FL测量晶体的电抗X。

4.使用等式（1）以及在FL处的FL（ω=2πFL）和X的测量值来计算CL。

5.2方法2

此方法取决于四参数晶体模型，并且需要了解这些参数（通过您自己的测量或晶体制造商提供的知识）。

1.获得与将要订购的晶体相似的晶体，即具有相似的频率和电阻。

2.表征该晶体。特别要测量其串联频率F s，运动电容C 1和静态电容C 0。

3.将此晶体放在振荡器中，并测量操作FL的频率（如方法1，步骤2所示）。

4.使用公式（3）和FL，F s，C 1和C 0的测量值计算CL。

建议采用至少3个晶体进行这两种方法。正确完成后，该技术通常得出的CL值约为0.1 pF。通过对多个电路板重复该过程以估计CL的电路板间差异，可以找到对最终结果的进一步信心。

注意，在上面，FL不必精确地是期望的振荡频率f。也就是说，CL的计算值不是振荡频率的强函数，因为通常仅晶体是强烈依赖于频率的。如果由于某种原因，振荡器确实具有很强的频率相关性，那么使用该程序将非常困难。

6.我真的需要为CL指定值吗？

至少有三种情况不需要CL的规范：

1.您打算以晶体的串联谐振频率进行操作。

2.您可以容忍频率中的较大误差（大约0.1％或更高）。

3.电路的负载电容足够接近标准值（请参见晶振数据表），以允许频率差。可以使用公式（4）计算该差异。

如果您的应用不满足上述三个条件之一，则应强烈考虑估算振荡器的负载电容，并在指定晶体时使用该值。

石英晶体谐振器在电子学中的重要性在于其极高的Q值、相对较小的尺寸和优异的温度稳定性。

石英晶体谐振器利用石英的压电特性直接压电效应是指机械应力作用下某些材料产生的电极化效应。逆效应是指同一材料在电场作用下产生的变形。

在石英晶体谐振器中，在两个电极之间放置一薄片石英，其相对于晶体轴以适当的方向切割。施加在这些电极上的交流电压会使石英同时振动。伴随而来的极化变化构成了通过谐振器的电位移电流。

当外加电压的频率接近石英薄片的机械共振频率之一时，振动的振幅变得很大。伴随的位移电流也会增大，因此器件的有效阻抗会减小。在石英晶体谐振器作为晶体振荡器的频率控制元件的应用中，阻抗随共振附近频率的变化而迅速变化是关键因素。

在电气方面，石英晶体可以用图1中的等效电路表示，其中串联组合r1、l1和c1表示压电效应对阻抗的贡献，c0表示电极之间的并联电容以及任何杂散保持器电容。电感l1是石英质量的函数，而电容c1与其刚度相关。电阻r1是石英和安装装置损耗的结果。等效电路的参数测量精度可达1%左右。

等效电路的电抗频率图如图2所示。晶振性能的相关公式有很多，其中第一个是fs。这是晶体串联共振的频率，由下式给出： 

其中fs以赫兹表示，l1以亨利表示，c1以法拉表示。 

典型晶体参数值

校准公差

校准公差是晶体在特定温度、基准温度（通常为25°C）下频率的最大允许偏差。

频率稳定性

晶振不稳定有多种原因。温度变化和质量的物理变化导致了我们称之为老化的长期漂移，这可能是我们最关心的问题。

通过适当选择晶振切割和（对于严格的公差要求）在晶振电路中包括与温度相关的电抗，或在小烤箱中保持恒定温度，可将温度变化的影响降至最低。at-cut晶体是当今应用最广泛的晶振，因为它们的频率-温度曲线家族很容易以低成本为所有应用（除了最苛刻的应用）提供良好的性能。

未补偿的AT切割晶体可以在-10°C到60°C的范围内规定公差为±5ppm，更宽的温度范围需要更大的公差，如图3所示，显示了AT切割频率温度曲线的典型系列这些曲线可以用三次方程表示，并且强烈依赖于石英坯料的切割角度零温度系数的点称为上下拐点通过选择切割角度，可以将一个转折点放置在需要的位置；然后固定另一个转折点，因为这两个转折点在20°~30°C范围内的某个点上是对称的。转弯点之间的坡度随着它们一起移动而变小。设计用于烘箱的晶体被切割，以便上转折点与烘箱工作温度一致。

图4显示了几个低频切割的频率-温度曲线。J-cut在10kHz以下使用，而XY-cut可以在3kHz到85kHz之间使用。可在10KHz范围内使用NT切割。dt-cut适用于100khz至800khz左右，ct-cut适用于300khz至900khz。

负载电容

晶振可以由其制造商在fr处进行校准，在fr处它们看起来是电阻的（或非常接近fr的fs），或者在与电容性负载共振时，它们当然必须是电感的。后一种情况称为负载共振，通常用符号fl表示；更具体地说，符号f30，例如，表示晶体与30pF电容性负载共振的频率。

晶体电抗曲线上需要校准的点由电路结构决定一般来说，振荡器中的非反相保持放大器需要在fr处校准，而反相放大器需要在“负载电容”cl的某个值处校准。后一种配置依赖于电感晶体以及与之共振的负载电容，提供180度的相位偏移。

该规则最常见的例外是，当小电容器（例如变容二极管）与非反相放大器电路中的晶体串联以提供一定程度的频率调整时。在这种情况下，必须用电容的平均值校准晶体的共振。

 可拉性 

晶体的可拉性是在给定的负载电容变化下测量其频率变化的一种方法。这通常表示为串联谐振频率（fr）和负载谐振频率（fL）之间的差异该偏移量可使用分数负载谐振频率偏移量（dl）以百万分之几计算，即给定值cl时，从fr到fl的实际频率变化。

  其中C1，C0和CL均以相同单位表示。图5显示了频率变化相对于负载电容变化的影响的典型曲线。

 另外，通常将晶体的可拉性表示为修整灵敏度，单位为ppm / pF负载电容变化。 通过ppm / pF给出：

其中C1，C0和CL以pF为单位，并且在图6中以图形方式显示了（C0 + CL）的各种值。

The 'ageing' of a quartz crystal results in a small change of frequency over time and this effect may have to be taken into account by the customer when designing their circuit depending upon the overall specification that needs to be achieved. There are two main causes of ageing in quartz crystals, one due to mass-transfer and the other due to stress.

Mass-Transfer

Any unwanted contamination inside the device package can transfer material to or from the SMD CRYSTALcausing a change in the mass of the quartz blank which will alter the frequency of the device. For example, the conductive epoxy used to mount the quartz blank can produce 'out-gassing' which can create oxidising material within the otherwise inert atmosphere inside the sealed crystal package and so this production process must be well controlled. Ideally the manufacturing method is as clean as possible to negate any effects and give good ageing results.

Stress

This can occur within various components of the crystal from the processing of the quartz blank, the curing of the epoxy mounting adhesive, the crystal mounting structure and the type of metal electrode material used in the device.Heating and cooling also causes stress due to different expansion coefficients. Stress in the system usually changes over time as the system relaxes and this can cause a change in frequency.

Ageing in practice

When looking at example ageing test results of crystals,it can be seen that the change in frequency is generally greatest in the 1st year and decays away with time. It must be noted however that for example if a device is specified at ±5ppm max per year; it does not follow that the ageing after 5 yrs will be ±5ppm x 5yrs, i.e. ±25ppm. In practice,the example ±5ppm ageing device may be only ±1ppm to ±2ppm in the 1st year of operation and then reduces over subsequent years. It is common to use a general 'guide-rule' for crystal ageing of ±10ppm max over 10 years although in reality it is usually much less than this. It is impossible to predict the exact ageing of a device as even parts made at the same time and from the same batch of quartz will exhibit slightly different ageing characteristics.The production process must be consistent from part to part, from the manufacture of the quartz blank, the electrode size and its placement, to the epoxy used to mount the quartz and its curing thermal profile, all have a slight affect on frequency. Devices can age negatively or positively depending upon the internal causes although parts from one batch tend to follow similar results. Generally the ageing effect is negative in over 90% of parts manufactured.

Accelerated ageing

It is common industry practice to use an accelerated ageing process to predict long term frequency movement by soaking devices at elevated temperatures and measuring frequency movement at relevant intervals. It is normal to test crystals using a passive test (i.e. non-powered). The general rule used is that soaking a crystal at +85℃ for 30 days is equivalent to 1 year of ageing at normal room temperature. If this test is extended for enough time then the recorded data can be plotted graphically to enable via extrapolation, the prediction of future long term ageing.

Frequency adjustment

Note that the ageing of quartz effectively changes the frequency tolerance of the crystal and does not directly influence the stability of the quartz over temperature to any great degree as this parameter is dictated by the 'cut-angle' of the quartz used. If using quartz oscillators that have a voltage-control function such as VCXOs, TCXOs or OCXOs, the output frequency can be adjusted back to its nominally specified value.

Design

The engineer designing a circuit using either a crystal or oscillator will generally know what overall stability figure their equipment must meet over a particular time period.

As the tolerance and/or stability of a device decreases then the more important ageing becomes. For example using a TCXO at ±1ppm stability over temperature will require ageing to be kept to relatively small values. However, if the total frequency movement allowance of a design is for example ±200ppm and a device with a rating of ±100ppm is used then a small amount of ageing can effectively be ignored.

About Crystal parameters description,Crystal Project Name

AT Cut Crystals

For precise frequency control in radio and line communication systems, quartz crystal resonators have proved indispensable. The material properties of crystalline quartz are such that quartz resonators display stableness and Q factors that cannot be matched by other types of resonator over the frequency range from 1 MHz to 200 MHz.

Equivalent Circuit

Fig-1 shows the conventionally accepted equivalent circuit of a crystal resonator at a frequency near its main mode of vibration. The inductance LI reiperesents the vibrating mass, the series capacitance CL the compliance of the quartz element and the resistance Rl the internal frication of the element, mechanical losses in the mounting system and acoustical losses to the surrounding environment.

The shunt capacitance Co is made up of the static capacitance between the electrodes, togettier with stray capacitances of the mounting system. 

There are two zero-phase frequencies associated with this simple circuit, one is at series resonance fs, another at antiresonance fa. When used in an oscillator, crystal units will operate at any frequency within the broken lines of Fig-2 as determined by the phase of the maintaining circuit.

By changing of this reactive condition, the crystal frequency may be trimmed in a limited extent. The degree to which this frequency may be varied (frequency pulling) is inversely proportional to the capacitance ratio r(C〇 /Ci).

Load Capacitance

Many practical oscillator circuits make use of a load capacitor CL in series or parallel with the crystal, either in order to provide a means for final frequency adjustment, or perhaps for modulation or temperature compensation purposes. For the crystal load capacitance. We looking into the circuit through the two crystal terminals, the load capacitance need to specified when the crystal is paralleled mode, crystal load capacitance is calculated as below: 

Frequency Pulling

In many applications a variable capacitor (trimmer) is used as the load reactive element to adjust the frequency. The fractional frequency range available between specified values of this load reactive element is called the pulling range (PR.) and it can be calculated by using the following formula: 

Sensitivity

A useful parameter to the design engineer is the pulling sensitivity (S) at a specified value of load capacitance. It is defined as the incremental fractional frequency change for an incremental change in load capacitance. It is normally expressed in ppm/pF (10-6/pF) and can be calculated from the formula: 

It is very important to define the mean load capacitance to enable the actual crystal frequency be set within the tolerances of the specified nominal frequency. It is also important to use, wherever possible, standard values of load capacitance; for example:20pF, 30pF.

Fig-3 shows the relationship between LO.; P.R. and S. 

Frequency Pulling Calculation

An approximation to the pulling for any crystal can be calculated from this simple formula:

Resistance

The equivalent circuit of the crystal has one other important parameter: This is Ri, the motional resistance. This parameter controls the Q of the crystal unit and will define the level of oscillation in any maintaining circuit. The load resonance for a given crystal unit depends upon the load capacitance with which that unit is intended to operate. The frequency of oscillation is the same in either series or parallel connection of the load capacitance.

If the external capacitance is designated the load resonance resistance may be calculated as follows:

The equivalent shunt or parallel resistance at load resonance frequency is approximately: 

It should be remembered that Ri does not change thus the effective parameters of any user network can be readily calculated.

Frequency Temperature Characteristics

The AT-cut crystal has a frequency temperature characteristic which may be described by a cubic function of temperature. This characteristic can be precisely controlled by small variations in the exact angle at which the crystal blank is cut from the original quartz bar. Fig,4 illustrates some typical cases. This cubic behaviour is in contrast to most other crystal cuts, which have parabolic temperature characteristics.

As a consequence, the AT-cut is generally the best choice when specifying a unit to operate over a wide temperature range, and is available in a range of frequencies from 1 to 200 MHz.

 北京时间2019年10月1日，是我们伟大的祖国——中国成立70周年纪念日。这个激动人心的时刻就要来到了，令我到现在都无法安心的工作，一心只想着给祖国庆生。中国，是以华夏文明为源泉，中华文化为基础，虽然说在中国会有很多个民族聚集在一起，但都以汉族为主体的多民族国家也称之为“中华民族”，又自称为“炎黄子孙，龙的传人”。

传说中，大约在4500多年前，生活在黄河流域原始部落的部落联盟首领。他提倡种植五谷，驯养牲畜，促使这个部落联盟逐步强大。他曾率领部落打败黄河上游的炎帝部落和南方的蚩尤部落。后来炎帝部落和黄帝部落结成联盟，在黄河流域长期生活、繁衍，构成了以后华夏族的主干成分。黄帝被尊奉为华夏族的祖先。所以中华民族被称为炎黄子孙，就是这么来的。黄帝以后，黄河流域部落联盟的杰出首领，先后有尧、舜、禹。那时候，部落联盟首领由推选产生。尧年老了，召开部落联盟会议，大家推举有才德的舜为继承人。尧死后，舜继承了尧的位置，舜年老了，也采取同样的办法把位置让给治水有功的禹。这种更替首领位置的办法，历史上叫做“禅让”。

身为中国人，我想，大家都有必要知道有关于中国成立的原因吧？以下先来了解一下在新中国成立前是一副什么模样。

从公元前21世纪夏朝建立开始，到公元前476年春秋时期结束，是中国的奴隶社会.禹的儿子启建立的夏，是中国最早的奴隶制国家。公元前16世纪，夏王桀在位时，被商汤率兵灭亡.

公元前16世纪至公元前11世纪的商朝，是奴隶社会的发展时期。商朝的农业、手工业较发达，青铜冶炼和铸造有很高水平。中国有文字可考的历史是从商朝开始的。商纣王统治时，周武王兴兵伐纣，商亡.

公元前11世纪至公元前771年的西周，是奴隶社会的强盛时期。西周统治者实行了分封制和井田制。周厉王统治时，引起“国人暴动”，厉王逃跑，政权由周、召二公执掌。公元前771年，西周被犬戎灭亡。

公元前770年至公元前476年的春秋时期，是奴隶社会逐步瓦解时期。这一时期，周王室衰微，诸侯争霸。由于铁器的使用和牛耕的出现，生产力提高，私田增多，促使以奴隶制国有土地为基础的井田制逐步瓦解，奴隶制走向崩溃。春秋时期，在文化上出现了繁荣局面.

封建社会的确立和初步发展

从公元前475年战国时期开始，到公元220年东汉灭亡，是中国封建社会的确立和初步发展时期。

战国时期，新兴地主阶级推动了各诸侯国的变法运动。其中秦国商鞅变法比较彻底，使秦国逐渐成为诸侯国中实力最强的国家。这一时期，社会经济获得很大发展，科学技术取得显著成就，思想上出现了“百家争鸣”的繁荣局面。  

秦朝是中国历史上第一个统一的多民族的专制主义中央集权的封建国家。秦始皇为巩固专制主义中央集权所采取的一系列措施，对后世产生了重大影响。秦统一后，为了防御匈奴南侵，在连接原来秦、赵、燕三国北方长城的基础上，又向东、西两段延伸，筑成一道西起临洮、东到辽东的城防。这就是有名的万里长城。秦统治者的暴政导致了农民战争的爆发和秦王朝的灭亡。

西汉是中国历史上一个强盛的封建国家。汉高祖刘邦采取的“休养生息”政策，使社会经济得到了恢复和发展，汉文帝、汉景帝推崇黄老治术，采取“轻徭薄赋”、“与民休息”的政策出现了“文景之治”的局面，汉初几位统治者的稳定基础，从而使得汉武帝时国力达到了空前强盛。平定“七国之乱”后，加强了中央集权；通过“罢黜百家，独尊儒术”，在全国加强了思想统治；通过对匈奴战争和张骞出使西域，使多民族的国家得到进一步发展；丝绸之路的拓通，使中外经济文化交流有了新的发展。西汉末年，由于社会矛盾尖锐，农民战争爆发，西汉终于走向了灭亡。

东汉初期的光武帝调整了统治政策，使社会出现了“光武中兴”的局面。但东汉后期，豪强地主势力发展，社会黑暗，终于爆发了黄巾大起义。在农民起义的打击下，东汉名存实亡。

秦汉时期，国家统一，生产发展，各民族间政治经济联系加强，科学文化得到迅速发展。

封建国家的分裂和民族大融合

从220年曹丕建魏，到589年隋统一，是中国历史上封建国家的分裂和民族大融合时期。  

经过黄巾起义的沉重打击，东汉政权已名存实亡。在镇压起义过程中出现了一些割据一方的军事集团。曹操在官渡打败袁绍，基本上统一北方。赤壁一战，曹操大败，退回北方。孙权、刘备的地位得到巩固。220年，曹丕称帝建魏；221年，刘备称帝建蜀；222年，孙权称王建吴，三国鼎立局面形成。三国时期，各国经济都得到了发展。 

三国后期，魏国的力量日益强大。263年，魏灭了蜀。265年，司马炎夺取魏政权建立晋朝，史称西晋。280年，西晋灭吴，结束了三国鼎立的局面。西晋的统一是短期的，由于阶级矛盾和民族矛盾日益尖锐，内迁的少数民族和各地流民不断起义、反抗，终于导致了西晋的灭亡。

灭亡后，皇族司马睿在江南建立政权，史称东晋。北方各族统治者先后建立了许多国家，史称十六国。383年，统一黄河流域的前秦和东晋间的淝水之战，东晋取得了胜利，不久，前秦瓦解，形成了南北对峙的局面。在南方，东晋之后，经历了宋、齐、梁、陈四个朝代，史称南朝；在北方，经历了北魏、东魏和西魏、北齐和北周五个朝代，史称北朝。南北朝时期，江南得到了开发，北方出现了各民族的大融合。北魏孝文帝的改革，促进了民族的融合。  

三国、两晋、南北朝时期，由于各民族的大融合和南北经济的发展，科学文化得到了进一步发展，在不少领域取得了世界领先的成就。

封建社会的繁荣

从581年隋朝建立，到907年唐朝灭亡，是中国封建社会的繁荣时期。  

在民族大融合和南北经济发展的基础上，隋朝实现了统一。全国统一后，社会秩序安定下来，农业、手工业和商业得到发展，封建经济开始呈现了繁荣局面。官制的改革和科举制的创立，对后世产生了重大影响；大运河的开凿，对南北经济交流起了很大作用。

当隋末农民起义蓬勃发展时，李渊起兵攻占长安，并在618年称帝，建立唐朝。唐初统治者，吸取隋亡教训，调整统治政策，前期政治比较清明，出现了“贞观之治”、“开元盛世”，封建经济得到新的发展。

唐朝是一个强盛的多民族封建国家，各民族间的联系加强，同亚洲各国的经济文化交流也空前频繁。

安史之乱是唐朝由强盛转向衰落的转折点。安史之乱后，唐朝出现了藩镇割据的局面，生产遭到严重破坏。唐朝后期，土地兼并十分严重，导致了农民战争爆发，唐朝迅速瓦解。

隋唐时期，中国南北统一，疆域广阔，经济发达，中外文化交流频繁。在此基础上，各族人民共同创造了辉煌灿烂的文化.

民族融合的进一步加强和封建经济的继续发展

从907年后梁建立，到1368年元朝灭亡，是中国封建社会民族融合的进一步加强和封建经济的继续发展时期。

五代十国时期，南方相对安定，经济获得较大发展。五代十国后期，后周逐渐强大，为后来结束分裂割据局面奠定了基础。

北宋建立后，采取了一系列加强中央集权的措施，结束了五代十国的分裂局面，封建经济得到继续发展。北宋中期，出现了财政困难等危机，为了克服统治危机，王安石实行了变法。北宋末，政治腐朽，防备空虚，金兵南下，结束了北宋的统治。1127年，南宋的统治开始。南宋与金对峙，南北经济都有新的发展。

北宋时，同其并立的主要少数民族政权，有契丹族建立的辽，有取代辽的女真族建立的金，还有党项族建立的夏。各民族政权间不断进行战争，同时也加强了经济文化交流。

蒙古族的首领铁木真统一蒙古各部，建立了蒙古政权。成吉思汗及其子孙发动了大规模的战争。忽必烈建立的元朝，统一了全国。元的统一促进了多民族国家的发展。元朝实行的行省制度，有效地管辖了全国。  

宋元时期，各民族经济交往频繁，手工业、商业和城市经济较前繁荣，中国同亚、欧、非各国联系加强，文化科学技术达到了高度繁荣的水平。

统一的多民族国家的巩固和封建制度的逐渐衰落（鸦片战争以前）

从1368年明朝建立，到1840年鸦片战争爆发前止，是中国封建社会统一的多民族国家的巩固和封建制度的逐渐衰落时期。  

1368年，朱元璋建立了明朝。明朝前期，明政府采取了一系列措施，强化中央集权。为了加强军事防御力量，明政府营建并迁都北京。为巩固北部边防，明政府修筑了北边的长城。为了进一步加强同海外各国的联系，明政府派遣郑和出使西洋。明朝中后期，随着商品经济的发展，在江南一些地方出现了资本主义生产关系的萌芽。明朝后期，封建专制统治腐朽，社会矛盾日益尖锐，终于爆发了李自成领导的农民起义，明朝的统治被推翻。  

1616年，努尔哈赤建立了女真族的政权后金。皇太极改女真为满洲，于1636年称帝，并改金为清。清初统治者为了进一步加强专制主义的中央集权，除设立内阁、六部外，还增设了军机处；为了从思想上控制人民，清政府一再兴起文字狱，压制知识分子的反清思想。  

明清前期，统一的多民族国家得到巩固。郑成功收复台湾，清朝设置台湾府，击败沙俄对中国黑龙江流域的侵略，这些斗争维护了国家主权和领土完整。清政府粉碎噶尔丹的分裂活动，平定大小和卓的叛乱，加强对西藏的管辖，使多民族国家得到进一步巩固。  

明清时期，出现了几部总结性的科技著作，出现了反专制主义的带有民主色彩的进步思想家。文学方面也出现了几部优秀的长篇小说。

 有关于中国的近代史

中国近代史的时间为，从1840年鸦片战争到1949年中华人民共和国成立前，这也是中国半殖民地半封建社会的历史。中国近代史分为前后两个阶段，从1840年鸦片战争到1919年“五四”运动前夕，是旧民主主义革命阶段；从1919年“五四”运动到1949年中华人民共和国成立前夕，是新民主主义革命阶段。

鸦片战争前，中国是一个独立自主的封建国家。由于中国的自然经济占统治地位，在中英正当贸易中，中国处于出超地位。英国为了改变贸易入超的状况，向中国偷运鸦片。鸦片的输入给中华民族带来了深重的灾难。人民群众强烈要求禁烟。林则徐领导的禁烟运动，给英国侵略者以沉重的打击。1840年，英国发动了侵略中国的鸦片战争。战争中，广大爱国官兵和三元里人民进行了英勇战斗。但由于清政府奉行妥协方针，终于导致战争的失败。1842年，英国强迫清政府签订《中英南京条约》，中国的独立和领土完整开始遭到破坏，从封建社会开始沦为半殖民地半封建社会。战争中，一些爱国的知识分子惊醒了，一股“向西方学习”的新思潮萌发了。

1856—1860年的第二次鸦片战争，是英、法为了扩大侵略权益而发动的侵华战争。美、俄坐收渔人之利。四国强迫清政府签订的《天津条约》、《北京条约》等，使中国丧失了更多的领土和主权，外国侵略势力扩大到沿海各省和长江中下游地区。中国社会的半殖民地化程度，进一步加深了。

鸦片战争后，清朝国内阶级矛盾空前激化，农民起义风起云涌。1851年，洪秀全发动了金田起义，并建立了太平天国政权；1853年，太平天国定都天京，颁布了《天朝田亩制度》；1856年，太平天国军事上达到了全盛时期；领导集团内部矛盾激化引发的天京事变大伤了太平天国的元气；1864年，太平天国运动失败。洪秀全领导的太平天国运动，体现了新时代农民战争的特点。太平天国的一些领导人，开始向西方寻求真理，探索中国独立、富强的途径，勇敢地担负起反封建、反侵略的任务。太平天国运动是中国农民战争的高峰。

清朝后期资本主义的产生和民族危机的加深

19世纪60年代，清朝统治阶级内部出现了洋务派。从60年代到90年代。他们掀起了一场“师夷长技以自强”的洋务运动。洋务运动没使中国走上富强的道路，但在客观上刺激了中国资本主义的发展。

19世纪60、70年代，中国社会出现了资本主义的生产方式，中国民族资产阶级产生了。中国民族资产阶级对外国资本主义侵略和本国封建主义压迫，既有革命性一面，又有妥协性的一面。中国无产阶级产生于40年代，早于民族资产阶级，是中国新生产力的代表者，具有最坚决、最彻底的革命性。  

19世纪后半期，随着世界资本主义向帝国主义过渡，帝国主义更加紧了对中国的侵略。1883年和1894年，先后爆发了中法战争和甲午中日战争。《中法新约》的签订，使法国进一步打开了中国西南的门户；中日《马关条约》的签订，大大加深了中国社会的半殖民地化。

《马关条约》签订后，各帝国主义列强在中国展开了资本输出的激烈竞争，还在中国强占“租借地”，划分“势力范围”，掀起瓜分中国狂潮，中国民族危机空前加深。

戊戌变法和义和团运动

甲午中日战争后，由于民族危机空前严重和中国民族资本主义的初步发展，民族资产阶级开始作为新的政治力量登上历史舞台。以康有为、梁启超为首的资产阶级维新派，为了挽救民族危亡和发展资本主义，掀起维新变法运动。以慈禧太后为代表的封建顽固守旧势力发动政变，使维新变法归于失败。这场资产阶级性质的改良运动，在社会上起到了思想启蒙的作用，有利于资产阶级思想文化的传播。

义和团运动是一场反帝爱国运动。这一运动粉碎了帝国主义列强瓜分中国的狂妄计划，沉重打击了清政府的反动统治，加速了它的灭亡。1900年夏，英、俄、日、法、德、美、意、奥八国联军侵略中国。1901年，清政府被迫同八国及比利时、荷兰、西班牙等11国签订了《辛丑条约》。标志着中国半殖民地半封建社会的形成。

辛亥革命和清朝的灭亡

1894年，孙中山创立了中国资产阶级第一个革命团体兴中会。19世纪末，辛亥革命元老中国现代教育奠基人何子渊等人开风气之先，创导新学。1905年，清廷颁布废除科举制。20世纪初，资产阶级民主革命思想得到广泛传播，出现了章炳麟、邹容、陈天华等著名民主革命思想家和宣传家。随着民主革命思想的广泛传播，资产阶级革命团体也相继建立起来。1905年中国同盟会的成立，标志着中国的资产阶级民主革命进入了一个新的阶段。革命派通过与保皇派的论战，使民主革命思想得到进一步传播，有力地推动了民主革命高潮的到来。

同盟会成立后，革命党人发动了萍浏醴、广州黄花岗等一系列起义，四川发生了保路运动。1911年10月武昌起义成功。1912年元旦，孙中山在南京就任临时大总统，宣告中华民国成立，接着颁布了《中华民国临时约法》。辛亥革命既有伟大的历史功绩，也留下了深刻的教训。  

辛亥革命是中国近代历史上的一次反帝反封建的资产阶级民主革命。它推翻了清廷的统治和两千多年的君主制度，建立了资产阶级民主共和国，颁布了反映资产阶级民主主义精神的临时约法。辛亥革命，使人民获得了一些自由和民主的权利。在政治上和思想上获得一定的解放。它使民主共和国的观念深入人心。辛亥革命也打击了帝国主义在中国的殖民统治，为中国民族资本主义的发展创造了有利条件。

中华民国初期北洋军阀的统治

1912年3月，袁世凯就任中华民国临时大总统，临时政府迁往北京。临时政府正式迁京后，以袁世凯为首的北洋军阀政权建立起来。袁世凯对内镇压国民党，对外出卖国家主权，孙中山号召武力讨袁，“二次革命”发生了。由于国民党力量涣散，北洋军力量强大，“二次革命”很快失败。袁世凯镇压“二次革命”后，开始了复辟帝制的活动。孙中山再次组织武力讨袁，护国运动爆发，袁世凯被迫取消帝制，在绝望中死去。  

袁世凯死后，中国出现了军阀割据的局面。徐州军阀张勋以调停“府院之争”为名，进北京拥戴溥仪复辟，但复辟丑剧只持续了短短的12天。段祺瑞再次执政后，拒绝恢复《临时约法》和召集国会。为维护共和制度，孙中山倡导了护法运动，但不久也失败了。

第一次世界大战期间，帝国主义忙于战争，暂时放松了对中国的经济侵略，中国的民族工业得到了短暂的发展。  

五四运动和中国共产党的创立

第一次世界大战期间，随着中国资本主义经济的进一步发展，资产阶级强烈要求在中国实行资产阶级的民主政治，反对封建军阀的统治，新文化运动应运而生了。1915年，陈独秀在上海创办《新青年》，成为新文化运动兴起的标志。“民主”和“科学”是新文化运动提出的口号。新文化运动在社会上掀起了一股思想解放的潮流。俄国十月社会主义革命胜利后，李大钊宣传十月革命，在中国第一次举起了社会主义的大旗，从而使新文化运动有了新的发展。

巴黎和会拒绝了中国代表的正义要求，激起中国人民强烈义愤。1919年的五四运动在北京爆发。6月初，运动发展成以工人阶级为主力的全国规模的群众爱国运动，并取得了初步胜利。五四运动具有重大的历史意义，是中国新民主主义革命的开端。

五四运动后，马克思主义在中国传播开来，成为新思潮的主流。一批先进分子把马克思主义同中国工人运动初步结合起来。1920年，共产主义小组在各地相继建立，1921年，中共“一大”召开，中国共产党诞生了。1922年，中共“二大”制定了民主革命纲领，为中国革命指明了方向。

在中国共产党的领导下，从1922年1月香港海员罢工到1923年2月京汉铁路工人罢工，中国工人运动出现了第一次高潮。

国民大革命时期

1924年1月至1927年7月是第一次国内革命战争时期。第一次国内革命战争是中国人民在中国共产党领导下进行的反对帝国主义、北洋军阀的战争。

经过二七惨案，中国共产党认识到，仅仅依靠工人阶级的力量是不够的，只有团结一切可以团结的力量，才可能把中国革命引向胜利。为此，中国共产党决定同孙中山领导的国民党合作，建立革命统一战线。1924年1月，中国国民党在广州举行第一次全国代表大会。国民党“一大”的召开标志着国共两党合作的实现和革命统一战线的正式建立。接着，在中国共产党和苏联的帮助下，国民党在广州黄埔建立了陆军军官学校，为建立国民革命军奠定了基础。

国民党一大后，全国反帝反封建的国民大革命运动迅速开展起来。各地工人纷纷罢工，掀起反帝爱国运动的高潮，其中影响最大的是五卅运动和省港大罢工；广东、湖南等省的农民运动逐渐发展起来，广东革命政府还创办了培养农民运动骨干的讲习所；两次东征陈炯明后，广东革命根据地得到了巩固和统一；第一次东征后，国民政府在广州成立，并将所属军队编为国民革命军。

为了打倒帝国主义，推翻军阀统治，统一中国，国民政府开始了北伐。北伐军胜利进军，不到半年打到长江流域。北伐战争得到了工农运动的大力支援；北伐战争的胜利又推动了工农运动的高涨，上海工人武装起义取得了胜利。  

1925年3月孙中山逝世后，国民党右派加紧争夺革命领导权。1927年，蒋介石发动了“四·一二”反革命政变；汪精卫发动了“七·一五”反革命政变。这期间，以陈独秀为代表的中共中央犯了右倾投降主义错误。于是国民革命失败了。

国共十年对峙

1927年8月至1937年7月是第二次国内革命战争时期。第二次国内革命战争是中国人民在中国共产党领导下反对国民党反动统治的战争。  

“四·一二”反革命政变后，蒋介石在南京建立了国民政府。不久，国民政府举行“北伐”，占领北京，奉系军阀张作霖退到关外。张学良“东北易帜”，服从国民政府。这样，国民政府形式上统一了全国。但国民党新军阀间连年混战给人民带来极大灾难。在国民政府统治下，四大家族凭借国家政权，迅速聚敛巨额财富，成为中国官僚买办资产阶级的代表。

中国共产党人没有被国民党反动派的屠杀吓倒，1927年召开“八七”会议，纠正了陈独秀的右倾投降主义错误，发动了南昌起义、秋收起义和广州起义，创建红军，开辟农村根据地，进行土地革命，开辟了一条农村包围城市，武装夺取政权的道路。接着，又取得红军三次反“围剿”的胜利。与此同时，建立了中华苏维埃政权。  

1931年，日本发动了侵略中国东北的“九·一八”事变。由于国民党的不抵抗政策，致使东北三省沦亡。日本扶植溥仪做傀儡皇帝，建立伪满洲国，对东北实行殖民统治。1932年，日本又发动了侵略上海的“一·二八”事变，取得了日军驻留上海的权利。  

1933年秋，蒋介石发动了对革命根据地的第五次“围剿”。由于王明“左”倾冒险主义错误的影响，红军第五次反“围剿”失利，被迫长征。中国共产党在长征路上举行的遵义会议，在极其危急关头挽救了党、红军和中国革命。红军在毛泽东的指挥下，克服千难万险，取得了长征的胜利。  

1935年《何梅协定》的签订和“华北五省自治”，使中华民族处在亡国灭种的生死关头。“一二·九”运动掀起了全国抗日救亡运动的新高潮。1935年12月在瓦窑堡召开的中共中央政治局扩大会议制定了抗日民族统一战线的策略方针。1936年西安事变获得了和平解决，由此揭开了国共两党由内战到和平，由分裂对峙到合作抗日的序幕。  

抗日战争

1937年7月7日，日军进攻卢沟桥，中国军队奋起还击，全国抗日战争的序幕由此揭开。8月13日，日军进攻上海，国民政府被迫对日作战。9月下旬，国民党公布中国共产党提交的国共合作宣言，抗日民族统一战线正式形成，全民族的抗战开始。

抗战初期，国民政府在正面战场组织多次战役，抗击日本侵略者，但实行的是一条片面抗战的路线，丧失了大片国土。中国共产党实行的是全面抗战的路线，执行持久抗战的方针，八路军、新四军深入敌后，广泛开展游击战争，建立了许多抗日根据地，取得了很大胜利。

1938年10月，日军占领广州、武汉后，抗日战争进入相持阶段。日本帝国主义对国民党实行政治诱降，国民党内的亲日派叛国投敌；国民党内的亲英美派抗战逐渐消极，制造反共摩擦事件，对此，中国共产党给予了坚决地回击和无情地揭露。在抗日战争的艰苦岁月里，为了克服困难，争取抗战的胜利，中国共产党在政治上、经济上、思想上采取了一系列措施，终于度过了最困难时期。

1944年，解放区军民开始局部反攻。1945年4月，中国共产党召开了“七大”，8月8日，苏联对日宣战。8月9日，毛泽东发出“对日寇的最后一战”的号召，抗日战争进入大反攻。8月15日，日本政府宣布无条件投降，9月2日签订无条件投降书。经过八年艰苦奋战，中国人民取得抗日战争的伟大胜利。

人民解放战争

抗日战争胜利后，1945年8月，毛泽东亲赴重庆同国民党进行谈判，国共双方代表签订了《双十协定》。但是，国民党在谈判期间派军队向解放区发起进攻。解放区军民打退了国民党的军事进攻。国共双方代表签订了停战协定，并在重庆召开了政治协商会议。  

1946年夏，国民党军队在美帝国主义援助下向解放区发动进攻，全面内战爆发。

从1946年夏到1947年6月，人民解放军粉碎了国民党军队的全面进攻和重点进攻。1947年6月底，人民解放军开始了全国性的反攻。从1948年9月到1949年1月，人民解放军先后发动了辽沈、淮海、平津三大战役，基本上消灭了国民党军队的主力，加速了人民解放战争在全国的胜利。1949年4月，人民解放军渡江作战，23日解放南京。

1949年9月，第一届中国人民政治协商会议召开。

看完本篇文章需要一定的耐心，因为这篇文章承接着中国的成立的端倪，落败以及奋然兴起对抗以及正式成立。在1949年的10月1日下午2点。中国人民政治协商会议第一届全体会议选举产生的中央人民政府委员会在勤政殿举行第一次会议。中央人民政府主席毛泽东，副主席朱德、刘少奇、宋庆龄、李济深、张澜、高岗，以及周恩来等56名中央人民政府委员会委员宣布就职。会议一致决议，宣布中华人民共和国中央人民政府成立，接受《中国人民政治协商会议共同纲领》为施政方针，向各国政府宣布中华人民共和国中央人民政府为中国唯一合法政府，愿与遵守平等、互利及互相尊重领土主权原则的任何外国政府建立外交关系。会议结束后，中央人民政府主席、副主席及各位委员集体出发，乘车出中南海东门，前往天安门城楼出席开国大典。下午3时，北京30万群众齐集天安门广场，举行隆重的开国大典。毛泽东主席在天安门城楼上向全世界庄严宣告：“中华人民共和国中央人民政府今天成立了！”向世界宣告中华人民共和国中央人民政府成立。

虽然中国成立的时候我并不在场，但这句“中华人民共和国中央政府今天成立了”时时刻刻的提醒着每一个中国人应要铭记历史，铭记西方列强对我们的做的种种恶行，不要忘记国家曾经所受到的屈辱，发奋图强，使祖国更加繁荣强大。勿忘国耻，振兴中华。“振兴中华”，就必须反对帝国主义对中国的侵略和掠夺，“扶大厦之将倾”，维护国家的独立和主权；“振兴中华”，就必须进行反清革命，推翻清王朝的统治，使中国人民从封建专制主义的压迫下解放出来；“振兴中华”，就必须向西方学习，发展资本主义经济，进行政治革命，“创立合众政府”。

2019年10月1日，新中国成立70周年大阅兵堪称空前盛宴，史上从来没有像今年一样那么大规模，那么大气场.

70年来，中国从一个饱受战争和饥荒蹂躏的国度，变成一个强大的现代化民族国家。不断增强的经济和军事实力，使得它受到国际社会的广泛关注。因此，本次中国国庆“大阅兵”，无疑是各方关注的焦点。

中国成立70周年大阅兵演练

中国成立70周年大阅兵演练

KDS 晶振即是日本大真空株式会社（DASHINKU CORP）,成立于 1951 年,至今已有 50 多年的历史,是全球领先的三大晶振制造商之一,其制造工厂主要分布在日本本土、中国、泰国、印度尼西亚等十多个制造中心,KDS 大真空集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,其中天津工厂是全球晶振行业最大的单体制造工厂,也是全球最大的 TF 型晶振制造工厂.

首先非常的感谢你长期以来对【日本大真空株式会社】,KDS 晶振品牌的支持与厚爱.在此郑重声明,本集团以下简称（KDS）在中国的代理商除了北京中国电子研究院,广州电子研究所,【泰河电子】,香港 KDS办事处,台湾KDS办事处,是正规的代理销售企业,其余地区以及公司,个人所销售的KDS产品均不能保证是原装正品,请你选择正规渠道定制货品.

1XTV19200CDB|KDS晶振|株式会社大真空|VC-TCXO振荡器

1XTV19200CDB晶振产品尺寸图

1XTV19200CDB晶振产品电气表

关于1XTV19200CDB压控温补振荡器产品安装的注意事项

终端/陆上布局/金属屏蔽孔

1端子A通孔不在底部（安装侧）。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内，可以改变接地方式。

对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。

包装条件
胶带包装
（1）压花胶带格式及尺寸
（2）卷筒数量:最多2000个/卷
（3）胶带规格
不缺产品。
（4）卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级：IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装，无需重新储存后烘烤。

包装箱
最多10卷/包装箱。但是，在少于10卷的情况下，它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。

在当今的高性能系统中，需要一个出色的时钟源。随着专用集成电路（ASIC）的速度和性能达到更高的限制，分配该时钟源以驱动多个设备的需求变得更加困难。由于相关的快速边沿速率，系统中部署的较高频率导致长PCB迹线表现得像传输线。保持平衡系统需要适当的端接技术来实现应用中的跟踪路由。本应用笔记将重点介绍推荐的终止技术;关于输出负载的评论，并提供一些设计师要考虑的布局指南。

传输线理论简介

通常，大多数时钟源具有低阻抗输出。当这些器件用于驱动具有大阻抗的负载时，存在阻抗不匹配。根据应用条件，此阻抗不匹配会导致负载产生电压反射，从而产生时钟波形中的步进，振铃以及过冲和下冲。这可能通过降低负载处的时钟信号，错误的数据时钟和产生更高的系统噪声而导致系统性能不佳。

为了减少电压反射，需要正确终止信号迹线。适当终止的设计考虑因素可以用两个语句来概括：

1.使负载阻抗与线路阻抗相匹配

2.使源阻抗与线路阻抗匹配

对于大多数设计，第一种说法是首选方法，因为它消除了返回时钟源的反射。这样可以减少噪音，电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）。

下图显示了阻抗不匹配对时钟源的影响

常用终止技术

如上所述，为了减少电压反射，必须正确地终止迹线。 传输线的四种基本端接技术是串联，并联，戴维宁和AC。

系列终止

串联终端消除了时钟源的反射，有助于保持信号质量。 这最适合驱动少量负载的TTL器件，因为时钟输出阻抗小于传输线特性阻抗。 图1显示了一系列终端。 电阻尽可能靠近时钟源放置。 R的典型设计值为10Ω至75Ω。

R的值可以大于阻抗差，以便产生稍微过阻尼的状态并且仍然消除来自时钟源的反射。

系列终端的主要优点是：

1.简单，只需要一个电阻器

2.功耗低

3.在驱动高容性负载时提供电流限制;这还可以通过减少接地反弹来改善抖动性能

系列终止的主要缺点是：

1.增加负载信号的上升和下降时间;这在一些高速应用中可能是不可接受的

2.无法驱动多个负载

平行和戴维宁终结

接下来的三种终端技术可提供更清晰的时钟信号，并消除负载端的反射。这些终端应尽可能靠近负载放置。

图2描绘了并行终端。并联终端消耗的功率最大，不建议用于低功率应用。它也可能改变占空比，因为下降沿将比上升沿更快。它比串联终端具有一个优点，即上升和下降时间的延迟大约是一半。

如图3所示，戴维宁终端将比并联终端消耗更少的功率，并且通常用于PECL应用，50Ω线路匹配至关重要。 R的总值等于传输线的特征阻抗。 如果需要过阻尼状态，则R的总值可略小于特征阻抗。 戴维宁终端的主要缺点是每条线路需要两个电阻器，并且在终端附近需要两个电源电压。 建议不要将此端接用于TTL或CMOS电路。

AC终止

AC端接，如图4所示，在并联支路中增加了一个串联电容。 由于RC时间常数，电容会增加时钟源的负载和延迟，但在稳态条件下将消耗很少或没有功率。 通常不建议使用此终端，因为它会通过增加传播延迟时间来降低时钟信号的性能。 为了保持有效终止，C L的值不应小于50pF。 较大的C L值将允许时钟边沿的快速转换，但随着电容器值的增加，较高的电流电平将通过，从而导致功耗的增加。 选择大于走线阻抗的R L值，以考虑负载输入阻抗的泄漏。

输出负载简介

应注意不要使时钟源过载。 如果使用单个时钟源来驱动多个负载，则如果总负载超过时钟源的驱动能力，则会发生波形劣化。

过载的一些常见症状是波形削波，对称不平衡，信号幅度减小以及上升和下降时间值的变化。 通常随着时钟频率的增加，源驱动更高负载的能力将降低。 请务必参考时钟源规范以获得最大负载能力。

下图显示了重载对时钟源的影响。

通用时钟输出类型

CTS时钟振荡器设计已经开发出来，具有各种封装选项，输入电压和输出类型。

HCMOS和HCMOS / TTL兼容

今天的CTS设计提供“双兼容”振荡器，它们是能够驱动TTL应用的HCMOS输出类型。 由于转换时间较短，这些设备固有地具有更大的过冲和欠冲。 这可能不适合具有严格EMI要求的旧TTL设计。

CTS生产两种流行的HCMOS / TTL兼容时钟振荡器CB3 / CB3LV和型号636。

下图显示了典型的HCMOS测试负载配置和波形参数。

LVPECL和LVDS

与HCMOS逻辑技术相比，CTS LVPECL和LVDS逻辑输出设计具有许多优势。

LVPECL和LVDS技术从正电源获得其工作功率，从而实现与负载点处的HCMOS逻辑接口的必要兼容性。 这些逻辑输出还具有：

1.降低系统抖动; 由于较小的特征过渡区域

2.上升和下降时间更快

3.提供差分输出; 减少排放至关重要

4.能够直接驱动50Ω传输线

5.降低高频时的电源消耗

CTS Model 635提供两种输出类型的选项。

下图显示了典型的LVPECL和LVDS测试负载配置和波形参数

布局指南

在印刷电路板布局过程中采用良好的设计实践将最小化先前讨论的信号劣化。 PCB设计的一些常见指南是：

1.将时钟源物理定位在尽可能靠近负载的位置

2.限制时钟信号的走线长度

3.不要将时钟信号靠近电路板边缘

4.尽量避免在时钟信号路由中使用过孔。 过孔会改变走线阻抗，从而引起反射。

5.不要在电源和接地层上布设信号走线

6.避免在轨迹中出现直角弯曲，如果可能，请保持直线行程。 如果需要弯曲，请使用两个45°角或使用圆形弯曲（最佳）.

7. V CC与时钟源地之间的去耦电容对于降低可能传输到时钟信号的噪声至关重要。 这些电容必须尽可能靠近V CC引脚。

8.为避免串扰，请在多个时钟源和高速开关总线之间保持适当的间隔。

9.差分跟踪路由应尽可能接近，以获得高耦合系数。 路由的长度应相等，以避免阻抗不匹配，从而导致不同的传播延迟时间。

10.使用单个时钟源驱动多个负载时，请考虑拆分路由。 使各个布线长度尽可能相等。

结论

本应用笔记介绍了使用驱动各种负载的时钟源的应用的正确终端技术。 它还概述了用于生成可靠应用程序设计的布局考虑因素 所有这些技术都力求最大限度地减少降低时钟信号的条件，从而导致系统性能不佳。

KDS 晶振即是日本大真空株式会社（DASHINKU CORP）,成立于 1951 年,至今已有 50 多年的历史,是全球领先的三大晶振制造商之一,其制造工厂主要分布在日本本土、中国、泰国、印度尼西亚等十多个制造中心,KDS 大真空集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,其中天津工厂是全球晶振行业最大的单体制造工厂,也是全球最大的 TF 型晶振制造工厂.

首先非常的感谢你长期以来对【日本大真空株式会社】,KDS 晶振品牌的支持与厚爱.在此郑重声明,本集团以下简称（KDS）在中国的代理商除了北京中国电子研究院,广州电子研究所,【泰河电子】,香港 KDS办事处,台湾KDS办事处,是正规的代理销售企业,其余地区以及公司,个人所销售的KDS产品均不能保证是原装正品,请你选择正规渠道定制货品.

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1XTV26000AAD晶振产品尺寸图

1XTV26000AAD晶振产品电气表

关于1XTV26000AAD压控温补振荡器产品安装的注意事项

终端/陆上布局/金属屏蔽孔

1端子A通孔不在底部（安装侧）。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内，可以改变接地方式。

对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。

包装条件
胶带包装
（1）压花胶带格式及尺寸
（2）卷筒数量:最多2000个/卷
（3）胶带规格
不缺产品。
（4）卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级：IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装，无需重新储存后烘烤。

包装箱
最多10卷/包装箱。但是，在少于10卷的情况下，它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。

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1XTV26000JBA|KDS晶振|株式会社大真空|VC-TCXO振荡器

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驱动电平是振荡期间提供给晶体单元的功率，并使用下面的公式计算。

DL（μW）= R L（Ω）x i 2（mA）
DL：驱动电平
RL：负载下石英晶体谐振器的等效电阻
i：流经晶体谐振器的电流值（有效值）

每个晶体单元都有一个驱动电平标准，并保证驱动电平的上限。关于超过上限的问题是由于与寄生模式的耦合引起的异常振荡（对振荡频率的影响）。以下解释了这个问题。

AT切割晶体单元使用厚度剪切模式作为主振荡模式，但还有许多其他寄生模式（弯曲振动，平面滑动振动等）。图1显示了AT切割晶体单元的振动模式。

图1。AT切割晶体单元的振动模式

这些寄生模式的频率可以与特定温度下主振动的振荡模式的频率组合，从而影响振荡频率。

当驱动电平对于规范来说太高时，杂散和主振动可能会耦合。图2显示了当驱动电平正常（驱动电平在标准范围内）和驱动电平过高（驱动电平超出标准范围）时，振荡器频率温度特性如何不同。

图2。振荡频率温度特性

当驱动电平正常时，如图2（a）所示绘制平滑的三次曲线。但是，当驱动电平过大时，振荡频率在特定的温度范围内突然变化，如图2（b）所示。现象（称为活动倾向）更有可能出现。

在电路研究中，我们提出了在驱动电平规范范围内的电路常数，以防止活动下降。

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1C208000BC0U|KDS晶振|株式会社大真空|陶瓷面晶体

DIMENSIONS 尺寸外型图 

 Dimensions of embossed carrier tape  压花载带尺寸图 

Dimensions of tape reel   卷尺尺寸图 

等效电路常数：图1.2显示了陶瓷谐振器的符号。端子间的阻抗和相位特性如图1.5所示。该图说明陶瓷谐振器在提供最小阻抗的频率fr（谐振频率）和提供最大阻抗的频率fa（反谐振频率）之间的频率范围内变为电感性的。它在其他频率范围内变为电容。这意味着双端子谐振器的机械振荡可以用等效电路代替，该等效电路由串联和并联谐振电路的组合构成，其中包括电感器L，电容器C和电阻器R.在谐振频率附近，等效电路可以表示如图1.4所示。

fr和f a频率由压电陶瓷材料及其物理参数决定。等效电路常数可以从以下公式确定：

考虑到fr≤f≤fa的有限频率范围，阻抗给出为Z = R e + jwL e（Le≤= 0），如图1.5所示。 陶瓷谐振器应当作为具有损耗R e（Ω）的电感器L e（H）操作。

图1.1显示了陶瓷谐振器和石英晶体谐振器之间等效电路常数的比较。 注意，电容和Q m存在很大差异，这导致实际操作时振荡条件的差异。 附录中的表格显示了每种陶瓷谐振器的等效电路常数的标准值。

除了期望的振荡模式之外，存在用于其他振荡模式的高次谐波。 存在这些其他振荡模式是因为陶瓷谐振器使用机械共振。 图1.6显示了这些特征。

基本振荡电路

通常，振荡电路可分为以下三种类型：

1.积极的反馈

2.负电阻元件

3.在陶瓷谐振器，石英晶体谐振器和LC振荡器的情况下，传输时间或相位的延迟，正反馈是首选电路。

在使用LC的正反馈振荡电路中，通常使用Colpitts和Hartley的调谐型反耦合振荡电路。 见图1.7。

在图1中。 在图7中，使用晶体管，它是最基本的放大器。

振荡频率与Colpitts电路中由L，C L1和C L2组成的电路的谐振频率大致相同，或者由Hartley电路中的L 1，L 2和C组成。 这些频率可以用下面的公式表示。

在陶瓷谐振器振荡器中，利用陶瓷谐振器代替电感器，利用谐振器在谐振和反谐振频率之间变为电感的事实。 最常用的电路是Colpitts电路。

这些振荡电路的工作原理如图2.1所示。 满足以下条件时发生振荡。

环路增益：G =α•β≥1

相位量：φT=φ1+φ2= 360°•n（n = 1,2，...）

在Colpitts电路中，使用φ1= 180°的反转，并且在反馈电路中用L和C反转φ2= 180°。 用陶瓷谐振器的操作可以认为是相同的。

应用

典型的振荡电路：陶瓷谐振器最常见的振荡器电路是Colpitts电路。电路的设计随应用和要使用的IC等而变化。尽管电路的基本配置与晶体控制振荡器的基本配置相同，但机械Q的差异是由电路常数的差异引起的。一些典型的例子如下。

设计考虑因素：使用逆变器门将数字IC配置为振荡电路变得越来越普遍。下页的图3.1显示了带CMOS反相器的基本振荡电路的配置。

INV.1用作振荡电路的反相放大器。 INV.2用作波形整形器，也用作输出的缓冲器。

反馈电阻R f在逆变器周围提供负反馈，以便在通电时振荡开始。

如果R f的值太大而输入逆变器的绝缘电阻很低，则由于环路增益的损失，振荡将停止。而且，如果R f太大，则可以将来自其他电路的噪声引入振荡电路。显然，如果R f太小，则环路增益会降低。 1MΩ的R f通常与陶瓷谐振器一起使用。

阻尼电阻Rd具有以下功能，但有时省略。它使逆变器和反馈电路之间的耦合松动;从而减小逆变器输出侧的负载。此外，反馈电路的相位稳定。它还提供了一种降低高频增益的方法，从而防止了寄生振荡的可能性。

负载电容：负载电容C L1和C L2提供180°的相位滞后。应根据应用，使用的IC和频率正确选择这些值。如果C L1和C L2的值低于必要值，则高频环路增益会增加，从而增加了寄生振荡的可能性。这特别有可能在厚度振动模式所在的4-5MHz附近。

该电路中的振荡频率（f OSC）大致由下式表示。

其中，f r：陶瓷谐振器的谐振频率。

C1：陶瓷谐振器的等效串联电容。

C0：陶瓷谐振器的等效并联电容。

C L = C L1•C L2 / C L1 + C L2

这清楚地表明振荡频率受负载电容的影响。当需要对振荡频率的严格公差时，应注意定义其值。

CMOS反相器：CMOS反相器可用作反相放大器; 4069 CMOS组的单级型最有用。由于增益过大，环形振荡或CR振荡是使用三级缓冲型逆变器（如4049组）时的典型问题。 ECS采用RCA CD4O69UBE作为CMOS标准电路，如图3.2所示。

HCMOS逆变器电路：最近，高速CMOS（HCMOS）越来越多地用于允许微处理器的高速和低功耗的电路。

HCMOS逆变器有两种类型：非缓冲74HCU系列和带缓冲器的74HC系列。 74HCU系统是陶瓷谐振器的最佳选择。见图3.3

TTL逆变器电路：由于阻抗匹配，负载电容C L1和C L2的值应大于CMOS的值。此外，反馈电阻R f应小至几KΩ。注意，需要偏置电阻R d来正确确定DC工作点。

频率相关：振荡器电路如图所示

以下页面是ECS标准测试电路。这些电路中使用的逆变器被广泛接受为工业标准，因为它们的特性代表了同一系列（CMOS / HCMOS / TTL）中微处理器中的特性。当然，应用将使用不同的IC，并且可以预期，振荡器电路特性将因IC而异。

通常，这种变化可以忽略不计，并且可以简单地通过将处理器分类为CMOS，HCMOS或TTL来选择陶瓷谐振器部件号。

鉴于标准ECS陶瓷谐振器在下页中对测试电路进行100％频率分类，因此将标准电路的振荡频率与客户指定电路的振荡频率相关联相对容易。

例如，如果使用的微处理器是摩托罗拉6805，频率为4MHz，那么正确的ECS部件号将是ZTA4.OMG（频率分类到CD4O69UBE CMOS测试电路）。电路参数应选择如下：

通过实际设置该电路以及下面图3.1所示的标准测试电路，可以确定使用带有6805处理器的ZTA4.OMG时可以预期的平均偏移。 实际数据如下所示：

根据这些数据，可以预测标准ZTA4.00MG谐振器的频率偏离原始的4.00MHz±0.5％初始容差约+ 0.06％。 这当然是一个可以忽略不计的转变，不会以任何方式影响电路性能。

 各种IC / LSI电路：

通过充分利用前面提到的特征，陶瓷谐振器与各种IC组合在一起被广泛应用。以下是一些实际应用示例。

微处理器的应用：陶瓷谐振器是各种微处理器的最佳稳定振荡元件：4位，8位和16位。由于微处理器参考时钟所需的一般频率容差为±2％ -  3％，因此标准单元满足此要求。向您的ECS或LSI制造商询问电路常数，因为它们随频率和使用的LSI电路而变化。图A显示了具有4位微处理器的应用程序，图B显示了具有8位微处理器的应用程序。

遥控器IC：遥控器越来越成为一种常见功能。振荡频率通常为400-500 KHz，455KHz是最受欢迎的。该455KHz被载波信号发生器分频，从而产生大约38KHz的载波。

VCO（压控振荡器）电路：VCO电路用于电视和音频设备，因为信号需要与广播电台发送的导频信号同步处理。最初使用振荡电路，例如LC和RC;然而，现在使用陶瓷谐振器，因为它们不需要调整并且具有优于旧型电路的稳定性。用于VCO应用的谐振器需要具有宽的可变频率

其他：除上述用途外，陶瓷谐振器广泛用于IC用于语音合成和时钟生成。对于一般的定时控制应用，振荡频率通常由用户根据IC制造商推荐的工作频率范围选择。用给定的IC选择这个频率将决定什么电路值和哪个陶瓷谐振器是合适的。选择陶瓷谐振器部件号时，请联系您当地的ECS销售代表。

如前所述，陶瓷谐振器有许多应用。一些更具特定应用的振荡器电路要求为该应用和IC开发独特的陶瓷谐振器。

振荡上升时间

振荡上升时间是指在激活IC的电源时振荡从瞬态区域发展到稳定区域的时间。使用陶瓷谐振器时，它定义为在稳定条件下达到振荡电平的90％的时间如图6.1所示。

上升时间主要是振荡电路设计的函数。通常，较小的负载电容，较高频率的陶瓷谐振器和较小尺寸的陶瓷谐振器将导致较快的上升时间。随着谐振器的电容减小，负载电容的影响变得更明显。图6.2显示了对负载电容（C L）和电源电压的上升时间的实际测量。值得注意的是，陶瓷谐振器的上升时间比石英晶体快一到二十倍。 （这一点在图6.3中用图解说明）

启动电压：启动电压是指振荡电路可以工作的最小电源电压。所有电路元件都会影响启动电压。它主要取决于IC的特性。图6.4示出了相对于负载电容的起始电压特性的实际测量的示例。

陶瓷共振器振荡特性

下面描述基本电路中振荡的一般特性。有关特定类型的IC和LSI的振荡特性，请与泰河电子联系。

在-20°C至+ 80°C的范围内，温度变化的稳定性为±0.3至0.5％，尽管根据陶瓷材料的不同而略有不同。负载电容（C L1，C L2）对振荡频率的影响相对较高，可以根据f OSC的公式计算.ffC。由于电容，变化约±0.1％

工作电压范围内的偏差为±0.1％。 f OSC。也随IC的特性而变化。

电源电压变化特性：有关给定振荡频率的实际稳定性测量示例，请参见下面的图1。

振荡水平：以下是振荡水平对温度，电源电压和负载电容（C L1，C L2）的实际测量示例。振荡水平要求在很宽的温度范围内保持稳定，并且温度特性应尽可能平坦。除非IC具有内部恒定电压电源，否则这种变化与电源电压呈线性关系。