爱普生晶振,贴片晶振,SG-9001LB晶振,扩展频谱有源晶振

晶体振荡器     输出:CMOS    

频率范围: 10.000 MHz - 135.000 MHz

电源电压: 3.3 V -+0.3 V

外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.2 mm

功能：使能（OE）

工作温度范围:  -20ºC - +70 ºC

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8101CG晶振,高精准小体积可编程晶振

晶体振荡器 (可编程)    输出:CMOS    

频率范围: 0.67 MHz - 170 MHz

电源电压: 1.62 V - 3.63V

外部尺寸规格: 2.5*2.0*0.7mm

功能：使能( OE ) 或 待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +85 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8003JF晶振,进口陶瓷封装有源晶振

晶体振荡器 (可编程)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 166 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V TYP. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 7.1*5.1*1.5mm

功能：使能( OE ) 或 待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8003CA晶振,7050低频SMD可编程振荡器

晶体振荡器 (可编程)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 166 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V TYP. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 7.0*5.0*1.4mm

功能：使能( OE ) 或 待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8003LB晶振,5032陶瓷四脚SMD振荡器

晶体振荡器 (可编程)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 166 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V TYP. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 5.0*3.2*1.2mm

功能：使能( OE ) 或 待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8003CE晶振,3225宽频可编程有源晶体

晶体振荡器 (可编程)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 166 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V TYP. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 3.2*2.5*1.05mm

功能：使能( OE ) 或 待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8003CG晶振,小体积可编程晶体振荡器

晶体振荡器 (可编程)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 166 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V TYP. / 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.5*2.0*0.7mm

功能：使能( OE ) 或 待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,石英晶振,SG-8002DB晶振,陶瓷面插件可编程晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 19.8*7.62*5.3 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,石英晶振,SG-8002DC晶振,半号DIP型可编程振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 13.7*7.62*5.3 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002JA晶振,超大体积贴片型有源晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 14.0x9.8x4.7 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002JC晶振,进口大体积有源晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 10.5x5.8x2.7 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002CA晶振,日产7050可编程晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 7.0x5.0x1.4 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002LB晶振,陶瓷可编程石英晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 5.0x3.2x1.2 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-8002CE晶振,3225可编程有源振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 1 MHz - 125 MHz

电源电压: 3.0 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.

外部尺寸规格: 3.2x2.5x1.05 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -20 °C - +70 °C 

爱普生晶振,贴片晶振,SG-211SCE晶振,SG-211SCE 26.0000MT3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2.375 MHz - 60 MHz

电源电压: 2.5 V Typ.    （2.7 V - 3.63 V）

电流消耗: 1.2 mA Typ.    (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.7 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  -40 °C - +90 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SGB晶振,SG-210SGB 19.2000ML3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    

频率范围: 2 MHz -32 MHz

电源电压: 1.5 V Typ./ 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ./ 3.3 V Typ.

电流消耗: 0.9 mA Typ.  (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C / +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG-210SCBA晶振,AEC-Q200规范晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS    车载用

频率范围: 2 MHz - 60 MHz

电源电压: 1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗:  0.9 mA Typ.    (SEB: 1.8 V 无负载条件48 MHz)

外部尺寸规格: 2.5 × 2.0 × 0.8 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围:  +105 °C  -  +125 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG5032CCN晶振,SG5032CCN 18.432000M-HJGA3晶振

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS

频率范围: 2.5 MHz - 50 MHz

电源电压: 4.5 V - 5.5 V Typ.

外部尺寸规格: 5.0 × 3.2 × 1.1 mm

功能：待机( ST )

工作温度范围：-40 °C - +105 °C

爱普生晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振,普通有源晶体振荡器

晶体振荡器 (SPSO)    输出:CMOS

频率范围: 1.2 MHz - 75 MHz

电源电压: 1.8 V - 3.3 V Typ.

外部尺寸规格: 2.0 × 1.6 × 0.7 mm

功能：??待机( ST )

工作温度范围：-40 °C - +125 °C

我公司所生产的音叉石英晶振具有电阻小，高低温稳定性能变化不大，在恶劣环境中均能保持正常工作，精度性能优越等特点，主要采用了高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。